【技术实现步骤摘要】
本专利技术专利涉及单晶炉
，特别是一种用于单晶炉的导流筒。
技术介绍
单晶炉拉制单晶硅棒时，盛装多晶硅块等原料的石英坩埚放入位于埚托之上的石墨坩埚托内，在保护性气氛中加热融化，调控到工艺温度后，籽晶经导流筒插入溶融多晶硅液中，与坩埚作逆向旋转并向上提升，使多晶硅液按籽晶的硅原子排列顺序结晶凝固成单晶硅棒。目前单晶炉的导流筒的结构为逐渐减小直径的圆筒状结构，起高温气体导流的作用，高温气体为氩气流，在氩气流动过程中，不断的从晶体表面带走热量，因此，氩气流对晶体表面的吹拂对于晶体中的径向和纵向温度分布有着重要的影响，而温度梯度又对晶体中的杂质状况，原生缺陷的形成以及电阻率和氧含量的径向分布，有着密切的关系。另外氩气流过溶硅液面，除了与融硅有对流换热外，还带走挥发的SiO，它在溶硅表面的流动与流速对溶硅表面的流动图样也有一定影响，通过影响熔体中温度与杂质的分布来影响晶体中杂质的引入。但现有的这种结构，因为高温气体在导流筒中流动的速度快，流动阻力小，所以晶体生长过程中固液界面凹向固体的一侧，如果凹陷过大，就会引起径向含氧量、电阻率、原生缺陷的起伏过大，使硅片的响应参数均匀性变差。
技术实现思路
本专利技术的目的是通过设置分散机构来进行导料，防止积料的发生，提高了其的实用性能；而专利技术了一种用于单晶炉的导流筒。为解决上述的技术问题，本专利技术提供了一种用于单晶炉的导流筒，其特征在于...
【技术保护点】
一种用于单晶炉的导流筒，其特征在于：包括上筒体(1)，所述的上筒体(1)为上宽下窄的棱台体，下筒体(5)，所述的下筒体(5)连接在上筒体1的底部，第一导流板(2)，所述的第一导流板(2)倾斜设置在上筒体(1)内，所述的第一导流板(2)的上端连接在上筒体(1)进料口下方的侧壁上，所述的上筒体(1)相对的两侧壁上各连接有一块第一导流板(2)，第二导流板(3)，所述的第二导流板(3)位于第一导流板(2)的下方，所述的第二导流板(3)的下端活动连接在上筒体(1)出料口上方的侧壁上，所述的上筒体(1)相对的两侧壁上各连接有一块第二导流板(3)，所述的两块第二导流板(3)与上筒体(1)之间还各设置有一个角度调节装置，分散机构，所述的分散机构安装在下筒体5内，所述的分散机构活动连接在上筒体1出料口的下方。
【技术特征摘要】
1.一种用于单晶炉的导流筒，其特征在于：包括
上筒体(1)，所述的上筒体(1)为上宽下窄的棱台体，
下筒体(5)，所述的下筒体(5)连接在上筒体1的底部，
第一导流板(2)，所述的第一导流板(2)倾斜设置在上筒体(1)内，所
述的第一导流板(2)的上端连接在上筒体(1)进料口下方的侧壁上，所述的
上筒体(1)相对的两侧壁上各连接有一块第一导流板(2)，
第二导流板(3)，所述的第二导流板(3)位于第一导流板(2)的下方，
所述的第二导流板(3)的下端活动连接在上筒体(1)出料口上方的侧壁上，
所述的上筒体(1)相对的两侧壁上各连接有一块第二导流板(3)，所述的两
块第二导流板(3)与上筒体(1)之间还各设置有一个角度调节装置，
分散机构，所述的分散机构安装在下筒体5内，所述的分散机构活动连接
在上筒体1出料口的下方。
2.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘清跃，王平，
申请(专利权)人：江苏华盛天龙光电设备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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