【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体硅片制造加工领域，涉及一种适用于半导体硅片热处理工艺的快速退火装置。
技术介绍
直拉硅单晶是将多晶硅放置在高纯石英坩埚中高温熔化，因为高纯坩埚直接与熔硅接触并且处于1450摄氏度以上的高温，高温下Si02会与熔硅反应生长SiO，并部分溶于熔硅中，随着晶体生长进入晶体内部，形成硅中氧。同时，直接硅单晶的生长是从高温熔体中缓慢凝固生长出来，晶体生长的驱动力主要来自于温度梯度形成的过冷度，因此在晶体的生长、冷却过程中需要经过一段热历史。硅中的氧杂质在低温热处理时，能产生施主效应，使得η型硅晶体的电阻率下降，P型硅晶 体的电阻率上升，施主效应严重时，能使P型硅晶体转化为η型，这是氧的施主效应。氧的施主效应可以分为两种情况，有不同的性质，一种是在35(T500°C左右范围生成的，称为热施主；一种是在55(T800°C左右温度范围形成的，称为新施主。直接硅单晶在拉制到出炉经历了一段热历史，不可避免的在35(T500°C形成了热施主。一般认为，450°C是硅中热施主形成的最有效温度，除了退火温度，硅中的初始氧浓度对热施主的形成速率和浓度有最大影响，初始氧浓...
【技术保护点】
一种用于半导体硅片快速退火的装置，其特征在于：包括承接热处理炉（1）出来半导体硅片（2）的支撑支架（4），与支撑支架（4）固定相连的移动滑板（5），与移动滑板（5）配合的滑动导轨（6），该装置还包括一设于滑动导轨上的接触式开关（8）及受该接触式开关控制开关的冷却风扇（7），当半导体硅片随移动滑板移动到处于冷却风扇风流中部位置时，接触式开关控制冷却风扇开启。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙新利，万喜增，蒋伟达，郑六奎，
申请(专利权)人：浙江长兴众成电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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