一种重复多次拉制单晶硅用石英坩埚及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种重复多次拉制单晶硅用石英坩埚及其制造方法，其中石英坩埚内表面1mm深度内的微气泡体积密度（气泡体积/总体积×100%）低于0.0005%；该方法包括在石英坩埚熔制过程中通入氢气、氮气、氦气、氩气或其他惰性气体中的一种气体或几种混合气体，取代石英砂颗粒间残留的空气，对石英玻璃坩埚内表面再熔融精细化处理，去除气泡空乏层中包裹的微气泡，并且能够抑制残留的微气泡在坩埚高温使用过程中的膨胀现象。用此方法制备的石英坩埚能够长时间承受连续高温的特点，足可满足单晶厂家多次投料、拉制单晶的需求。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开，其中石英坩埚内表面1mm深度内的微气泡体积密度（气泡体积/总体积×100%）低于0.0005%；该方法包括在石英坩埚熔制过程中通入氢气、氮气、氦气、氩气或其他惰性气体中的一种气体或几种混合气体，取代石英砂颗粒间残留的空气，对石英玻璃坩埚内表面再熔融精细化处理，去除气泡空乏层中包裹的微气泡，并且能够抑制残留的微气泡在坩埚高温使用过程中的膨胀现象。用此方法制备的石英坩埚能够长时间承受连续高温的特点，足可满足单晶厂家多次投料、拉制单晶的需求。【专利说明】-种重复多次拉制单晶硅用石英坩埚及其制造方法
本专利技术涉及在光伏领域或半导体行业中，能够重复多次用于拉制单晶硅的电弧法 制备的熔融石英坩埚，以及降低石英坩埚气泡空乏层中微气泡含量和抑制微气泡在石英坩 埚使用过程中膨胀的方法。
技术介绍
单晶硅，其广泛应用于半导体器件和太阳能电池，在现有技术中主要通过直拉法 (Czochralski，Cz法）制备。根据直拉法，单晶硅的生长是在晶体提拉炉中进行，将初始原 料多晶硅装填到石英坩埚中，通过环绕石英坩埚的加热器将其熔化。然后将晶种浸入熔融 的硅液中，然后缓慢地向上提拉和相对旋转来完成单晶硅的生长。在此生长过程中，石英坩 埚担任着非常重要的角色，作为承载盛装容器，同时又要承受连续高温和熔融硅液的侵蚀。 在目前现有的技术中，旋转模具真空法是制备石英坩埚的主要制造方法，即将石 英砂在旋转的、具有一定孔洞的模具内表面成型，通过设置在模具内部的电极放电电弧加 热石英砂使其熔化后冷却形成。在制备过程中，从模具的外侧抽真空，从而形成内侧为气泡 空乏层（也称透明层)、外层为气泡复合层（也称气泡层）的这种具有双层复合结构的石英坩 埚。 根据紧密堆积理论，石英砂颗粒之间总是存在一定的空隙(空隙中包含着空气)， 在石英坩埚制造过程中即使抽真空，也无法将所有的空气排尽，这些空气以直径在微米级 的微气泡存在石英坩埚的气泡空乏层中；同时由于石英玻璃即使在1700°c的高温下其黏 度为106dPa*S这一特性，在黏性和惯性的双重作用下，表面部分已经熔化的石英砂会将周 围未熔的石英砂包裹，同时夹杂着石英砂颗粒的之间所包含着的大量的空气，最终导致形 成的石英坩埚内表层具有很高的微气泡含量，这些气泡的直径在微米级，且集中在内表面 1mm深度内。 在单晶硅生长过程中，上述微气泡会在连续高温环境下慢慢膨胀长大，合并，严重 影响石英坩埚的使用时间。尤其是集中在坩埚内表层的微气泡，一旦破裂，会将石英碎片杂 质带入到熔融的硅液中，加剧石英坩埚与熔融硅液的反应程度，严重的将会导致漏硅这样 严重的生产事故。由于石英坩埚为一次性消耗品，单晶硅生长厂家出于成本压力，迫切希望 石英坩埚能够承受更长时间的高温，满足多次拉晶的需求。 同时需要一种降低石英坩埚中气泡空乏层中微气泡含量，抑制微气泡在石英坩埚 使用过程中膨胀，满足多次投料、拉晶需求的石英坩埚制备方法。
技术实现思路
本专利技术涉及一种重复多次拉制单晶硅用石英坩埚，其包括气泡空乏的内层（也称 透明层)和富含气泡的外层(也称气泡层)，该石英坩埚内层气泡空乏层的内表面1_深度内 的微气泡体积密度低于0. 0005%，外层气泡层中气泡体积密度为40%?80%。 本专利技术还涉及制造上述能够重复多次拉制单晶硅使用石英坩埚的方法。 在石英坩埚熔制过程中采用的石墨电极中心有一直径为3?10mm的小孔。 在石英坩埚熔制过程中通入氢气、氮气、氦气、氩气或其他惰性气体中的一种气体 或几种混合气体。 其中，通入混合气体时，混合气中某一种气体的含量为1%?99%。 气体经过石墨电极的中心孔进入到石墨模具的内腔。 通入气体的压力为0· 05?0· 2Mpa，流量为0· 5?4 m3/h。 通入气体开始是在石英砂刮制形成坩埚形状胚体后，开启抽真空之前。 通入气体结束是在关闭抽真空之后。 在石英坩埚制备的不同阶段，调节模具旋转速度、遮热装置与模具外套上口边缘 距离、通入气体的压力及流量、真空泵抽气压力、电极位置和熔制功率，来实现能够重复多 次拉制单晶硅使用的石英坩埚，具体方法步骤如下： (1) 向旋转的模具中供给石英砂原料形成坩埚形状胚体：将模具连同模具外套安装到 旋转轴上，使该模具在电机驱动下围绕该旋转轴以50?120转/分钟的速度旋转，以便将 石英砂良好地压到模具的内壁上；用具有一定尺寸弧度的成型棒将压在模具内壁的石英砂 刮制成所需要的形状。所述的模具装备有能够施加吸气/抽气的通道，这些通过模具外套 的腔室被连接到真空泵；将石英坩埚遮热装置设置于所述模具的上方，所述的石英坩埚遮 热装置可在模具上方上下移动；将石墨电极组可移动地安装在模具上方（电极组的轴线与 旋转轴同轴)，所述的石墨电极组中的石墨电极为中间开有小孔，可在石英坩埚熔制形成阶 段向石英坩埚形状胚体内部空腔通入气体； (2) 形成石英玻璃坩埚：调节模具以70?100转/分钟的速度旋转，遮热装置移动至距 离模具外套上口边缘15?50mm，气体从石墨电极中的小孔以压力为0. 05?0. 2Mpa，流量 为0. 5?4 m3/h进入石英坩埚形状胚体内部空腔，开启与模具外套连接的真空泵并以压力 为-0. 1?-0. 05MPa进行抽气，石墨电极组底部距模具上口 5?20cm起弧，功率为200? 600kW对石英坩埚形状胚体加热使其熔化。持续通入气体1?10分钟后关闭，再以压力 为-0. 03?OMPa进行抽气，遮热装置移动至距离模具外套上口边缘40?80mm，石墨电极组 底部在模具上口以下15cm?模具上口以上10cm位置，功率为400?800kW对石英坩埚形 状胚体继续加热使其熔化成型，持续时间为2?15分钟； (3) 利用电弧熔融使所述石英玻璃坩埚内表面再熔融精细化处理：关闭真空泵，模具以 50?120转/分钟速度旋转，遮热装置移动至距离模具外套上口边缘10?50mm，调节石墨 电极组底部距石英坩埚底部5mm?坩埚直壁部中间位置，功率为450?1200kW，对步骤（2) 所形成的石英坩埚直壁部、底部和R角弯曲部的内表面分别再熔融，使内表面存在的微气 泡进一步减少。其中，分别以使得电极组形成第三功率P3的电弧对直壁部再熔融，持续第 一时间T1，以第四功率P4的电弧对底部再熔融，持续第二时间T2,以第五功率P5的电弧对 R角弯曲部再熔融，持续第三时间T3 ;且满足：T1>T3且T2> T3，P5>P3且P4>P3 ; (4) 自然冷却、出炉步骤：保持上述（3)步骤的1?30分钟后切断电源，自然冷却5? 30分钟后出炉；得到内层气泡空乏层的内表面1mm深度内的微气泡体积密度(气泡体积/ 总体积X 100%)低于0. 0008%，尤其是低于0. 0005%，外层气泡层的气泡体积密度为40%? 80%的重复多次拉制单晶硅使用的石英坩埚。 通过本方法制备的能够重复多次拉制单晶硅使用的石英坩埚，降低了石英坩埚气 泡空乏层中微气泡的含量，尤其是气泡空乏层中内表面1mm深度内的微气泡含量，同时抑 制了这些残留微气泡的膨胀，因此可以防止由于气泡膨胀、破裂而导致的硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种重复多次拉制单晶硅用石英坩埚的制造方法，其中所述的石英坩埚包括气泡空乏的透明内层和富含气泡的外层，所述制造方法包括如下步骤：第一步，向旋转的模具中供给石英砂原料形成坩埚形状胚体的步骤，其具体分为：1）将模具构建成具有能够施加吸气/抽气的通道，使得模具内腔通过这些通道经过模具外套的腔室被连接到真空泵；2）将模具连同模具外套安装到旋转轴上，使该模具在电机驱动下围绕该旋转轴以第一旋转速度旋转，以便将石英砂良好地压到模具的内壁上；3）用具有一定尺寸弧度的成型棒将压在模具内壁的石英砂刮制成所需要的形状；4）将石英坩埚的遮热装置设置于所述模具的上方，所述遮热装置能够在模具上方上下移动；5）将石墨电极组可移动地安装在模具上方，使得所述电极组的轴线与所述的旋转轴同轴；其中，所述的石墨电极组的各石墨电极为中心开有小孔，能够在石英坩埚熔制形成阶段向石英坩埚形状胚体内部空腔通入气体；第二步，石英玻璃坩埚形成步骤，其具体分为：1）使得所述的模具以第二旋转速度旋转，并使得所述的遮热装置移动至距离模具外套上口边缘的第一距离处；2）将气体从石墨电极中的小孔以第一压力、第一流量进入石英坩埚形状胚体的内部空腔；3）开启与模具外套连接的真空泵并以第一抽气压力进行抽气；4）使得石墨电极组位于第一位置起弧，形成第一功率的电弧对石英坩埚形状胚体加热使其熔化；5）持续通入气体第一时间T1后关闭；6）接着以第二抽气压力进行抽气，使得所述的遮热装置移动至距离模具外套上口边缘的第二距离处；7）再使得石墨电极组位于第二位置，形成第二功率的电弧对石英坩埚形状胚体继续加热使其熔化成型，持续第二时间T2；第三步，利用电弧熔融使所述石英玻璃坩埚内表面再熔融精细化处理的步骤，其具体分为：1）关闭真空泵；2）将所述模具以第三旋转速度旋转，使得遮热装置移动至距离模具外套上口边缘的第三距离处；3）将上述的第二步石英玻璃坩埚形成步骤所形成石英坩埚的内表面虚拟地划分为直壁部、底部和R角弯曲部，并分别对各个部分进行再熔融，以使得其各部分的内表面存在的微气泡进一步减少；其具体细分为：3.1）直壁部再熔融步骤：将石墨电极组置于第三位置，以使得电极组形成的第三功率P3的电弧对直壁部再熔融，持续第三时间T3；3.2）底部再熔融步骤：将石墨电极组置于第四位置，以使得电极组形成的第四功率P4的电弧对底部再熔融，持续第四时间T4；3.3）R角弯曲部再熔融步骤：将石墨电极组置于第五位置，以使得电极组形成的第五功率P5的电弧对R角弯曲部再熔融，持续第五时间T5； 其中，所述第三时间、第四时间和第五时间满足：T3>T5且T4> T5，所述第三功率、第四功率和第五功率满足：P5>P3且P4>P3；第四步，自然冷却出炉步骤：其具体分为：1）第三步持续1～30分钟后切断电源，自然冷却5～30分钟后出炉；2）得到外层气泡层的气泡体积密度为40%～80%，内层气泡空乏层气泡体积密度低于0.0008%的石英玻璃坩埚。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱强，向真雄，司继成，
申请(专利权)人：南通路博石英材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32