一种控制单晶环状缺陷的生产工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种控制单晶环状缺陷的生产工艺，生产工艺包括以下步骤：a、硅料分检：对硅料进行检测，去除电阻率低于0.5Ω·cm；少子寿命低于2μS，碳含量大于2e17atom/cc的硅料；b、硅料清洗：以氢氟酸与硝酸为原料，配制成硅料清洗液，对硅料进行清洗，之后用纯水进行清洗；c、硅成炉料配制：控制单晶头部掺杂剂的使用量，使其电阻率控制在2.5Ω·cm以上；d、拉晶：在整个拉晶过程，控制导流筒下沿与硅液表面的距离不得低于30mm；e、硅棒冷却。具有操作简便、成本低、见效快等特点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种控制单晶环状缺陷的生产工艺，其特征在于：所述生产工艺包括以下步骤：a、硅料分检：对硅料进行检测，去除电阻率低于0.5Ω·cm；少子寿命低于2μS，碳含量大于2e17atom/cc的硅料；b、硅料清洗：以氢氟酸与硝酸为原料，配制成体积混合比为氢氟酸：硝酸＝1:4～10的硅料清洗液，对硅料进行清洗，清洗完成后进行纯水清洗，将清洗液中酸的残留去除；c、硅成炉料配制：控制单晶头部掺杂剂的使用量，使其电阻率控制在2.5Ω·cm以上；d、拉晶：所述拉晶步骤具体为：1)装料操作，装料过程中，要避免硅料与石墨导流筒的接触，防止碳的混入；2)引颈操作，控制籽晶的转速：6‑9r/min，控制埚转的转速：6‑9r/min，控制坩埚上升速度：0mm/min；3)放肩操作，控制籽晶的转速：6‑9r/min，控制埚转的转速：6‑9r/min，控制坩埚上升速度：0.05‑0.15mm/min；控制放肩速度：0.65‑0.95mm/min；4)转肩操作，控制籽晶转速：6‑9r/min，控制埚转转速：6‑9r/min，控制坩埚上升速度：0.15‑0.2mm/min，控制惰性气体流速：30‑40L/min；5)等径操作，控制籽晶转速：6‑9r/min，控制埚转的转速：6‑9r/min，控制坩埚上升速度：0.15‑0.25mm/min；控制惰性气体流速：30‑40L/min；6)收尾操作，控制籽晶转速：6‑9r/min，控制埚转的转速：6‑9r/min，控制坩埚上升速度：0.15‑0.05mm/min；控制惰性气体流速：30‑40L/min；在整个拉晶过程，控制导流筒下沿与硅液表面的距离不得低于30mm；e、硅棒冷却：拉晶过程结束后，控制籽晶转速：0r/min，控制埚转的转速：6‑9r/min，控制坩埚上升速度：0mm/min，控制惰性气体流量：30‑40L/min，冷却时间为5小时以上。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张浩强，冯立军，闫广宁，曹健民，李永峰，
申请(专利权)人：宁晋松宫电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13