The invention discloses a wafer cleaning method comprises the following steps: a silicon wafer clean water for 20 minutes and use water spray 30 seconds to 60 seconds, the removal of silicon mortar; ultrasonic treatment, removal of polymer and metal ions of silicon surface using multi frequency ultrasonic; silicon wafer has placed on the rotating cleaning solution of trichloroethylene alcohol solution for 3 minutes; use temperature of 80 degrees SC1 solution to clean the wafer for 10 minutes, the removal of metal impurities in silicon; using deionized water temperature of 60 degrees 5 minutes to wash the wafer; use temperature of SC2 cleaning fluid to clean the wafer 80, removal of metal impurities in silicon; using deionized water temperature of 60 degrees wash the wafer for 5 minutes; the wafer placed on the concentration of hydrofluoric acid solution is 1%, the removal of the native oxide of silicon wafer; use temperature of 60 degrees deionized water cleaning The silicon chip is 1 minutes, and the silicon wafer is dried to complete the process of cleaning the silicon wafer.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造的
,尤其涉及一种硅片的清洗方法。
技术介绍
在集成电路的制造过程中,最复杂最频繁的工艺步骤就是圆硅片洗净,因为在生产过程中,需要有机物和无机物的化学参与才能够完成。所以表面有机物,化合物,金属杂质和各种微粒。清洗是为了去除附着在表面的这些会造成漏电,电压崩溃,集成电路短路的污染物,而且使其表面没有原生氧化层。以往的方法没有有效地解决上述问题,而且化学物质对操作人员的身体危害很大。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的是提供一种硅片的清洗方法,能有效清除附着在硅片上的污染物,能有效避免集成电路短路,电压崩溃,漏电等问题,又能有效清除集成电路上的原生氧化层。本专利技术实施例提供了一种硅片的清洗方法,包括步骤:S1、将硅片放置清水中浸泡20分钟,以去除硅片上的大部分砂浆;S2、使用清水喷淋硅片30秒~60秒,以去除浸泡后硅片上残留的少量砂浆;S3、使用频率为20KHz-1MHz、功率密度为0.5-1.0W/cm2的低频超声波及频率为2MHz-3MHz、功率密度为0.1-0.5W/cm2的高频超声波对硅片进行10秒的超声处理,且低频超声波功率密度保持在高频超声波功率密度的3倍以上;S4、使用频率为20KHz-1MHz、功率密度为0.1-0.5W/cm2的低频超声波及频率为2MHz-3MHz、功率密度为0.3-1.0W/cm2的高频超声波对硅片进行20秒的超声处理,且高频超声波功率密度保持在低频超声波功率密度的3倍以上;S5、使用频率为20KHz-1MHz、功率密度小于0.1W/cm2的低频超声波及频率为2MHz-3M ...
【技术保护点】
一种硅片的清洗方法,其特征在于,包括步骤:S1、将硅片放置清水中浸泡20分钟,以去除硅片上的大部分砂浆;S2、使用清水喷淋硅片30秒~60秒,以去除浸泡后硅片上残留的少量砂浆;S3、使用频率为20KHz‑1MHz、功率密度为0.5‑1.0W/cm2的低频超声波及频率为2MHz‑3MHz、功率密度为0.1‑0.5W/cm2的高频超声波对硅片进行10秒的超声处理,且低频超声波功率密度保持在高频超声波功率密度的3倍以上;S4、使用频率为20KHz‑1MHz、功率密度为0.1‑0.5W/cm2的低频超声波及频率为2MHz‑3MHz、功率密度为0.3‑1.0W/cm2的高频超声波对硅片进行20秒的超声处理,且高频超声波功率密度保持在低频超声波功率密度的3倍以上;S5、使用频率为20KHz‑1MHz、功率密度小于0.1W/cm2的低频超声波及频率为2MHz‑3MHz、功率密度为0.1‑1.0W/cm2的高频超声波对硅片进行40秒的超声处理;S6、将硅片放置于三氯乙烯溶液中旋转清洗3分钟;S7、将硅片放置于异丙醇溶液中旋转清洗3分钟;S8、使用温度为80度,重量比为NH4OH:H2O2:H2O=1: ...
【技术特征摘要】
1.一种硅片的清洗方法,其特征在于,包括步骤:S1、将硅片放置清水中浸泡20分钟,以去除硅片上的大部分砂浆;S2、使用清水喷淋硅片30秒~60秒,以去除浸泡后硅片上残留的少量砂浆;S3、使用频率为20KHz-1MHz、功率密度为0.5-1.0W/cm2的低频超声波及频率为2MHz-3MHz、功率密度为0.1-0.5W/cm2的高频超声波对硅片进行10秒的超声处理,且低频超声波功率密度保持在高频超声波功率密度的3倍以上;S4、使用频率为20KHz-1MHz、功率密度为0.1-0.5W/cm2的低频超声波及频率为2MHz-3MHz、功率密度为0.3-1.0W/cm2的高频超声波对硅片进行20秒的超声处理,且高频超声波功率密度保持在低频超声波功率密度的3倍以上;S5、使用频率为20KHz-1MHz、功率密度小于0.1W/cm2的低频超声波及频率为2MHz-3MHz、功率密度为0.1-1.0W/cm2的高频超声波对硅片进行40秒的超声处...
【专利技术属性】
技术研发人员:雷丰泉,
申请(专利权)人:东莞新科技术研究开发有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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