衬底的背侧摩擦减小制造技术

处理室系统包括被配置成将衬底固定在第一处理室内的衬底安装模块。该系统还包括被配置成将感光膜施加至衬底的正侧表面的第一沉积模块以及被配置成将膜层施加至衬底的背侧表面的第二沉积模块。正侧表面与衬底的背侧表面相反。衬底具有裸露的背侧表面，该裸露的背侧表面具有第一摩擦系数。在衬底的背侧表面上形成膜层。形成在衬底的背侧表面上的膜层具有第二摩擦系数。第二摩擦系数低于第一摩擦系数。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】衬底的背侧摩擦减小相关申请本申请要求于2016年7月21日提交的美国临时申请号62/365,228，于2017年7月14日提交的美国非临时申请号15/650,352的优先权，其中，上述申请中的每一个通过引用以其全部内容并入本文。
技术介绍
半导体工业中的集成电路(IC)的制造通常采用一系列工艺步骤来使特征图案化以在硅衬底上形成IC。迭代的图案化工艺可能会在图案级别之间引入未对准误差，并且可能无法形成IC的用于实现其预期目的的图案化特征。随着IC几何尺寸随时问减小，图案未对准对器件良率和性能的影响越来越大。因此，任何减少图案未对准的技术对IC制造商都是有利的。本文提供的“
技术介绍
”描述是出于总体上呈现本公开的上下文的目的。在该
技术介绍
部分中所描述的范围内，目前指名的专利技术人的工作以及在提交时可能以其他方式算不上常规技术的描述的各个方面既未明确也未隐含地被承认为相对于本公开的常规技术。
技术实现思路
在一个实施方案中，一种处理衬底的方法包括将衬底容纳在衬底处理室中。衬底具有正侧表面和与该正侧表面相反的背侧表面。该方法还包括：在衬底的背侧表面上形成膜层；在衬底的正侧表面上形成光致抗蚀剂层；以及使光致抗蚀剂层显影。该方法还包括从衬底的背侧表面去除膜层。前述段落是通过一般介绍的方式提供的，并且无意于限制所附权利要求书的范围。通过参考以下结合附图进行的详细描述，将最好地理解所描述的实施方案以及另外的优点。附图说明由于本公开及其很多附随的优点通过参考结合附图考虑的下面的详细描述而变得更好理解，所以可以容易地获得对本公开及其很多附随的优点的更全面的理解，在附图中：图1示出了根据一个实施方案的示例性处理系统；图2A示出了根据一个实施方案的被定位在卡盘上的示例性晶片；图2B示出了根据一个实施方案的固定至真空或静电荷卡盘的晶片；图3示出了根据一个实施方案的晶片的纹理化表面；图4示出了根据一个实施方案的平坦地抵靠卡盘固定的晶片；图5A示出了根据一个实施方案的全氟癸基三氯硅烷(PFDS)分子；图5B示出了根据一个实施方案的具有接合至硅表面的PFDS分子的硅晶片；图6A示出了根据一个实施方案的没有进行背侧处理的晶片；图6B示出了根据一个实施方案的具有背侧含氟化学物质涂层的晶片；图6C示出了根据一个实施方案的在施加含氟化学物质涂层之前进行预处理氧蚀刻的晶片；图7示出了根据一个实施方案的处理室的剖视图；图8是根据一个实施方案的示例性计算装置的框图；以及图9是根据一个实施方案的处理衬底的示例性方法的流程图。具体实施方式下面的描述旨在通过给出本公开的特定示例和实施方案来进一步阐明本公开。这些实施方案旨在是说明性的，而不是穷举的。本公开的全部范围不限于说明书中公开的任何特定实施方案，而是由权利要求书限定。为了清楚起见，并未示出和详细描述本文所描述的实现方案的所有特征。将理解的是，在任何这样的实际实现方案的开发中，将做出很多特定于实现方案的决定，以实现开发者的特定目标，例如遵守与应用和业务相关的约束，并且这些特定目标将从一个实现方案到另一个实现方案以及从一个开发者到另一个开发者而有所不同。为了清楚起见，已经给出了本文描述的不同步骤的讨论顺序。通常，这些步骤可以以任何合适的顺序来执行。另外，尽管可以在本公开的不同地方讨论本文中的每个不同特征、技术、配置等，但是旨在每个概念可以彼此独立地或彼此组合地执行。因此，可以以很多不同的方式来实施和查看本公开。本文中的技术包括被配置成在处理期间当衬底或晶片被固定至静电荷或真空卡盘时减小衬底或晶片的背侧摩擦的系统、衬底和方法。背侧摩擦减小可以使衬底能够被齐平地拉向保持器，以减小由背侧表面粗糙度或可能导致衬底的正侧上的图案化或交叠误差的状况引起的正侧变形。当晶片或衬底被定位在等离子体处理设备的平台上时，通过真空卡盘或静电卡盘将晶片或衬底固定至该平台上，以防止在处理期间移动。然而，衬底或特别是较大的晶片通常不是完全平坦的。因此，当衬底或晶片最初定位在平台上时，衬底或晶片最初仅在有限的点处接触卡盘。等离子体处理设备还可以被配置成同时在正侧以及背侧上处理衬底或晶片。本文参考图7给出详细描述。图1示出了示例性处理系统PS。处理系统PS包括多个衬底放置台STa、STb、STc和STd以及多个容器CAa、CAb、CAc和CAd。处理系统PS还包括装载器模块LDM二以及装载锁定室LL1和LL2。处理系统PS还包括多个工艺模块PM1、PM2、PM3和PM4。在处理系统PS中还示出了传送室TC(即，连接部)以及输送机械手Rb1和Rb2。衬底放置台STa至STd沿着装载器模块LDM的一个边缘布置。容器CAa至CAd分别放置在衬底放置台STa至STd上方。工件被容纳在容器CAa至CAd内。输送机械手Rb1设置在装载器模块LDM内部。输送机械手Rb1取出容器CAa至CAd中的任一个中容纳的工件，并将该工件输送至装载锁定室LL1或LL2。装载锁定室LL1和LL2沿着装载器模块LDM的另一边缘设置。装载锁定室LL1和LL2构成了预减压室。装载锁定室LL1和LL2通过相应的闸阀连接至传送室TC的内部。传送室TC是可以调节内侧压力(内部压力)的室。传送室TC包括被配置成执行传送室TC的通风和内部压力调节的排气装置TCP2和压力调节器TCP1。输送机械手Rb2设置在传送室TC内部。工艺模块PM1至PM4中的每一个包括被配置成执行通风和内部压力调节的排气装置和压力调节器。工艺模块PM1至PM4的室通过相应的闸阀连接至传送室TC的内部。传送室TC将工艺模块PM1至PM4的各个室彼此连接。输送机械手Rb2使工件通过传送室TC在工艺模块PM1至PM4中的任何一个与装载锁定室LL1和LL2之间移动。输送机械手Rb2使工件通过传送室TC在任何两个工艺模块PM1至PM4之间移动。在一个实施方案中，工艺模块PM1可以包括被配置成使正侧涂层曝光的膜曝光设备。可以通过掩模对正侧涂层进行图案化，以去除正侧涂层的某些区域，同时保留正侧涂层的其他区域。在一个实施方案中，工艺模块PM2可以被配置成将背侧膜施加至工件诸如晶片或衬底。可以施加背侧膜以减小处理期间工件与卡盘表面之间的摩擦。例如，可以将含氟化学物质膜施加至工件的背侧。可以在工艺模块PM2中通过分子气相沉积或分子液相沉积施加背侧膜。当晶片或衬底被固定至卡盘上时，具有背侧膜的晶片或衬底的弯曲小于没有背侧膜的晶片或衬底的弯曲。在一个实施方案中，工艺模块PM3被配置成使晶片或衬底暴露以用于另外的图案化。例如，使先前施加的光致抗蚀剂层暴露以进行光化辐射。在使光致抗蚀剂层暴露于光化辐射图案之前，在晶片或衬底的背侧表面上形成背侧膜。先前施加的背侧膜有助于以平坦未变形的构造将晶片或衬底固定至卡盘，从而图案化更精确。在一个实施方案中，工艺模块PM4是配置有曝光设备以去除晶片或衬底的先前暴露本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种处理衬底的方法，所述方法包括：/n将所述衬底容纳在衬底处理室中，所述衬底具有正侧表面和与所述正侧表面相反的背侧表面，在形成膜层之前所述衬底的背侧表面具有第一摩擦系数；以及/n在所述衬底的所述背侧表面上形成含氟化学物质膜层，在所述衬底的背侧表面上形成的所述膜层具有第二摩擦系数，所述第二摩擦系数低于所述第一摩擦系数。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171129 US 15/826,0911.一种处理衬底的方法，所述方法包括：
将所述衬底容纳在衬底处理室中，所述衬底具有正侧表面和与所述正侧表面相反的背侧表面，在形成膜层之前所述衬底的背侧表面具有第一摩擦系数；以及
在所述衬底的所述背侧表面上形成含氟化学物质膜层，在所述衬底的背侧表面上形成的所述膜层具有第二摩擦系数，所述第二摩擦系数低于所述第一摩擦系数。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氟化学物质层包含以下中的一者：全氟癸基三氯硅烷、全氟辛基三氯硅烷、全氟七氯硅烷、全氟丁基氯硅烷、全氟辛基三乙氧基硅烷、全氟癸基三乙氧基硅烷、全氟辛基三甲氧基硅烷、全氟癸基三甲氧基硅烷、全氟癸基一氯二甲基硅烷、全氟辛基一氯二甲基硅烷、全氟丁基一氯二甲基硅烷、全氟辛基三乙氧基二甲基硅烷、全氟癸基乙氧基二甲基硅烷、全氟辛基甲氧基二甲基硅烷或全氟癸基甲氧基二甲基硅烷。


3.根据权利要求1所述的方法，其中形成膜层包括：
使所述背侧表面暴露于含氟液体或气体中；以及
使所述正侧表面暴露于保持在比所述含氟气体或液体更高的压力下的气体中。


4.根据权利要求1所述的方法，其中形成膜层包括分子气相沉积或分子液相沉积。


5.根据权利要求1所述的方法，其中去除膜层包括以下中的一者：使所述膜层暴露于含氧气体中；使所述膜层暴露于含氧等离子体中；或使所述膜层暴露于含氧气体以及紫外线的组合中。


6.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述背侧表面上形成膜层之前，使所述背侧表面暴露于化学处理，其中所述化学处理包括水、单原子氧、双原子氧或三原子氧中的一者。


7.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述衬底的背侧表面上形成所述膜层之后，将所述衬底固定至衬底卡盘，其中在所述背侧表面上形成所述膜层之前的所述衬底的第一测量摩擦...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜浩英，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP