工艺腔室及半导体设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种工艺腔室及半导体设备，该工艺腔室，应用于半导体设备，包括腔室主体以及设置于腔室主体内的载台结构，载台结构设置于腔室主体的中部；载台结构包括载台主体以及第一悬臂、第二悬臂；第一悬臂的一端与载台主体的侧壁连接，另一端与腔室主体的侧壁连接；第二悬臂的一端与载台主体的侧壁连接，另一端与腔室主体的侧壁抵顶；第一悬臂与第二悬臂结构相同、规格相同、且位置相对于载台主体对称设置。应用本实用新型专利技术，工艺气体可以从晶圆的周侧均匀向下流动，使气流更加均匀稳定，使得进行工艺处理后的晶圆均匀性更好，从而提高了晶圆的表面质量；还可以有效改善腔室下方抽气的空压能力，缩短工艺时间，增加机台的工作效率等。

【技术实现步骤摘要】
工艺腔室及半导体设备
本技术涉及半导体
，具体地，涉及一种工艺腔室及半导体设备。
技术介绍
在集成电路的制造过程中，晶圆刻蚀是一重要工艺步骤，晶圆刻蚀的均匀性是影响晶圆质量的关键因素。影响晶圆刻蚀均匀性的因素有很多，其中，腔室内部结构对晶圆刻蚀均匀性的影响是极其重要的一项，腔室内部结构的不对称性对气体流场、等离子体密度以及电磁场分布等均有不利影响，会使气体流场、等离子体密度以及电磁场分布不均匀，这将直接影响晶圆的刻蚀的均匀性。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种工艺腔室及半导体设备。为实现本技术的目的，一方面提供一种工艺腔室，应用于半导体设备，其特征在于，包括腔室主体以及设置于所述腔室主体内的载台结构，所述载台结构设置于所述腔室主体的中部；所述载台结构包括载台主体以及第一悬臂、第二悬臂；所述第一悬臂的一端与所述载台主体的侧壁连接，另一端与所述腔室主体的侧壁连接；所述第二悬臂的一端与所述载台主体的侧壁连接，另一端与所述腔室主体的侧壁抵顶；>所述第一悬臂与所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种工艺腔室，应用于半导体设备，其特征在于，包括腔室主体以及设置于所述腔室主体内的载台结构，所述载台结构设置于所述腔室主体的中部；/n所述载台结构包括载台主体以及第一悬臂、第二悬臂；/n所述第一悬臂的一端与所述载台主体的侧壁连接，另一端与所述腔室主体的侧壁连接；所述第二悬臂的一端与所述载台主体的侧壁连接，另一端与所述腔室主体的侧壁抵顶；/n所述第一悬臂与所述第二悬臂结构相同、规格相同、且位置相对于所述载台主体对称设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种工艺腔室，应用于半导体设备，其特征在于，包括腔室主体以及设置于所述腔室主体内的载台结构，所述载台结构设置于所述腔室主体的中部；
所述载台结构包括载台主体以及第一悬臂、第二悬臂；
所述第一悬臂的一端与所述载台主体的侧壁连接，另一端与所述腔室主体的侧壁连接；所述第二悬臂的一端与所述载台主体的侧壁连接，另一端与所述腔室主体的侧壁抵顶；
所述第一悬臂与所述第二悬臂结构相同、规格相同、且位置相对于所述载台主体对称设置。


2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述载台主体为圆柱体，所述第一悬臂与所述第二悬臂相对于所述载台主体的轴线对称设置。


3.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室还包括开设在所述腔室主体的侧壁上的容置槽、进出料口、以及容纳于所述容置槽内部的料口遮挡组件、挡板；
所述进出料口贯穿所述腔室主体的侧壁，且与所述容置槽连通；
所述料口遮挡组件设于靠近所述腔室主体内部的一侧，用于全部或者部分遮挡所述进出料口；
所述容置槽开设在所述腔室主体的内侧壁上，且槽口朝向所述腔室主体的中部，用于容置所述料口遮挡组件；
所述挡板位于所述容置槽的开口处，且所述挡板的形状与所述容置...

【专利技术属性】
技术研发人员：马恩泽，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11