一种区熔单晶硅生产工艺方法及区熔热场技术

本发明专利技术公开了一种区熔单晶硅生产工艺方法及区熔热场，涉及单晶硅生产技术，本发明专利技术实施例提供的区熔热场扩大了加热线圈的内径，使得加热线圈的内径大于或等于30mm，同时在加热线圈的上斜面外设置了至少一级台阶平台，从而改变磁力线的作用，使得直径较大的多晶硅料能够彻底熔化，进而实现拉制直径较大的区熔单晶硅。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及单晶硅生产技术，尤其涉及一种区熔单晶硅生产工艺方法及区熔热场。
技术介绍
目前，进行区熔单晶硅生产的区熔热场通常采用小内径平板鸭嘴型线圈，该加热线圈的截面图如图I所示，包括上斜面101、下斜面102和通水管103，该加热线圈最大能溶化直径80mm左右的多晶棒,生长出的单晶娃直径最大105mm。因此，使用该加热线圈，投料轻，产量低，且不能实现拉制大直径的区熔单晶硅
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种区熔单晶硅生产工艺方法及区熔热场，以实现拉制直径较大的区熔单晶硅。本专利技术实施例提供的一种区熔热场，包括预热环、加热线圈以及保温罩，其中所述加热线圈的上斜面外设置至少一级台阶平台，且所述加热线圈的内径大于或等于30_。进一步，所述加热线圈上斜面外设置两级台阶平台。较佳的，所述加热线圈上斜面外径为60mm，所述加热线圈上斜面外第一级台阶直径为80-85mm,所述加热线圈上斜面外第二级台阶直径为100-110mm。其中，所述加热线圈内径为30-32mm，所述加热线圈外径为220_240mm。进一步，所述预热环的中孔为上大下小的锥形孔。更进一步,所述预热环与所述加热线圈之间的距本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种区熔热场，包括：预热环、加热线圈以及保温罩，其特征在于，其中：所述加热线圈的上斜面外设置至少一级台阶平台，且所述加热线圈的内径大于或等于30mm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：阮光玉，冷先锋，王楠，
申请(专利权)人：北京京运通科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：