一种新型单晶炉制造技术

本实用新型专利技术提供了一种新型单晶炉，包括单晶炉体和石墨坩埚，所述单晶炉体由主炉室和设置在主炉室上部的副炉室组成，主炉室的内腔中的固定设置有加热装置和保温层，所述副炉室的内腔与主炉室的内腔相连通，所述石墨坩埚的数量为三个，三个石墨坩埚均匀固定设置在主炉室的内腔的上部空间中，所述加热装置环绕三个石墨坩埚的外围设置，所述保温层环绕加热装置的外围设置，所述副炉室的数量为三个，三个副炉室分别对应设置在三个石墨坩埚的上方，三个副炉室的上端均设置有提拉机构，所述提拉机构均连接有位于副炉室内的提拉绳，所述提拉绳的下端伸入到主炉室内的石墨坩埚的上部。该单晶炉结构简单、生产效率高、能源消极小。

【技术实现步骤摘要】
一种新型单晶炉
本技术涉及单晶材料制备设备领域，具体涉及一种新型单晶炉。
技术介绍
直拉法是目前单晶硅生长所采用的较为普遍的一种方法，直拉法生长单晶硅的方法如下：将高纯度的多晶硅原料放入直拉法单晶炉的石英坩埚内，然后在低真空有流动惰性气体的保护下加热熔化，把一支有着特定生长方向的单晶硅(也叫做籽晶)装入籽晶夹持装置中，并使籽晶与硅溶液接触，调整熔融硅溶液的温度，使其接近熔点温度，然后驱动籽晶自上而下伸入熔融的硅溶液中并旋转，然后缓缓上提籽晶，此时，单晶硅进入锥体部分的生长，当锥体的直径接近目标直径时，提高籽晶的提升速度，使单晶硅体直径不再增大而进入晶体的中部生长阶段，在单晶硅体生长接近结束时，再提高籽晶的提升速度，单晶硅体逐渐脱离熔融硅，形成下锥体而结束生长。用这种方法生长出来的单晶硅，其形状为两段呈锥形的圆柱体，将该圆柱体切片，即得到单晶硅半导体原料，这种圆形单晶硅片就可以作为集成电路或太阳能的材料。直拉法中的单晶硅的拉制一般在单晶炉中进行，目前市面上单晶炉的结构均较为简单，都是一台单晶炉安装一个石墨坩埚，一次只能拉制一根单晶棒，平均运行在三天时间左右，不仅生产效率低下，而且能源消本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型单晶炉，包括单晶炉体（1）和石墨坩埚（2），所述单晶炉体（1）由主炉室（3）和设置在主炉室（3）上部的副炉室（4）组成，主炉室（3）的内腔中的固定设置有加热装置（5）和保温层（6），所述副炉室（4）的内腔与主炉室（3）的内腔相连通，其特征在于，所述石墨坩埚（2）的数量为三个，三个石墨坩埚（2）均匀固定设置在主炉室（3）的内腔的上部空间中，所述加热装置（5）环绕三个石墨坩埚（2）的外围设置，所述保温层（6）环绕加热装置（5）的外围设置，所述副炉室（4）的数量为三个，三个副炉室（4）分别对应设置在三个石墨坩埚（2）的上方，三个副炉室（4）的上端均设置有提拉机构（7），所述提拉机构（7）均连...

【技术特征摘要】
1.一种新型单晶炉，包括单晶炉体（1）和石墨坩埚（2），所述单晶炉体（1）由主炉室（3）和设置在主炉室（3）上部的副炉室（4）组成，主炉室（3）的内腔中的固定设置有加热装置（5）和保温层（6），所述副炉室（4）的内腔与主炉室（3）的内腔相连通，其特征在于，所述石墨坩埚（2）的数量为三个，三个石墨坩埚（2）均匀固定设置在主炉室（3）的内腔的上部空间中，所述加热装置（5）环绕三个石墨坩埚（2）的外围设置，所述保温层（6）环绕加热装置（5）的外围设置，所述副炉室（4）的数量为三个，三个副炉室（4）分别对应设置在三个石墨坩埚（2）的上方，三个副炉室（4）的上端均设置有提拉机构（7），所述提拉机构（7）均连接有位于副炉室（4）内的提拉绳（8），所述提拉绳（8）的下端伸入到主炉室（3）内的石墨坩埚（2）的上部。2.根据权利要求1所述的一种新型单晶炉，其特征在于，所述加热装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：王永辉，
申请(专利权)人：保定爱廸新能源股份有限公司，英利能源中国有限公司，
类型：新型
国别省市：河北,13