一种直拉单晶导流筒制造技术

本申请公开了一种直拉单晶导流筒，设置于晶棒的外侧，包括汇集气流的上端口和流出气流的下端口，所述导流筒的下部为从上向下直径渐缩的形状，且所述下端口所处的位置高于所述晶棒的固液界面所处的位置。本申请提供的上述直拉单晶导流筒，能够更好的将杂质带走，促进单晶棒的无断棱无位错生长，同时加强对晶棒的冷却，提高温度梯度，增加拉晶速度，提高产量。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光伏
，更具体地说，涉及一种直拉单晶导流筒。
技术介绍
在利用直拉单晶炉生产单晶棒时，需要通入氩气作为保护气体，防止炉内各类部件以及单晶硅棒的氧化，也能带走固液界面处的杂质，有利于无位错单晶的生长，同时较低温度的氩气也能起到冷却晶棒的作用，提高温度梯度，增加晶棒生长速度。氩气进入单晶炉筒后，通过导流筒，经过晶棒的表面，吹过液面，最终通过单晶炉的抽气系统排到单晶炉的外部。其中，导流筒主要有上端口和下端口，在气流进入导流筒上端口后经过导流进入下端口并排出。然而，现有技术中的导流筒的下端口的内壁为直线状，气流经过直线状的内壁后直接被抽气系统抽走，导致对晶棒的冷却和带走杂质效果不佳。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术提供了一种直拉单晶导流筒，能够更好的将杂质带走，促进单晶棒的无断棱无位错生长，同时加强对晶棒的冷却，提高温度梯度，增加拉晶速度，提高产量。本技术提供的直拉单晶导流筒设置于晶棒的外侧，包括汇集气流的上端口和流出气流的下端口，所述导流筒的下部为从上向下直径渐缩的形状，且所述下端口所处的位置高于固液界面所处的位置。优选的，在上述直拉单晶导流筒中，所述导流筒的下部为弧形或平面。优选的，在上述直拉单晶导流筒中，所述导流筒的下部为流线型形状。优选的，在上述直拉单晶导流筒中，所述下端口与所述晶棒之间的距离的范围为：10毫米至50毫米。优选的，在上述直拉单晶导流筒中，所述下端口的直径的范围为：100毫米至400毫米。优选的，在上述直拉单晶导流筒中，所述导流筒的整体为从上向下直径渐缩的形状。优选的，在上述直拉单晶导流筒中，所述上端口与所述晶棒之间的距离的范围为：300毫米至800毫米。从上述技术方案可以看出，本技术所提供的上述直拉单晶导流筒，由于所述导流筒的下部为从上向下直径渐缩的形状，且所述下端口所处的位置高于固液界面所处的位置，使得气流方向朝向内侧的晶棒，防止了被外侧的抽气系统直接抽走，使气流吹向固液界面，从而能够更好的将杂质带走，促进单晶棒的无断棱无位错生长，同时加强对晶棒的冷却，提高温度梯度，增加拉晶速度，提高产量。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的直拉单晶导流筒的示意图。【具体实施方式】本技术的核心思想在于提供一种直拉单晶导流筒，能够更好的将杂质带走，促进单晶棒的无断棱无位错生长，同时加强对晶棒的冷却，提高温度梯度，增加拉晶速度，提尚广量。下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本申请实施例提供的直拉单晶导流筒如图1所示，图1为本申请实施例提供的直拉单晶导流筒的示意图。该直拉单晶导流筒102设置于晶棒101的外侧，在生产直拉单晶棒时，需要通入氩气作为保护气体，防止炉内各类部件以及单晶硅棒的氧化，也能带走固液结晶界面处的杂质，有利于无位错单晶的生长，同时较低温度的氩气起到了冷却晶棒的作用，提高温度梯度，增加晶棒的生长速度，因此直拉单晶导流筒设置于晶棒的外侧，氩气进入单晶炉筒后，通过导流筒，经过晶棒的表面，吹过液面，最终通过单晶炉的抽气系统排出单晶炉外；该直拉单晶导流筒102包括汇集气流的上端口和流出气流的下端口，一般而言，上端口的直径设置成一个较大的值，这样就有利于汇入气流，而下端口的直径设置成一个较小的值，这样就有利于聚集气流；所述导流筒102的下部为从上向下直径渐缩的形状，在气流进入导流筒102上端口后经过导流，进入下端口，在这种情况下，导流筒102下部为弯向晶棒的弧形面，气流经过时会被改变方向，吹向晶棒表面，且能增加气流的流速，可以加大冷却晶棒，相对于现有技术中的导流筒的下部内壁为直线状、气流经过直线面后直接被抽气系统抽走，不能很好的起到冷却晶棒作用的情况相比，本申请实施例提供的直拉单晶导流筒能够提高温度梯度，增加拉晶速度，提高产量；为了将杂质尽可能多的带走，将所述下端口所处的位置设置成高于固液界面所处的位置，在这种情况下，气流经过晶棒表面后，在惯性作用下，再顺流而下经过固液结晶界面被抽气系统抽走，此导流筒可更好的将固液界面处的杂质带走，促进单晶棒的无断棱无位错生长，提高直拉单晶一次整棒率。从上述技术方案可以看出，本申请实施例所提供的上述直拉单晶导流筒，由于所述导流筒的下部为从上向下直径渐缩的形状，且所述下端口的位置设置成高于固液界面所处的位置，使得气流方向朝向内侧的晶棒，防止了被外侧的抽气系统直接抽走，使气流吹向固液界面，从而能够更好的将杂质带走，促进单晶棒的无断棱无位错生长，提高直拉单晶一次整棒率，同时加强对晶棒的冷却，提高温度梯度，增加拉晶速度，提高产量。进一步的，在上述直拉单晶导流筒中，所述导流筒的下部可以为弧形或平面，当导流筒的下部为弧形时，形成一个较为平缓的气流通道，利用气流的流动，当导流筒的下部为平面时，气流无阻碍的直接流到下端口，流动也较为容易。进一步的，在上述直拉单晶导流筒中，所述导流筒的下部为流线型形状，这种流线型的形状更符合工程学原理，使气流的流通更容易。可选的，在上述直拉单晶导流筒中，所述下端口与所述晶棒之间的距离的范围为：10毫米至50毫米，所述下端口的直径的范围为：100毫米至400毫米，所述距离和所述直径相互配合，能够使得气流更好的流向固液界面处，从而更好的带走固液界面处的杂质，利于生长的晶棒的质量的提高。作为一个优选方案，在上述直拉单晶导流筒中，所述导流筒的整体为从上向下直径渐缩的形状，这样导流筒的上端口可以设置成更大的直径，更好的导入气流，而导流筒的下端口可以设置成更小的直径，从而提高气流速度，更好的带走杂质，并取得更好的晶棒冷却效果。另外，在上述实施例提供的直拉单晶导流筒中，所述上端口与所述晶棒之间的距离的范围可选为：300毫米至800毫米。需要说明的是，这是建立在上端口的直径大于下端口的直径基础上的，根据实际情况选择上端口和下端口的直径，这里提供的300毫米至800毫米的直径范围均可以作为上端口直径，取得优良的晶棒冷却效果和杂质去除效果。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本技术。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本技术将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。【主权项】1.一种直拉单晶导流筒，设置于晶棒的外侧，包括汇集气流的上端口和流出气流的下端口，其特征在于，所述导流筒的下部为从上向下直径渐缩的形状，且所述下端口所处的位置高于所述晶棒的固液界面所处的位置。2.根据权利要求1所述的直拉单晶导流本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种直拉单晶导流筒，设置于晶棒的外侧，包括汇集气流的上端口和流出气流的下端口，其特征在于，所述导流筒的下部为从上向下直径渐缩的形状，且所述下端口所处的位置高于所述晶棒的固液界面所处的位置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，李林东，罗才军，陈林军，肖贵云，金浩，
申请(专利权)人：晶科能源有限公司，浙江晶科能源有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36