本发明专利技术涉及一种拉制1.6米单晶棒工艺，将硅熔融液放置在石英坩埚，并使石英坩埚以规定的转速进行旋转，将待拉制1.6米的单晶棒分成若干个长度段：4段30长度段温度-9-1度，单晶棒拉速1.35-1.27，埚升速0.136-0.131；1段60长度段温度为2度，拉速为1.25，埚升速为0.129；3段150长度段温度为2度，拉速1.24-1.2，埚升速0.127-0.122；2段120长度段温度为2度，拉速1.18-1.16，埚升速0.119-0.115；3段100长度段温度为3度，拉速1.14-1.1，埚升速0.111-0.104；3段80长度段温度4-5度，拉速1.08-1.04，埚升速0.1-0.09；4段50长度段温度5-6度，拉速1.02-0.95，埚升速0.086-0.072；长度段单位为mm，拉速、埚升速的速度单位为min/mm。通过本工艺能够有效的提高单晶棒的生产速度，降低生产成本。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种拉制I. 6米单晶棒工艺。
技术介绍
目前，对与单晶棒的拉制有许多种的方法，但是拉制时的参数直接能影响到单晶棒产品的质量。这些参数中主要包括有温度、单晶棒拉速以及石英坩埚的埚升速。如何通过控制该升速来提高单晶棒的拉制质量，仍然存在很大的提升空间。
技术实现思路
本专利技术目的是提供一种拉制I. 6米单晶棒工艺。为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是· 一种拉制I. 6米单晶棒工艺，将硅熔融液放置在石英坩埚，并使石英坩埚以规定的转速进行旋转，将待拉制I. 6米的单晶棒分成若干个长度段4段30_、1段60_、3段150_、2段120mm、3段100mm、3段80mm以及4段50mm，在拉制过程中， 4段30mm长度段的温度从_9度升至I度，单晶棒的拉速从I. 35降至I. 27，埚升速从O. 136 降至 O. 131 ； I段60mm长度段的温度为2度，单晶棒的拉速为I. 25，埚升速为O. 129 ； 3段150_长度段的温度为2度，单晶棒的拉速从I. 24降至I. 2，埚升速从O. 127降至O. 122 ； 2段120mm长度段的温度为2度，单晶棒的拉速从I. 18降至I. 16，埚升速从O. 119降至 O. 115 ； 3段IOOmm长度段的温度为3度，单晶棒的拉速从I. 14降至I. 1，埚升速从O. 111降至O. 104 ； 3段80mm长度段的温度从4度升至5度，单晶棒的拉速从I. 08降至I. 04，埚升速从O. I 降至 O. 09 ； 4段50mm长度段的温度从5度升至6度，单晶棒的拉速从I. 02降至O. 95，埚升速从O. 086 降至 O. 072 ； 所述的拉速、祸升速的速度单位为min/mm。优选地，4段30mm长度段的温度分别为_9度、O度、O度和I度；单晶棒的拉速分别为 I. 35,1. 3,1. 28 和 I. 27，埚升速分别为 O. 136,0. 133,0. 132 和 O. 131。优选地，3段150mm长度段的单晶棒的拉速分别为I. 24、I. 22和I. 2，埚升速分别为 O. 127,0. 124、和 O. 122。优选地，2段120mm长度段的单晶棒的拉速分别为I. 18和I. 16，埚升速分别为O. 119 和 O. 115。优选地，3段IOOmm长度段的单晶棒的拉速分别为I. 14、I. 12和I. I，埚升速分别为 O.111,0.108 和 O. 104。优选地，3段80mm长度段的温度分别为4度、4度和5度；单晶棒的拉速分别为I.08、1· 04 和 I. 04，埚升速分别为 O. 1、0· 095 和 O. 09。优选地，4段50mm长度段的温度分别为5度、5度、5度和6度；单晶棒的拉速分别为 I. 02、1、0· 98 和 O. 95，埚升速分别为 O. 086、0. 081、0. 077、0· 072。 由于上述技术方案运用，本专利技术与现有技术相比具有下列优点和效果通过本工艺能够有效的提高单晶棒的生产速度，降低生产成本。具体实施例方式下面结合实施例对本专利技术作进一步描述 一种拉制I. 6米单晶棒工艺，将硅熔融液放置在石英坩埚，并使石英坩埚以规定的转速进行旋转，将待拉制I. 6米的单晶棒分成若干个长度段4段30mm、I段60mm、3段150mm、2段120mm、3段100mm、3段80mm以及4段50mm，在拉制过程中参照表一，控制各个长度段的温度、单晶棒拉速以及埚升速权利要求1.一种拉制I. 6米单晶棒工艺，将硅熔融液放置在石英坩埚，并使石英坩埚以规定的转速进行旋转，将待拉制I. 6米的单晶棒分成若干个长度段4段30mm、I段60mm、3段150mm、2段120mm、3段100_、3段80mm以及4段50_，其特征在于在拉制过程中， 4段30mm长度段的温度从_9度升至I度，单晶棒的拉速从I. 35降至I. 27，埚升速从O. 136 降至 O. 131 ； I段60mm长度段的温度为2度，单晶棒的拉速为I. 25，埚升速为O. 129 ； 3段150_长度段的温度为2度，单晶棒的拉速从I. 24降至I. 2，埚升速从O. 127降至O. 122 ； 2段120mm长度段的温度为2度，单晶棒的拉速从I. 18降至I. 16，埚升速从O. 119降至 O. 115 ； 3段IOOmm长度段的温度为3度，单晶棒的拉速从I. 14降至I. 1，埚升速从O. 111降至O. 104 ； 3段80mm长度段的温度从4度升至5度，单晶棒的拉速从I. 08降至I. 04，埚升速从O. I 降至 O. 09 ； 4段50mm长度段的温度从5度升至6度，单晶棒的拉速从I. 02降至O. 95，埚升速从O. 086 降至 O. 072 ； 所述的拉速、祸升速的速度单位为min/mm。2.根据权利要求I所述的拉制I.6米单晶棒工艺，其特征在于4段30_长度段的温度分别为-9度、O度、O度和I度；单晶棒的拉速分别为I. 35、I. 3、I. 28和I. 27，埚升速分别为 O. 136,0. 133,0. 132 和 O. 131。3.根据权利要求I所述的拉制I.6米单晶棒工艺，其特征在于3段150mm长度段的单晶棒的拉速分别为I. 24、I. 22和I. 2，埚升速分别为O. 127,0. 124、和O. 122。4.根据权利要求I所述的拉制I.6米单晶棒工艺，其特征在于2段120mm长度段的单晶棒的拉速分别为I. 18和I. 16，埚升速分别为O. 119和O. 115。5.根据权利要求I所述的拉制I.6米单晶棒工艺，其特征在于3段IOOmm长度段的单晶棒的拉速分别为I. 14、I. 12和I. 1，埚升速分别为O. 111,0. 108和O. 104。6.根据权利要求I所述的拉制I.6米单晶棒工艺，其特征在于3段80mm长度段的温度分别为4度、4度和5度；单晶棒的拉速分别为I. 08、I. 04和I. 04，埚升速分别为O. I、O. 095 和 O. 09。7.根据权利要求I所述的拉制I.6米单晶棒工艺，其特征在于4段50_长度段的温度分别为5度、5度、5度和6度；单晶棒的拉速分别为I. 02、I、0. 98和O. 95，埚升速分别为O. 086,0. 081,0. 077 和 O. 072。全文摘要本专利技术涉及一种拉制1.6米单晶棒工艺，将硅熔融液放置在石英坩埚，并使石英坩埚以规定的转速进行旋转，将待拉制1.6米的单晶棒分成若干个长度段4段30长度段温度-9-1度，单晶棒拉速1.35-1.27，埚升速0.136-0.131；1段60长度段温度为2度，拉速为1.25，埚升速为0.129；3段150长度段温度为2度，拉速1.24-1.2，埚升速0.127-0.122；2段120长度段温度为2度，拉速1.18-1.16，埚升速0.119-0.115；3段100长度段温度为3度，拉速1.14-1.1，埚升速0.111-0.104；3段80长度段温度4-5度，拉速1.08-1.04，埚升速0.1-0.09；4段50长度段温度5-6度，拉速1.02-0.95，埚升速0.086-0.072；长度段单位为mm，本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种拉制1.6米单晶棒工艺，将硅熔融液放置在石英坩埚，并使石英坩埚以规定的转速进行旋转，将待拉制1.6米的单晶棒分成若干个长度段：4段30mm、1段60mm、3段150mm、2段120mm、3段100mm、3段80mm以及4段50mm，其特征在于：在拉制过程中，4段30mm长度段的温度从？9度升至1度，单晶棒的拉速从1.35降至1.27，埚升速从0.136降至0.131；1段60mm长度段的温度为2度，单晶棒的拉速为1.25，埚升速为0.129；3段150mm长度段的温度为2度，单晶棒的拉速从1.24降至1.2，埚升速从0.127降至0.122；2段120mm长度段的温度为2度，单晶棒的拉速从1.18降至1.16，埚升速从0.119降至0.115；3段100mm长度段的温度为3度，单晶棒的拉速从1.14降至1.1，埚升速从0.111降至0.104；3段80mm长度段的温度从4度升至5度，单晶棒的拉速从1.08降至1.04，埚升速从0.1降至0.09；4段50mm长度段的温度从5度升至6度，单晶棒的拉速从1.02降至0.95，埚升速从0.086降至0.072；所述的拉速、埚升速的速度单位为min/mm。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈春成，戚建静，
申请(专利权)人：苏州东泰太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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