【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及直拉单晶炉热场
，特别是涉及一种用于直拉单晶炉热场的加热器及使用方法。
技术介绍
直拉单晶炉是在惰性气体(氩气为主)环境中，使用加热器将多晶硅等多晶材料熔化，并采用直拉法生长无位错单晶的设备。加热器是单晶炉热场的核心部件，提供多晶熔化长晶的热能，其结构的设计不仅直接影响着是否能顺利长晶以及单晶的质量，而且作为主要耗材之一，直接影响到单晶的制造成本。硅单晶生长过程中以惰性气体氩气作为保护气体，减压状态下流动的氩气会带走熔硅与石英坩埚反应(见式1)产生的一氧化硅蒸气。加热器的形状通常为圆筒鸟笼状，侧面进行开槽，形成多个叶片。当被带走的一氧化硅蒸气流经加热器时，会与加热器表面(碳)发生反应(见式2和式3)，在不同温度下会形成碳化硅和硅，因此从上至下不同温区的加热器叶片表面呈现出不同的形貌，见图1。部位1从加热器顶端往下，叶片表面黄色碳化硅逐渐增多，部位2叶片表面黄色碳化硅均匀分布，而部位3从加热器叶片中间往下，叶片表面主要是硅和碳化硅的混...
【技术保护点】
一种用于直拉单晶炉热场的加热器，包括加热器主体(5)；其特征是：所述加热器主体(5)可翻转。
【技术特征摘要】
1.一种用于直拉单晶炉热场的加热器，包括加热器主体(5)；其特征是：所述加热
器主体(5)可翻转。
2.根据权利要求1所述的用于直拉单晶炉热场的加热器，其特征是：所述加热器主
体(5)的叶片端面上设置有加热器脚(6)。
3.根据权利要求2所述的用于直拉单晶炉热场的加热器，其特征是：所述加热器主
体(5)的叶片两端均设置有螺纹孔(7)；所述加热器脚(6)上相对于螺纹孔(7)设置
有通孔(10)；
所述加热器脚(6)通过螺钉经通孔(10)和螺纹孔(7)进行固定。
4.根据权利要求3所述的用于直拉单晶炉热场的加热器，其特征是：所述叶片的端
面的螺纹孔(7)的数量为2的整数倍；
所述叶片两端的螺纹孔(7)数量相同。
5.根据权利要求4所述的用于直拉单晶炉热场的加热器，其特征是：所述加热器主
体(5)中设有螺纹孔(7)的叶片的转角部位(8)相对其他叶片的相应转角部位缩进一
定距离；
该一定距离为加热器脚(6)与加热器主体(5)相互连接部位的长度。
6.根据权利要求5所述的用于直拉单晶炉热场的加热器，其特征是：所述螺纹孔(7)
绕加热器主体(5)环形排列；
...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘金平，王伟棱，王飞尧，郑欢欣，
申请(专利权)人：杭州海纳半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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