用于直拉法制备单晶硅的籽晶夹持器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于直拉法制备单晶硅的籽晶夹持器，包括夹持器，在所述夹持器的上方设置有籽晶轴联接装置；其特征是：所述夹持器内设置有上下贯通的空腔，所述空腔下方设置有硅籽晶夹持口；所述夹持器的侧壁上设置有至少一个的定位销孔，所述定位销孔依次贯穿夹持器的左侧壁、空腔以及夹持器的右侧壁；相对应于定位销孔的形状，在定位销孔内设置有定位销，所述定位销依次贯穿夹持器左侧的定位销孔、空腔和夹持器右侧的定位销孔；所述夹持器的外侧壁上设置有定位销固定器，所述定位销固定器将定位销与夹持器固定。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种用于直拉法制备单晶硅的籽晶夹持器。
技术介绍
硅单晶作为一种半导体材料，主要用于光伏和半导体领域。大部分的半导体硅单晶采用CZ (Czochralski)直拉法制造。在直拉法制造硅单晶过程中，硅晶体在生长室内生长，生长室包括不锈钢筒、保温内筒、保温外筒、石墨加热器、石英坩埚、石墨坩埚等，生长室内以惰性气体氩气作为保护气体，一般采用如下制造方法将高纯度的多晶硅装入石英坩埚内，加热熔化，然后，将熔硅略做降温，给予一定的过冷度，将一支特定晶向的硅单晶体(称做硅籽晶)装入夹持器中，夹持器的上端通过联接件与籽晶轴连接，硅籽晶固定于夹持器下端，使夹持器在籽晶轴的带动下旋转，并使石英坩埚在石墨中轴的带动下反向旋转，将 硅籽晶慢慢下降，并与硅熔体接触，然后以一定的速度向上提升硅籽晶，此过程的目的主要是消除硅籽晶中因热冲击形成的位错缺陷。待硅籽晶提升到一定长度时，通过调整熔体的温度和硅籽晶向上的提升速度，使硅籽晶长大，当晶体的直径接近目标直径时，提高提升速度，使单晶体近乎等直径生长。在生长过程的尾期，石英坩埚内的硅熔体剩余不多时，提高晶体的提升速度，同时适当增加加热的功率，使晶体渐渐缩本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于直拉法制备单晶硅的籽晶夹持器，包括夹持器（1），在所述夹持器（1）的上方设置有籽晶轴联接装置（11）；其特征是：所述夹持器（1）内设置有上下贯通的空腔（23），所述空腔（23）下方设置有硅籽晶夹持口（22）；所述夹持器（1）的侧壁上设置有至少一个的定位销孔（24），所述定位销孔（24）从左至右依次贯穿夹持器（1）的左侧壁、空腔（23）以及夹持器（1）的右侧壁；相对应于定位销孔（24），在定位销孔（24）内设置有定位销（4），所述定位销（4）依次贯穿夹持器（1）左侧的定位销孔（24）、空腔（23）和夹持器（1）右侧的定位销孔（24）；所述夹持器（1）的外侧壁上设置有定位销固定器，所述定位销固...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：潘金平，王飞尧，吴雄杰，饶伟星，王伟棱，
申请(专利权)人：杭州海纳半导体有限公司，
类型：实用新型
国别省市：