【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及宽禁带半导体材料——氧化锌衬底基片，特别是一种。
技术介绍
ZnO材料是一种直接带隙的宽禁带半导体材料，具有许多优异的性能，是一种具有发光、电光、闪烁、半导体等性能的多功能晶体，越来越显示出其重要的研究价值和潜在的应用价值。利用ZnO半导体材料制作实用化光电子器件的时代即将来临，它将带来不可限量的产业化应用前景。ZnO晶体也是优良的ZnO、GaN外延薄膜和器件的关键基片材料，其晶体质量——单晶完整性直接影响外延薄膜和器件的质量和应用。目前使用的ZnO单晶基片存在下列问题=1.存在较多小角晶界，2.应力分布不均匀。3.晶片衍射峰存在双峰或 多峰，同时半高宽太宽，影响外延薄膜的质量。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种，该方法可以改善ZnO晶片的小角晶界、镶嵌结构，改进ZnO基片的单晶完整性，同时消除ZnO晶片中的应力，满足ZnO薄膜外延的衬底需求。本专利技术的技术方案是一种，其特点在于该方法包括下列步骤①将氧化锌晶体切割成所需大小的片状，细磨处理，使表面无刀痕，称为氧化锌研磨片；②在钼金坩锅底部垫纯度为99. 9 % 99. 999 %的ZnO粉末...
【技术保护点】
一种改进氧化锌单晶质量的处理方法，其特征在于该方法包括下列步骤：①将氧化锌晶体切割成所需大小的片状，细磨处理，使表面无刀痕，称为氧化锌研磨片；②在铂金坩锅底部垫纯度为99.9％～99.999％的ZnO粉末，粉末颗粒度为20~80μm，将所述的氧化锌研磨片平放在所述的ZnO粉末上；该铂金坩锅用烧结的氧化锌陶瓷板盖严，该氧化锌陶瓷板的纯度为99.9％～99.999％，厚度5～10mm；然后将所述的铂金坩锅放置在箱式马弗炉中进行退火；③退火过程：以5～10℃/min的速率升温至1100～1300℃，恒温180～300min，然后以5～10℃/min的速率降温至200～300℃，再...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈光珠，杭寅，陈喆，张连翰，何明珠，王军，宁凯杰，张沛雄，王向水，
申请(专利权)人：中国科学院上海光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：
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