一种新型区熔气掺单晶的掺杂气路制造技术

本发明专利技术创造提供一种新型区熔气掺单晶的掺杂气路，所述掺杂气路管道结构为“π”字型，所述“π”字型掺杂气路中间为一段足够长的L段管道，所述L段管道的一端连通保护气进气口、掺杂气进气口，另一端连通出气口及排气口，所述出气口进入炉膛内部，所述保护气进气口、掺杂气进气口及出气口均设有流量计，所述排气口设有压力阀。本发明专利技术创造提供的新型掺杂气路能够在区熔炉有限的空间内使掺杂气与保护气在入炉前充分均匀混合，改善气掺单晶均匀性、提高掺杂效率。

【技术实现步骤摘要】
一种区熔气掺单晶的掺杂气路
本专利技术创造区熔单晶硅生长
，具体涉及单晶硅区熔炉中一种掺杂气路。
技术介绍
区熔硅单晶制备过程中，掺入一定量的电活性杂质可将高纯度多晶硅原料制成具有一定电学性质的掺杂硅单晶。目前，区熔硅单晶的掺杂方法有多晶沉积法、硅芯掺杂法、溶液涂敷掺杂法、棒孔掺杂法、中子嬗变掺杂法(NTD)和气相掺杂法等。其中，中子嬗变掺杂法，即NTD单晶的电阻率轴向及径向均匀性是最好的，同时加工周期长，价格也十分昂贵。故而，各大厂家考虑到成本问题便转向低成本、电阻率均匀性较低的气相掺杂法制备的硅单晶，以至于目前全球各类区熔硅单晶总量的80％为气相掺杂单晶。由于单晶硅材料的电学性质几乎对所有杂质都非常敏感，且单晶硅生长过程对轴向和平面内的掺杂均匀性都提出了严格的要求，因此掺杂过程中对掺杂工艺的控制是非常重要的，对掺杂工艺的控制也是本领域技术人员不断研究和改善的课题。申请人已经对区熔硅单晶气相掺杂生长工艺进行了大量的研究，设计出了一整套合理的气相掺杂生长工艺，其中包括公开号为CN1455028、CN1763266、CN1865530、CN1865531、CN103114325A本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型区熔气掺单晶的掺杂气路，所述掺杂气路管道结构为“π”字型，所述“π”字型掺杂气路中间为一段足够长的L段管道，所述L段管道的一端连通保护气进气口、掺杂气进气口，另一端连通出气口及排气口，所述出气口进入炉膛内部，所述保护气进气口、掺杂气进气口及出气口均设有流量计，所述排气口设有压力阀。

【技术特征摘要】
1.一种区熔气掺单晶的掺杂气路，所述掺杂气路管道结构为“π”字型，所述“π”字型掺杂气路中间为一段足够长的L段管道，所述L段管道的一端连通保护气进气口、掺杂气进气口，另一端连通出气口及排气口，所述出气口进入炉膛内部，所述保护气进气口、掺杂气进气口及出气口均设有流量计，所述排气口设有压力阀，所述掺杂气进气口位于所述保护气进气口上方，所述出气口位于所述排气口上方。2.根据权利要求1所述的一种区熔气掺单晶的掺杂气路，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：王彦君，张雪囡，韩暐，郝大维，刘琨，骆红磊，边智学，王遵义，
申请(专利权)人：天津市环欧半导体材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12