多线硅片切割工艺制造技术

技术编号:8295300 阅读:248 留言:0更新日期:2013-02-06 18:59
本发明专利技术涉及一种多线硅片切割工艺,所述的工艺包括以下步骤:碳化硅微粉的选择:选择粒度为2000的碳化硅微粉;砂浆配置:将切削液和碳化硅微粉按照1:0.92~1:1.1的质量比进行配比,使砂浆密度到1.600~1.615;切割:使用直径为6.5英寸的钢线94km,以500~647m/min的速度进行钢线的往复运动;完成对硅片的切割。本发明专利技术将粒度为2000的规格的砂在整条切割工艺上通用,从φ150mm、φ165mm、φ200mm的单晶及φ200mm多晶切割上成熟使用,既缩短了切割时间,也很大程度上降低了成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多线硅片切割工艺
技术介绍
目前国内整个市场中,线切硅片工艺所用碳化硅微粉规格分别为单晶切割为粒度为1200、1500的规格为主,很少有厂家使用粒度为2000的规格,而且基本上都在切割直径为6. 5”的单晶硅棒。在多晶硅棒方面,各厂基本上(几乎)全部使用粒度为1200的碳化硅微粉。原因是粒度越细的碳化硅微粉的切割力越差,尤其是切割相对单晶较硬,杂质较多的多晶硅棒来说,粒度为2000的规格的砂似乎已成为切割多晶硅棒的一款零使用产品。在线切成本中占最大份额的辅材上砂(碳化硅)、线(切割线)、切割液三大辅材中, 行内在砂浆的密度方面通用I. 625 I. 670左右,在砂浆配比必烈上1:0. 92 1:1. I的范围切割线使用量上Φ6. 5”在IlOkm 135km (双向切割)单向切割为230km Φ8”在180km 240km 范围。
技术实现思路
本专利技术目的是提供一种多线硅片切割工艺。为达到上述目的,本专利技术采用的技术方案是 一种多线硅片切割工艺,所述的工艺包括以下步骤 (1)、碳化硅微粉的选择选择粒度为2000的碳化硅微粉; (2)、砂浆配置将切削液本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多线硅片切割工艺,其特征在于:所述的工艺包括以下步骤:(1)、碳化硅微粉的选择:选择粒度为2000的碳化硅微粉;(2)、砂浆配置:将切削液和碳化硅微粉按照1:0.92~1:1.1的质量比进行配比,使砂浆密度到1.600~1.615,混合后对其进行,搅拌时间为8~10小时;?(3)、切割:使用直径为6.5英寸的钢线94km,以500~647m/min的速度进行钢线的往复运动;(4)、完成对硅片的切割。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈春成毛红军
申请(专利权)人:苏州东泰太阳能科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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