衬底的背侧摩擦减小制造技术

处理室系统包括被配置成将衬底固定在第一处理室内的衬底安装模块。该系统还包括被配置成将感光膜施加至衬底的正侧表面的第一沉积模块以及被配置成将膜层施加至衬底的背侧表面的第二沉积模块。正侧表面与衬底的背侧表面相反。衬底具有裸露的背侧表面，该裸露的背侧表面具有第一摩擦系数。在衬底的背侧表面上形成膜层。形成在衬底的背侧表面上的膜层具有第二摩擦系数。第二摩擦系数低于第一摩擦系数。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】衬底的背侧摩擦减小相关申请本申请要求于2016年7月21日提交的美国临时申请号62/365,228，于2017年7月14日提交的美国非临时申请号15/650,352的优先权，其中，上述申请中的每一个通过引用以其全部内容并入本文。
技术介绍
半导体工业中的集成电路(IC)的制造通常采用一系列工艺步骤来使特征图案化以在硅衬底上形成IC。迭代的图案化工艺可能会在图案级别之间引入未对准误差，并且可能无法形成IC的用于实现其预期目的的图案化特征。随着IC几何尺寸随时问减小，图案未对准对器件良率和性能的影响越来越大。因此，任何减少图案未对准的技术对IC制造商都是有利的。本文提供的“
技术介绍
”描述是出于总体上呈现本公开的上下文的目的。在该
技术介绍
部分中所描述的范围内，目前指名的专利技术人的工作以及在提交时可能以其他方式算不上常规技术的描述的各个方面既未明确也未隐含地被承认为相对于本公开的常规技术。
技术实现思路
在一个实施方案中，一种处理衬底的方法包括将衬底容纳在衬底处理室中。衬底具有正侧表面和与该正侧表面相反的背侧表面。该方法还包括：在衬底的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种处理衬底的方法，所述方法包括：/n将所述衬底容纳在衬底处理室中，所述衬底具有正侧表面和与所述正侧表面相反的背侧表面，在形成膜层之前所述衬底的背侧表面具有第一摩擦系数；以及/n在所述衬底的所述背侧表面上形成含氟化学物质膜层，在所述衬底的背侧表面上形成的所述膜层具有第二摩擦系数，所述第二摩擦系数低于所述第一摩擦系数。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171129 US 15/826,0911.一种处理衬底的方法，所述方法包括：
将所述衬底容纳在衬底处理室中，所述衬底具有正侧表面和与所述正侧表面相反的背侧表面，在形成膜层之前所述衬底的背侧表面具有第一摩擦系数；以及
在所述衬底的所述背侧表面上形成含氟化学物质膜层，在所述衬底的背侧表面上形成的所述膜层具有第二摩擦系数，所述第二摩擦系数低于所述第一摩擦系数。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氟化学物质层包含以下中的一者：全氟癸基三氯硅烷、全氟辛基三氯硅烷、全氟七氯硅烷、全氟丁基氯硅烷、全氟辛基三乙氧基硅烷、全氟癸基三乙氧基硅烷、全氟辛基三甲氧基硅烷、全氟癸基三甲氧基硅烷、全氟癸基一氯二甲基硅烷、全氟辛基一氯二甲基硅烷、全氟丁基一氯二甲基硅烷、全氟辛基三乙氧基二甲基硅烷、全氟癸基乙氧基二甲基硅烷、全氟辛基甲氧基二甲基硅烷或全氟癸基甲氧基二甲基硅烷。


3.根据权利要求1所述的方法，其中形成膜层包括：
使所述背侧表面暴露于含氟液体或气体中；以及
使所述正侧表面暴露于保持在比所述含氟气体或液体更高的压力下的气体中。


4.根据权利要求1所述的方法，其中形成膜层包括分子气相沉积或分子液相沉积。


5.根据权利要求1所述的方法，其中去除膜层包括以下中的一者：使所述膜层暴露于含氧气体中；使所述膜层暴露于含氧等离子体中；或使所述膜层暴露于含氧气体以及紫外线的组合中。


6.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述背侧表面上形成膜层之前，使所述背侧表面暴露于化学处理，其中所述化学处理包括水、单原子氧、双原子氧或三原子氧中的一者。


7.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述衬底的背侧表面上形成所述膜层之后，将所述衬底固定至衬底卡盘，其中在所述背侧表面上形成所述膜层之前的所述衬底的第一测量摩擦...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜浩英，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP