正压冷却工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种正压冷却工艺，包括停炉1小时，向炉体充入氮气，冷却1小时；关闭主室球阀、停止主室泵，打开真空过滤罐放气，炉体继续充入氮气，接近大气压时，打开主室球阀，使真空过滤罐进行放气；4小时后，关闭氮气，完成冷却。还可以停炉2小时，向炉体充入氮气；关闭主室球阀、停止主室泵，打开真空过滤罐放气，炉体继续充入氮气，接近大气压时，打开副室炉筒导泄阀放气，有放气效应后，打开主室球阀导气至真空过滤罐放气，关闭副室炉筒导泄阀；6小时后，关闭氮气，完成冷却。本发明专利技术克服了现有技术中采用真空泵将炉体抽至真空后，对产品进行冷却，减少了设备的使用量；同时，采用氮气进行冷却，降低了气体使用的成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏工艺
，特别是涉及一种正压冷却工艺。
技术介绍
在现有技术中，对单晶硅棒进行冷却时，采用如下的冷却方式如图I所示，炉体I连接真空过滤罐2，真空过滤罐2与真空泵3相连接。在冷却时，向炉体I内不断的冲入氩气，同时,真空泵3正果真空过滤罐2将炉体I内不断的抽至真空，气体从真空泵3排气。这样的工作方法具有以下缺点首先，真空泵始终处于工作状态，使设备的折旧率增加，降低设备的使用寿命；其次，使用氩气作为冷却气体，氩气的成本较高，也增加了整体的使用成本。
技术实现思路
本专利技术目的是提供一种正压冷却工艺。为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是 一种正压冷却工艺，加工时，单晶硅棒放置在炉体内，向炉体内部不间断的充入氩气，炉体内的产品处于高温半熔体状态，冷却时，按以下步骤进行 (1)、停炉I小时，关闭氩气向炉体内充入氮气，冷却I小时； (2)、关闭炉体主室球阀、停止炉体主室泵，打开与炉体相连接的真空过滤罐的阀柱进行放气，使炉体内的压力达到常压，同时继续向炉体内充入氮气，使炉体内始终处于正压环境下，接近大气压时，打开炉体主室球阀，使真空过滤罐进行自然放气； (3 )本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种正压冷却工艺，加工时，单晶硅棒放置在炉体内，向炉体内部不间断的充入氩气，炉体内的产品处于高温半熔体状态，其特征在于：冷却时，按以下步骤进行：（1）、停炉1小时，关闭氩气向炉体内充入氮气，冷却1小时；（2）、关闭炉体主室球阀、停止炉体主室泵，打开与炉体相连接的真空过滤罐的阀柱进行放气，使炉体内的压力达到常压，同时继续向炉体内充入氮气，使炉体内始终处于正压环境下，接近大气压时，打开炉体主室球阀，使真空过滤罐进行自然放气；（3）、4小时后，关闭氮气，完成冷却。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈春成，戚建静，
申请(专利权)人：苏州东泰太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：