一种用于多线切割硅片清洗过程中的真空烘干装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种用于多线切割硅片清洗过程中的真空烘干装置，属于硅片制备装置领域，其包括，密闭的箱体，箱体与用于抽真空的真空管相连通；在箱体内还设置有用于放置硅片的输送装置，箱体与输送装置相对应的两个侧面板上分别开有进料口和出料口，在进料口和出料口处对应配装有进料门与出料门；在输送装置与硅晶花篮相接触的位置处还设有用以温热硅片的辅热板，使用真空泵降低环境压力去除水分，避免硅片表面造成沾污，输送装置与进、出料口衔接一致，自动将承载有多个硅片的花篮输送进箱体，设备的自动化程度高，加入有一辅热板，通过辅热设备来调节内部温度，保证在取出硅片时温度大于或等于室外的露点温度，不会出现表面结露的现象。

【技术实现步骤摘要】
一种用于多线切割硅片清洗过程中的真空烘干装置
本装置属于硅片制备装置领域，特别涉及一种用于多线切割硅片清洗过程中的真空烘干装置。
技术介绍
在电子、光伏等行业领域中硅片是最重要的基础材料。单晶硅制作完成后一般为圆棒状，需要使用线切割机进行切片处理，而线切片机在切片处理过程中，必须注入砂浆液(SiC、切削液的混合溶液)，在切片处理后，为整齐排列的薄片，然后需将硅片进行清洁处理，现有技术中一般用清洁液将硅片进行清洗，然后叠在甩干机中进行甩干，甩干机一般是利用甩桶高速旋转，充分接触空气使之干燥，或者置于烘干机中，使用加热片进行高温干燥。 其中，甩干机进行高速甩干的过程中，由于水滴高速飞行有一定概率在硅片表面产生水痕，烘干机进行高温干燥的过程中，由于与空气充分接触，在烘干的过程中会使硅片的下边缘有残存的水印，耗时较长，硅片表面沾污严重，公知的干燥做法，忽略了在烘干过程中环境对娃片的沾污作用，且一般的烘干机在烘干完成后将娃片输出烘干机，此时娃片表面温度未降到室温，空气中的水汽会对硅片进行二次污染，硅片表面的结净度和缺陷直接影响着电子硅片和光伏电池的性能，硅片表面沾污严重，这会影响硅片的质量，对于制造高性能电子器件，此种硅片难以胜任。
技术实现思路
本技术的目的是，为了解决上述提出的甩干机和烘干机都会对硅片表面造成污染的问题，提出一种用于多线切割硅片清洗过程中的真空烘干装置，以实现快速零污染干燥，可以有效的提高硅片的表面结净度。 提供的技术方案，提供一种用于多线切割硅片清洗过程中的真空烘干装置，其包括密闭的箱体，箱体与用于抽真空的真空管相连通；在箱体内还设置有用于放置硅片的输送装置，箱体与输送装置相对应的的两个侧面板上分别开有进料口和出料口，在进料口和出料口处对应配装有进料门与出料门；在输送装置与硅晶花篮相接触的位置还设有用以温热硅片的辅热板。 进一步的，所述的输送装置包括驱动轮、从动轮、张紧轮及覆盖在三者之上的履带，驱动轮与从动轮之间的履带处于进料口与出料口最低点的连线上，所述的辅热板位于履带下驱动轮与从动轮之间。 进一步的，进料门、出料门上方还设有接触开关。 进一步的，箱体腔体内位于底面上还设有碎片盒。 取得的有益效果为，在30°C时，水的饱和蒸气压为4132.982Pa，如果在常温下将环境内的压力降低到饱和蒸气压以下，则硅片表面的水分将沸腾，并吸热，使用真空泵降低环境压力去除水分，避免硅片表面造成沾污。 输送装置与进、出料口衔接一致，自动将承载有多个硅片的花篮输送进箱体，待硅片表面洁净之后送出出料口进入硅片周转架，设备的自动化程度高。 为了避免因硅片表面温度过低遇到空气中的水汽会在硅片表面结露而造成二次污染，加入有一辅热板，通过辅热设备来调节内部温度，保证在取出硅片时温度大于或等于室外的露点温度，而不会出现表面结露的现象。 【附图说明】 图1为本装置结构示意图 【具体实施方式】 本装置包括箱体1、真空泵2、硅晶花篮3、辅热板4、限位开关5、运输装置。 其中，箱体I还连接有进料门la、出料门lb、碎片盒Ic ； 运输装置包括从动轮、驱动轮、张紧轮、履带。 如图1所示，本装置包括一箱体1，于箱体I左面板中央开有进料口，对应的，于此处配装铰接有进料门la，箱体I右面板中央开有出料口，对应的，于此处配装铰接有出料门lb，于进料门la、出料门Ib上方还设有限位开关5，所述的运输装置设置于箱体I内，运输装置包括驱动轮、从动轮、张紧轮及覆盖在三者之上的履带，所述的驱动轮与从动轮处于同一水平线，二者之间的履带处于进料口与出料口最低点的连线上，所述的履带可以承载并运输装载有硅晶的花篮3，对应的，位于履带下方驱动轮与从动轮之间设有辅热板4，且辅热板4的面积足够大可以涵盖住花篮3的所经路径，箱体I腔体内位于底面上还设有碎片盒lc，箱体I的一侧还开有出气口，该出气口处通过真空管密封连接到真空泵2，另一侧开有进气口，该进气口处密封连接有一进气阀，箱体上方还连接有温度计、计时器、压力控制器等仪表或控制装置。 进料门la、出料门lb、真空泵2、接触开关5、及其输送装置皆与控制单元相连。 结合图1进行阐述，硅片装入装花篮3进入到硅片碱洗槽中，清洗一定时常，将碱洗过的硅片通过机械手吊入到硅片漂洗槽中，在进行超声波震荡净化，清洗完毕的的硅片由进料门Ia进入到箱体I内，在花篮完全进入到箱体I腔体后进料门Ia和出料门Ib同时关闭并密封，驱动轮停转，真空泵和辅热板开始工作，箱体I逐渐进入真空环境，设置在箱体I内压力传感器将箱体I内压力时时反馈给控制单元，控制单元将接收到的压力数值与用户设定数值时时进行比对，当压力达到设定阀值后，计时器启动，腔内压保证lOOOmTorr-lOOOOmTorr之间，待一定时常娃晶完全干燥之后，打开进气阀，腔内压力恢复常压，辅热板4停止工作，进料门Ia和出料门Ib同时打开，驱动轮启动，将花篮4送出腔体。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于多线切割硅片清洗过程中的真空烘干装置，其特征在于：包括密闭的箱体(1)，箱体(1)与用于抽真空的真空管相连通；在箱体(1)内还设置有用于放置硅片的输送装置，箱体(1)与输送装置相对应的的两个侧面板上分别开有进料口和出料口，在进料口和出料口处对应配装有进料门(1a)与出料门(1b)；在输送装置与硅晶花篮(3)相接触的位置处还设有用以温热硅片的辅热板(4)。

【技术特征摘要】
1.一种用于多线切割硅片清洗过程中的真空烘干装置，其特征在于:包括密闭的箱体(1)，箱体(I)与用于抽真空的真空管相连通；在箱体(I)内还设置有用于放置硅片的输送装置，箱体(I)与输送装置相对应的的两个侧面板上分别开有进料口和出料口，在进料口和出料口处对应配装有进料门(Ia)与出料门(Ib);在输送装置与硅晶花篮(3)相接触的位置处还设有用以温热硅片的辅热板(4)。2.根据权利要求1所述的用于多线切割硅片清洗过程中的真空烘干装置，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘巍，李宁，韩庆辉，马凯远，张韶鹏，柳恒伟，张丽香，
申请(专利权)人：阳光硅峰电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：河北;13