一种单晶炉连续拉晶多次加料机构制造技术

本发明专利技术提供了一种单晶炉连续拉晶多次加料机构，其包括平移设备、装料设备与提升设备；装料设备设置于平移设备；提升设备固定设置于装料设备；装料设备设置装料内筒，提升设备设置提升机构，提升机构与装料内筒连接；装料设备设置装料口，装料口与装料内筒连通；装料设备下方设置输出结构，输出结构与装料内筒连通。本发明专利技术实现了单晶体生长过程中的二次加料过程，确保在安全可靠的条件下的二次加料，还利用提升设备，尽可能地减少在二次加料过程中对原料的污染，可以在前面一炉晶体生产完毕后，不降温停炉的情况下，进行第二炉多晶硅原料装料过程，从而有效地降低晶体生长过程中的电能的消耗，节约成本，提升效率。

A single crystal pulling furnace continuous multiple feeding mechanism

The invention provides a single crystal pulling furnace continuous multiple feeding mechanism, which includes translation equipment, charging equipment and lifting equipment; charging equipment is arranged on the moving equipment; lifting equipment fixed on charging equipment; set charging cylinder charging equipment, lifting equipment set lifting mechanism, the lifting mechanism and the charging tube connection; charging charging set equipment port, charging port and charging tube connected; charging device is arranged below the output structure and output structure and the charging tube connected. The invention realizes the two charging process of single crystal growth process, to ensure that the two charging in safe and reliable conditions, using lifting equipment, reducing as far as possible in the two feeding process of raw material pollution, can be in front of a furnace for crystal production after the shutdown temperature does not drop under the second polysilicon raw material charging process, so as to effectively reduce the consumption of electrical energy in the process of crystal growth cost savings, improve efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种单晶炉连续拉晶多次加料机构
本专利技术涉及单晶硅生产，尤其涉及的是，一种单晶炉连续拉晶多次加料机构。
技术介绍
单晶炉是生产太阳能电池板内所使用单晶硅片的主要生产设备。一般按照装料、抽真空、化料、引晶、放肩、等径、收尾、停炉等几个步骤进行生产。单晶硅的生产过程是在真空氩气下，在坩埚内填充固态多晶硅原料后，通过加热使多晶硅原料熔化，通过籽晶的旋转和液体之间的张力，并向上提升来制造单晶体。目前，拉晶基本上采用一次性加料方式，即在加热前一次性地往坩埚内加满多晶硅料，由于硅料的外形尺寸原因，在坩埚内盛放硅料时会造成很大部分的空隙，从而不能充分利用坩埚的有效空间。此外，在固态硅熔化之后坩埚上部还剩余较大的空间。因此，基于上述两种原因，在硅料完全熔化后坩埚上方仍有大量剩余空间，坩埚未得到充分利用，使得坩埚折旧在整个生产过程中所占的比重较大。另外，目前虽有部分厂家已实现了单晶炉的二次加料，但由于二次加料装置多为外部装置或容器式装置，使用过程中需要借助副炉腔内的提升设备来实现提升放料过程，不能达到独立工作，再生产的过程中需要花费一定的人力让二次加料机构和设备进行对接，并需要在人为监控的条件下使其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶炉连续拉晶多次加料机构，其特征在于，包括平移设备、装料设备与提升设备；所述装料设备设置于所述平移设备，所述平移设备用于带动所述装料设备平移；[01]所述提升设备固定设置于所述装料设备；所述装料设备设置装料内筒，所述提升设备设置提升机构，所述提升机构与所述装料内筒连接，用于控制所述装料内筒上下移动；所述装料设备设置装料口，所述装料口与所述装料内筒连通，用于装入多晶硅原料到所述装料内筒；[02]所述装料设备下方设置输出结构，所述输出结构与所述装料内筒连通，所述输出结构用于输出所述多晶硅原料。

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉连续拉晶多次加料机构，其特征在于，包括平移设备、装料设备与提升设备；所述装料设备设置于所述平移设备，所述平移设备用于带动所述装料设备平移；[01]所述提升设备固定设置于所述装料设备；所述装料设备设置装料内筒，所述提升设备设置提升机构，所述提升机构与所述装料内筒连接，用于控制所述装料内筒上下移动；所述装料设备设置装料口，所述装料口与所述装料内筒连通，用于装入多晶硅原料到所述装料内筒；[02]所述装料设备下方设置输出结构，所述输出结构与所述装料内筒连通，所述输出结构用于输出所述多晶硅原料。2.根据权利要求1所述单晶炉连续拉晶多次加料机构，其特征在于，所述装料设备还设置装料外筒，所述装料内筒设置于所述装料外筒内部；所述装料外筒的壁部的内部设置限位机构，所述限位机构用于限制所述装料内筒在所述装料外筒内部的高度位置；所述装料口穿设于所述装料外筒的壁部；所述装料外筒的底部设置所述输出结构。3.根据权利要求2所述单晶炉连续拉晶多次加料机构，其特征在于，所述装料内筒包括锥形阀、石英下筒、石英上筒与石英盖；所述石英盖与所述石英上筒连接，所述石英下筒部分套接于所述石英上筒内部，所述石英下筒设置相连通的筒腔、限位区与输出腔，所述筒腔连通所述石英上筒内部；所述锥形阀至少部分设置于所述输出腔中，所述输出腔的底部连通所述输出结构，所述输出腔的顶部连通所述限位区，所述锥形阀用于在受力时相对于所述限位区上下移动以开关所述限位区使所述筒腔与所述输出腔相通断；所述限位机构用于限制所述石英上筒在所述装料外筒内部的高度位置；所述提升设备还设置提升机支座，所述提升机支座固定设置于所述装料外筒的顶部；所述提升机构包括提升机与石英提升杆；所述提升机固定设置于...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪亚丽，姜树炎，
申请(专利权)人：宝鸡市宏佳有色金属加工有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61