一种柔性单晶硅片的生产工艺制造技术

本发明专利技术涉及硅片生产制造领域的一种柔性单晶硅片的生产工艺，包括准备切削液体，对切削液体进行配比，切削液包括石油磺酸钠2‑10重量份，偏硅酸钠2‑5重量份，磷酸钠2‑3重量份，乙二醇3‑5重量份，有机硅消泡剂0.5‑2重量份，石油磺酸钠2‑5重量份，乳化油5‑30重量份以及水20‑30重量份，然后进行混合调制；将该切削液和碳化硅进行配比，配比的比例为1:0.8‑0.85之间，再在反应釜中混合调制，温度为20℃‑25℃之间，加入催化剂持续反应2‑3h，再倒出来进行静置，保持5‑10h；本发明专利技术制造出来的太阳能硅片效率高，而且成本低，同时加工精度较高，有效的避免了对硅片自身的伤害，降低了成本。

【技术实现步骤摘要】
一种柔性单晶硅片的生产工艺
本专利技术涉及硅片生产制造领域，具体而言涉及一种硅片生产工艺。
技术介绍
随着半导体特征尺寸的不断减小，半导体行业对于小型硅片的表面缺陷要求越来越高；半导体行业不仅对硅片正面的缺陷要求越来越高，而且对硅片背面缺陷和边缘缺陷的要求也越来越苛刻；半导体硅片是现代超大规模集成电路的主要衬底材料，一般通过拉晶、切片、倒角、磨片(包括磨削和研磨)、腐蚀、抛光、清洗等工艺过程制造而成的集成电路级半导体硅片。其中倒角后的磨片工艺能使硅片获得较高精度的形状，其加工的精度直接影响到产品的几何参数；所以选择高校精准的加工方法非常重要，这样可以大幅度提高产品的质量及其工作的效率，降低大量的成本。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种柔性单晶硅片的生产工艺，本专利技术制造出来的太阳能硅片效率高，而且成本低，同时加工精度较高，有效的避免了对硅片自身的伤害，降低了成本。一种柔性单晶硅片的生产工艺，包括步骤一：准备切削液体，对切削液体进行配比，切削液包括石油磺酸钠2-10重量份，偏硅酸钠2-5重量份，磷酸钠2-3重量份，乙二醇3-5重量份，有机硅消泡剂0.5-2重量份，石油磺酸钠2-5重量份，乳化油5-30重量份以及水20-30重量份，然后进行混合调制；步骤二：将该切削液和碳化硅进行配比，配比的比例为1:0.8-0.85之间，再在反应釜中混合调制，温度为20℃-25℃之间，加入催化剂持续反应2-3h，再倒出来进行静置，保持5-10h；步骤三：启动硅片砂轮，倒入部分的切削液，配合硅片砂轮分别对硅片的上表面和下表面进行磨削，去除量保持在10-50微米；确保同一表面上的多个所述沟槽之间相互平行，也确保硅片的上表面和下表面之间平行；步骤四：启动切片机，倒入余下的切削液进行循环，配合切片机对硅片进行切割，切割速度控制在508-655m/min，新线进给量控制在200-250m/min，切割线的张力控制在10-22N；步骤五：在进行精磨处理，精磨处理的时候，先对上表面进行处理，再对下表面进行处理，去除量保持在2-5微米；步骤六：双面磨削之后再进行碱蚀，去除量控制在02-0.5微米之间；步骤七：对切割完毕的硅片进行脱胶处理，粗洗的方式采用去离子水喷淋处理，喷淋处理的时间为5-10min，喷淋完毕之后静置5-10min，再次进行二次喷淋，二次喷淋时间为10-15min，喷淋液体的温度控制在60-70℃；步骤八：对硅片进行分片插栏，同时进行喷淋冲洗，再进行高温烘干，烘干温度保持在100℃±10°，烘干时间控制在50+3min；步骤九：检测成品，不合格的取下，然后进行归集，合格的入库保存。进一步的实施例中，为了保证步骤三和步骤四中的工作效率高，工作稳定；所述步骤三中的硅片砂轮的磨削温度控制在20-50℃，所述步骤四中切片机的切削温度控制在20-30℃。进一步的实施例中，为了保证步骤七中的去离子工作稳定，效率高；所述步骤七中，所述去离子水由自来水制成，去离子水先通过石英砂过滤颗粒较粗的杂质；然后高压通过反渗透膜；最后经过紫外杀菌以去除水中的微生物得到最终的去离子水。进一步的实施例中，为了保证步骤四中切割效率高，而且切割效果好；所述步骤四中切片机的切割丝为双向来回切割。进一步的实施例中，为了保证步骤六碱蚀效果好，而且效率高；所述步骤六中采用碱蚀的碱洗温度为50±5℃，碱洗时间为20±5℃；超声频率为50±5Hz。本专利技术的有益效果为，该专利技术制造出来的太阳能硅片效率高，而且成本低，同时加工精度较高，有效的避免了对硅片自身的伤害，降低了成本。本专利技术实际工作时，包括准备切削液体，对切削液体进行配比，切削液包括石油磺酸钠2-10重量份，偏硅酸钠2-5重量份，磷酸钠2-3重量份，乙二醇3-5重量份，有机硅消泡剂0.5-2重量份，石油磺酸钠2-5重量份，乳化油5-30重量份以及水20-30重量份，然后进行混合调制；将该切削液和碳化硅进行配比，配比的比例为1:0.8-0.85之间，再在反应釜中混合调制，温度为20℃-25℃之间，加入催化剂持续反应2-3h，再倒出来进行静置，保持5-10h；启动硅片砂轮，倒入部分的切削液，配合硅片砂轮分别对硅片的上表面和下表面进行磨削，去除量保持在10-50微米；确保同一表面上的多个所述沟槽之间相互平行，也确保硅片的上表面和下表面之间平行；启动切片机，倒入余下的切削液进行循环，配合切片机对硅片进行切割，切割速度控制在508-655m/min，新线进给量控制在200-250m/min，切割线的张力控制在10-22N；在进行精磨处理，精磨处理的时候，先对上表面进行处理，再对下表面进行处理，去除量保持在2-5微米；双面磨削之后再进行碱蚀，去除量控制在02-0.5微米之间；对切割完毕的硅片进行脱胶处理，粗洗的方式采用去离子水喷淋处理，喷淋处理的时间为5-10min，喷淋完毕之后静置5-10min，再次进行二次喷淋，二次喷淋时间为10-15min，喷淋液体的温度控制在60-70℃；对硅片进行分片插栏，同时进行喷淋冲洗，再进行高温烘干，烘干温度保持在100℃±10°，烘干时间控制在50+3min；检测成品，不合格的取下，然后进行归集，合格的入库保存。具体实施方式一种柔性单晶硅片的生产工艺，包括步骤一：准备切削液体，对切削液体进行配比，切削液包括石油磺酸钠2-10重量份，偏硅酸钠2-5重量份，磷酸钠2-3重量份，乙二醇3-5重量份，有机硅消泡剂0.5-2重量份，石油磺酸钠2-5重量份，乳化油5-30重量份以及水20-30重量份，然后进行混合调制；步骤二：将该切削液和碳化硅进行配比，配比的比例为1:0.8-0.85之间，再在反应釜中混合调制，温度为20℃-25℃之间，加入催化剂持续反应2-3h，再倒出来进行静置，保持5-10h；步骤三：启动硅片砂轮，倒入部分的切削液，配合硅片砂轮分别对硅片的上表面和下表面进行磨削，去除量保持在10-50微米；确保同一表面上的多个所述沟槽之间相互平行，也确保硅片的上表面和下表面之间平行；步骤四：启动切片机，倒入余下的切削液进行循环，配合切片机对硅片进行切割，切割速度控制在508-655m/min，新线进给量控制在200-250m/min，切割线的张力控制在10-22N；步骤五：在进行精磨处理，精磨处理的时候，先对上表面进行处理，再对下表面进行处理，去除量保持在2-5微米；步骤六：双面磨削之后再进行碱蚀，去除量控制在02-0.5微米之间；步骤七：对切割完毕的硅片进行脱胶处理，粗洗的方式采用去离子水喷淋处理，喷淋处理的时间为5-10min，喷淋完毕之后静置5-10min，再次进行二次喷淋，二次喷淋时间为10-15min，喷淋液体的温度控制在60-70℃；步骤八：对硅片进行分片插栏，同时进行喷淋冲洗，再进行高温烘干，烘干温度保持在100℃±10°，烘干时间控制在50+3min；步骤九：检测成品，不合格的取下，然后进本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种柔性单晶硅片的生产工艺，包括/n步骤一：准备切削液体，对切削液体进行配比，切削液包括石油磺酸钠2-10重量份，偏硅酸钠2-5重量份，磷酸钠2-3重量份，乙二醇3-5重量份，有机硅消泡剂0.5-2重量份，石油磺酸钠2-5重量份，乳化油5-30重量份以及水20-30重量份，然后进行混合调制；/n步骤二：将该切削液和碳化硅进行配比，配比的比例为1:0.8-0.85之间，再在反应釜中混合调制，温度为20℃-25℃之间，加入催化剂持续反应2-3h，再倒出来进行静置，保持5-10h；/n步骤三：启动硅片砂轮，倒入部分的切削液，配合硅片砂轮分别对硅片的上表面和下表面进行磨削，去除量保持在10-50微米；确保同一表面上的多个所述沟槽之间相互平行，也确保硅片的上表面和下表面之间平行；/n步骤四：启动切片机，倒入余下的切削液进行循环，配合切片机对硅片进行切割，切割速度控制在508-655m/min，新线进给量控制在200-250m/min，切割线的张力控制在10-22N；/n步骤五：在进行精磨处理，精磨处理的时候，先对上表面进行处理，再对下表面进行处理，去除量保持在2-5微米；/n步骤六：双面磨削之后再进行碱蚀，去除量控制在02-0.5微米之间；/n步骤七：对切割完毕的硅片进行脱胶处理，粗洗的方式采用去离子水喷淋处理，喷淋处理的时间为5-10min，喷淋完毕之后静置5-10min，再次进行二次喷淋，二次喷淋时间为10-15min，喷淋液体的温度控制在60-70℃；/n步骤八：对硅片进行分片插栏，同时进行喷淋冲洗，再进行高温烘干，烘干温度保持在100℃±10°，烘干时间控制在50+3min；/n步骤九：检测成品，不合格的取下，然后进行归集，合格的入库保存。/n...

【技术特征摘要】
1.一种柔性单晶硅片的生产工艺，包括
步骤一：准备切削液体，对切削液体进行配比，切削液包括石油磺酸钠2-10重量份，偏硅酸钠2-5重量份，磷酸钠2-3重量份，乙二醇3-5重量份，有机硅消泡剂0.5-2重量份，石油磺酸钠2-5重量份，乳化油5-30重量份以及水20-30重量份，然后进行混合调制；
步骤二：将该切削液和碳化硅进行配比，配比的比例为1:0.8-0.85之间，再在反应釜中混合调制，温度为20℃-25℃之间，加入催化剂持续反应2-3h，再倒出来进行静置，保持5-10h；
步骤三：启动硅片砂轮，倒入部分的切削液，配合硅片砂轮分别对硅片的上表面和下表面进行磨削，去除量保持在10-50微米；确保同一表面上的多个所述沟槽之间相互平行，也确保硅片的上表面和下表面之间平行；
步骤四：启动切片机，倒入余下的切削液进行循环，配合切片机对硅片进行切割，切割速度控制在508-655m/min，新线进给量控制在200-250m/min，切割线的张力控制在10-22N；
步骤五：在进行精磨处理，精磨处理的时候，先对上表面进行处理，再对下表面进行处理，去除量保持在2-5微米；
步骤六：双面磨削之后再进行碱蚀，去除量控制在02-0.5微米之间；
步骤七：对切割完毕的硅片进行脱胶处理，...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐爱阳，
申请(专利权)人：扬州荣兴达光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32