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本发明公开了一种区熔单晶硅生产工艺方法及区熔热场，涉及单晶硅生产技术，本发明实施例提供的区熔热场扩大了加热线圈的内径，使得加热线圈的内径大于或等于30mm，同时在加热线圈的上斜面外设置了至少一级台阶平台，从而改变磁力线的作用，使得直径较大的...
该专利属于北京京运通科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京京运通科技股份有限公司授权不得商用。

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