气体收集系统及原子层刻蚀设备技术方案

本实用新型专利技术提供一种气体收集系统及原子层刻蚀设备，该气体收集系统，应用于原子层刻蚀设备，原子层刻蚀设备包括工艺腔室及供气管路，供气管路向工艺腔室实时供应工艺气体，包括收气管路和收气机构；收气机构通过收气管路与供气管路选择性连通；当供气管路与工艺腔室处于未连通状态时，收气机构收集供气管路内的工艺气体；并且当供气管路与工艺腔室需要处于连通状态时，收气机构与供气管路断开。应用本实用新型专利技术，可以将本来被抽至排气管中的工艺气体进行回收，便于提纯后再利用，可以节省大量工艺气体，有效降低了工艺成本。

【技术实现步骤摘要】
气体收集系统及原子层刻蚀设备
本技术涉及半导体
，具体地，涉及一种气体收集系统及原子层刻蚀设备。
技术介绍
随着集成电路技术的发展，对刻蚀技术的要求也越来越高，原子层刻蚀已逐步成为主流刻蚀技术。原子层刻蚀主要是快速导入工艺气体，工艺气体被电离后与晶圆的最上层原子发生反应，然后停止向工艺腔室导入工艺气体，并对工艺腔室进行抽真空操作，将工艺腔室内多余的工艺气体和挥发性反应产物都抽走。之后再快速导入工艺气体(可以与之前通入的工艺气体一样，也可以不一样)，轰击最上层原子(与之前的电离气体反应的首层原子)，这样逐层刻蚀，直至达到技术要求的刻蚀深度。在实际原子层刻蚀工艺过程中，为了实现工艺气体的快速导入，供气管路可实时向工艺腔室供气，然后在供气管路上设置气体阀门，在需要向工艺腔室通入工艺气体进行原子层刻蚀时，开启工艺腔室前的气体阀门，将工艺气体导入工艺腔室。在进行完某一层的原子层反应或刻蚀工艺后，为了保证工艺腔室的清洁环境，需要将工艺腔室中的气体及挥发性反应产物通过排气系统排出，通常会关闭工艺腔室前的气体阀门，而开启控制排气管路与供气管路之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种气体收集系统，应用于原子层刻蚀设备，所述原子层刻蚀设备包括工艺腔室及供气管路，所述供气管路向所述工艺腔室供应工艺气体，其特征在于，所述气体收集系统包括收气管路和收气机构；其中，/n所述收气机构通过所述收气管路与所述供气管路选择性连通；当所述供气管路与所述工艺腔室处于未连通状态时，所述收气机构收集所述供气管路内的工艺气体；并且当所述供气管路与所述工艺腔室需要处于连通状态时，所述收气机构与所述供气管路断开。/n

【技术特征摘要】
1.一种气体收集系统，应用于原子层刻蚀设备，所述原子层刻蚀设备包括工艺腔室及供气管路，所述供气管路向所述工艺腔室供应工艺气体，其特征在于，所述气体收集系统包括收气管路和收气机构；其中，
所述收气机构通过所述收气管路与所述供气管路选择性连通；当所述供气管路与所述工艺腔室处于未连通状态时，所述收气机构收集所述供气管路内的工艺气体；并且当所述供气管路与所述工艺腔室需要处于连通状态时，所述收气机构与所述供气管路断开。


2.根据权利要求1所述的气体收集系统，其特征在于，所述收气机构包括第一阀门和抽气装置，其中：
所述抽气装置通过所述第一阀门与所述供气管路选择性连通，所述抽气装置用于与所述供气管路连通时，将所述工艺气体从所述供气管路抽出。


3.根据权利要求2所述的气体收集系统，其特征在于，所述收气机构还包括气体储存器，所述气体储存器能够收集所述抽气装置从所述供气管路抽出的所述工艺气体。


4.根据权利要求3所述的气体收集系统，其特征在于，所述抽气装置与所述气体储存器之间设有第二阀门，所述抽气装置内压力达到预设压力值，所述第二阀门打开，所述抽气装置将缓存的所述工艺气体输送至所述气体储存器，其中，所述预设压力值小于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈景春，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11