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杭州海纳半导体有限公司专利技术
杭州海纳半导体有限公司共有14项专利
用于直拉单晶炉热场的加热器及使用方法技术
本发明公开了一种用于直拉单晶炉热场的加热器,包括加热器主体(5);所述加热器主体(5)可翻转;所述加热器主体(5)的叶片端面上设置有加热器脚(6);所述加热器主体(5)的叶片两端均设置有螺纹孔(7);所述加热器脚(6)上相对于螺纹孔(7...
保护热场部件减小损耗的热场及方法技术
保护热场部件减小损耗的热场及方法。本发明公开了一种直拉单晶硅生长的热场系统;包括设置在热场外壳内的加热器等;所述热场外壳的下方设置有导流孔,三瓣坩埚通过轴支撑在底盘上,三瓣坩埚的正上方设置导流筒,三瓣坩埚与热场外壳之间依次设置主保温内筒...
调整单晶棒晶向的方法及测量方法技术
本发明公开了一种调整单晶棒晶向的方法;包括如下的步骤:1)通过晶体的种类确定标准晶向;2)确定单晶Y轴方向和单晶X轴方向的晶向;3)将单晶X轴方向与垫条X轴方向平行,并进行单晶棒与垫条粘结;4)根据单晶X轴方向与标准晶向的偏差值进行调整。
一种提高单晶硅棒利用率的加工方法技术
本发明公开了一种提高单晶硅棒利用率的加工方法;包括如下的步骤:首先、切取单晶硅棒中多余的单晶;其次、将切取的单晶通过加工后形成合格的圆形晶锭或者合格的方形晶锭。
直径转变的直拉单晶硅生长方法技术
本发明公开了一种直径转变的直拉单晶硅生长方法;包括如下步骤:A、根据晶棒从头至尾轴向电阻率分布情况以及不同尺寸硅片的电阻率需求情况,设定需要转变的单晶直径大小以及一个开始直径转变的单晶等径长度L;B、进行正常的直拉单晶硅生产,包括熔料、...
用于直拉法制备单晶硅的籽晶夹持器制造技术
本实用新型公开了一种用于直拉法制备单晶硅的籽晶夹持器,包括夹持器,在所述夹持器的上方设置有籽晶轴联接装置;其特征是:所述夹持器内设置有上下贯通的空腔,所述空腔下方设置有硅籽晶夹持口;所述夹持器的侧壁上设置有至少一个的定位销孔,所述定位销...
适用于多线切割机加工时工件装载的夹具制造技术
本实用新型公开了一种适用于多线切割机加工时工件装载的夹具,包括加工工件垫条、不锈钢基板、左固定钢条和右固定钢条;加工工件垫条左侧固定左固定钢条,加工工件垫条右侧固定右固定钢条;左固定钢条上设上下贯通的左固定钢条沉孔;右固定钢条上设上下贯...
用于直拉法制备单晶硅的籽晶夹持器及使用方法技术
本发明公开了一种用于直拉法制备单晶硅的籽晶夹持器,包括夹持器,在所述夹持器的上方设置有籽晶轴联接装置;其特征是:所述夹持器内设置有上下贯通的空腔,所述空腔下方设置有硅籽晶夹持口;所述夹持器的侧壁上设置有至少一个的定位销孔,所述定位销孔依...
适用于多线切割机加工时工件装载的夹具及紧固方法技术
本发明公开了一种适用于多线切割机加工时工件装载的夹具及紧固方法,包括加工工件垫条、不锈钢基板、左固定钢条和右固定钢条;加工工件垫条左侧固定左固定钢条,加工工件垫条右侧固定右固定钢条;左固定钢条上设上下贯通的左固定钢条沉孔;右固定钢条上设...
一种用硅单晶薄片制造晶体管的方法技术
本发明公开了一种用硅单晶薄片制造晶体管的方法,包括如下步骤:1)选用2片轻 掺杂的抛光硅片,每片抛光硅片的正面为抛光面;2)每片硅片均进行N+或P+预扩,然 后在预扩后的抛光硅片的正面设置氧化层;3)使上述2片带有氧化层的抛光硅片正面两...
适用于轻掺及中高阻直拉硅单晶的掺杂装置制造方法及图纸
本实用新型公开了一种适用于轻掺及中高阻直拉硅单晶的掺杂装置,包括上吊杆(1)、下挂架(2)和石英托盘(6);在下挂架(2)的上表面搁置三爪架(3),上吊杆(1)从上至下的贯穿三爪架(3)的中心通孔后与下挂架(2)固定相连,与三爪架(3)...
单晶/多晶硅片的清洗方法技术
本发明公开了一种单晶/多晶硅片的清洗方法,包括以下步骤:硅片先浸入去离子水中在超声波作用下进行粗洗;然后移入无机碱稀溶液中浸泡;接着浸入去离子水中在超声波作用下进行清洗;接着浸入流动的无机碱溶液中,在超声波作用下进行碱洗;接着浸入流动的...
一种双抛片的加工方法技术
本发明公开了一种双抛片的加工方法,包括如下步骤:1)在抛光硅片B正面设置氧化层;2)选用平面大小同抛光硅片B的硅片A,对其进行单面抛光和清洗,抛光后的面为硅片A背面,另一面为硅片A正面;3)将抛光硅片B的正面和硅片A背面两两正对后进行室...
直拉硅单晶的镓元素掺杂方法及所用掺杂装置制造方法及图纸
本发明公开了一种镓元素掺杂装置,包括由高纯石英制成的吊环(2)和环状固定套(3),还包括由高纯单晶硅制成的空心圆锥体(4);环状固定套(3)与空心圆锥体(4)相连,吊环(2)的一端与环状固定套(3)相连,吊环(2)的另一端与柄部(1)相...
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