【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开，其装置包含括支撑架(2)、与支撑架滑竿相嵌套的滑动装置(1)、与支撑架(2)和滑动装置相连的掺杂容器(3)、用于连接的连接绳或连接杆(4)。同时本专利技术还公开掺杂装置的使用方法，能够实现直拉单晶硅生长的准确快速掺杂。【专利说明】—种直拉单晶硅的掺杂装置及使用方法
本专利技术属于半导体晶体生长领域，特别涉及一种直拉硅单晶的掺杂方法及掺杂装置，能够实现直拉单晶硅准确快速掺杂。
技术介绍
直拉单晶硅生长方法又称切克劳斯基(Czochralski)法，简称CZ法是目前半导体单晶硅的主要生长技术，超过98%的电子元件材料全部使用单晶硅。其中用CZ法占了约85 %。直拉单晶硅技术主要是将多晶硅放入石英坩埚中，在单晶炉热场内加热融化，并采取合适掺杂，利用籽晶及温度控制从熔体中提拉生长晶体的一种方法。由于半导体器件的种类繁多，用途差异性很大，因此对单晶硅电阻率的要求有着很大的差异，如何准确控制掺杂是半导体单晶硅生产实际中面临的难点和重点。 目前主要的掺杂方法分为两类，一类为共熔法，另一类为投入法。共熔法是指将掺杂物与多晶料一...
【技术保护点】
一种直拉单晶硅的掺杂装置，包括：支撑架(2)、与支撑架滑竿相嵌套的滑动装置(1)、与支撑架和滑动装置相连的掺杂容器(3)、用于连接的连接绳或连接杆(4)；其特征在于：所述支撑架设有支撑面板(2.1)，支撑面板(2.1)边缘下方设有3根与支撑面板(2.1)固定相连支撑杆(2‑3)，支撑面板(2.1)中部下方设有2根有下限位的垂直滑竿(2‑2)，垂直滑竿(2‑2)与支撑面板(2.1)以螺纹连接方式固定，支撑面板(2‑1)中部设有第一通孔(2‑4)；所述滑动装置(1)设有悬挂杆(1‑1)，悬挂杆(1‑1)通过支撑架通孔(2‑4)贯穿支撑面板(2‑1)，悬挂杆(1‑1)上部设有锲型...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙新利，
申请(专利权)人：浙江长兴众成电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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