处理方法和等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种防止在向外周构件施加了电压时针对被处理体的工艺特性下降的处理方法和等离子体处理装置。在所述处理方法中，使用等离子体处理装置对被处理体进行处理，所述等离子体处理装置具有：载置台，其在腔室内载置被处理体；外周构件，其配置于所述载置台的周围；以及第一电源，其向所述外周构件施加电压，所述处理方法包括以下工序：从所述第一电源向所述外周构件施加电压；参照存储有向外周构件施加的电压与工艺参数的校正值之间的相关信息的存储部，基于施加于所述外周构件的电压来校正工艺参数；以及按照包括校正后的所述工艺参数的工艺条件来执行等离子体处理。

【技术实现步骤摘要】
处理方法和等离子体处理装置
本公开涉及一种处理方法和等离子体处理装置。
技术介绍
配置于晶圆的周围的外周构件(下面也称为边缘环。)由于暴露于等离子体而产生消耗。边缘环的消耗会对向晶圆实施的处理的结果造成影响，使蚀刻形状以及蚀刻速率等工艺特性降低。因此，专利文献1提出了一种减少由于边缘环的消耗引起的对蚀刻形状等处理结果的影响的技术。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-258417号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开提供一种能够防止在向外周构件施加了电压时针对被处理体的工艺特性下降的技术。用于解决问题的方案根据本公开的一个方式，提供一种处理方法，在该处理方法中，使用等离子体处理装置对被处理体进行处理，所述等离子体处理装置具有：载置台，其在腔室内载置被处理体；外周构件，其配置于所述载置台的周围；以及第一电源，其向所述外周构件施加电压，所述处理方法包括以下工序：从所述第一电源向所述外周构件施加电压的工序；参照存储有向外周构件施加的电压与工艺参数本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种处理方法，使用等离子体处理装置对被处理体进行处理，所述等离子体处理装置具有：载置台，其在腔室内载置被处理体；外周构件，其配置于所述载置台的周围；以及第一电源，其向所述外周构件施加电压，所述处理方法包括以下工序：/n从所述第一电源向所述外周构件施加电压；/n参照存储有向外周构件施加的电压与工艺参数的校正值之间的相关信息的存储部，基于施加于所述外周构件的电压来校正工艺参数；以及/n按照包括校正后的所述工艺参数的工艺条件来执行等离子体处理。/n

【技术特征摘要】
20190111 JP 2019-0037591.一种处理方法，使用等离子体处理装置对被处理体进行处理，所述等离子体处理装置具有：载置台，其在腔室内载置被处理体；外周构件，其配置于所述载置台的周围；以及第一电源，其向所述外周构件施加电压，所述处理方法包括以下工序：
从所述第一电源向所述外周构件施加电压；
参照存储有向外周构件施加的电压与工艺参数的校正值之间的相关信息的存储部，基于施加于所述外周构件的电压来校正工艺参数；以及
按照包括校正后的所述工艺参数的工艺条件来执行等离子体处理。


2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，
所述工艺参数是使所生成的等离子体密度发生变动的工艺条件。


3.根据权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于，
所述工艺参数是使蚀刻速率发生变动...

【专利技术属性】
技术研发人员：及川翔，横山政司，冈野太一，河崎俊一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP