一种钼导流筒及单晶炉制造技术

本实用新型专利技术提供了一种钼导流筒以及包含它的单晶炉，其包括钼内筒、保温层、钼外筒及安装定位环；所述钼内筒与所述钼外筒之间形成密封腔，所述保温层设置于所述密封腔中；所述钼内筒具有光滑内表面；所述钼外筒定位安装于所述安装定位环，用于通过所述安装定位环安装所述钼导流筒。采用上述方案，本实用新型专利技术通过对导流筒加工理念及材料的更换，在单晶硅生长过程中减少石墨材料中杂质对单晶硅棒的污染；改变了现有石墨材质导流筒在韧性上不足的特点，降低因导流筒碎裂、脱落而引起的热场损坏风险；容易加工，提升产品使用寿命；并且能够有效降低导流筒内表面的温度，隔断筒内外温度，为硅单晶的顺利生长提供一定的便利。

【技术实现步骤摘要】
一种钼导流筒及单晶炉
本技术涉及单晶硅生长领域，尤其涉及的是，一种钼导流筒及单晶炉。
技术介绍
单晶硅是集成电路及太阳能电池板等高精尖设备的重要材料，其对硅片中氧含量具有严格的要求，以免所制造的芯片在使用过程发生烧毁等严重事故。在单晶硅生长过程中，氧元素主要来源于多晶原料表面的吸附氧和坩埚，降低熔体中氧元素的浓度是单晶硅生长所面对的首要问题。由于熔体中的氧元素多以SiO形式存在，通过导流筒，将氩气流汇聚至坩埚中央，从而加速SiO的挥发，可大幅降低熔体中氧浓度。同时，汇聚的氩气流可加速晶锭的冷却，增大晶锭轴向温度梯度，提高晶锭生长速率。导流筒是单晶硅生长炉中不可缺少的重要部件，对于单晶硅材料的生长具有非常重要的作用。导流筒的加工工艺、材料选择的好坏对于晶体的生长速度控制和导流筒本身的寿命有很大的关系，导流筒在单晶硅生长过程中不但可以减少炉体上部的氩气流动涡胞，而且可以减少SiO在单晶炉上部的沉积。例如，单晶硅生长炉热场结构如图1所示，包括导流筒10、上保温系统20、坩埚系统30、加热器主体40、中保温系统50、加热器电极60、下保温系统70等组成结构。导流筒主要用于隔断热场内部与外部，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种钼导流筒，其特征在于，其包括钼内筒、保温层、钼外筒及安装定位环；所述钼内筒与所述钼外筒之间形成密封腔，所述保温层设置于所述密封腔中；所述钼内筒具有光滑内表面；所述钼外筒定位安装于所述安装定位环，用于通过所述安装定位环安装所述钼导流筒。

【技术特征摘要】
1.一种钼导流筒，其特征在于，其包括钼内筒、保温层、钼外筒及安装定位环；所述钼内筒与所述钼外筒之间形成密封腔，所述保温层设置于所述密封腔中；所述钼内筒具有光滑内表面；所述钼外筒定位安装于所述安装定位环，用于通过所述安装定位环安装所述钼导流筒。2.根据权利要求1所述钼导流筒，其特征在于，所述钼内筒具有光滑内表面。3.根据权利要求1所述钼导流筒，其特征在于，所述钼外筒采用旋压法制备。4.根据权利要求1所述钼导流筒，其特征在于，所述钼外筒具有光滑外表面。5.根据权利要求1所述钼导流筒，其特征在于，所述安装定...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪亚丽，姜树炎，
申请(专利权)人：宝鸡市宏佳有色金属加工有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西,61