降低多晶硅表面粗糙度的方法技术

本发明专利技术涉及一种降低多晶硅表面粗糙度的方法，其包括如下步骤：i)将O3水与多晶硅层的表面接触进行氧化处理，在多晶硅层的表面形成表面氧化层；ii)将多晶硅层的表面形成的表面氧化层与HF溶液接触进行蚀刻处理，得到经氧化处理和刻蚀处理的多晶硅层；iii)依次重复步骤i)的氧化处理和步骤ii)的蚀刻处理过程n次，直至多晶硅界面处凸起的高度小于30nm，其中n为正整数。本发明专利技术方法利用O3水对多晶硅层表面进行氧化处理，O3具有强氧化性，大幅缩短氧化时间；然后经多次氧化处理和蚀刻处理显著提高多晶硅膜表面的平整度，以减少薄膜晶体管的漏电流，优化其电性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于液晶面板制造
，具体涉及一种降低薄膜晶体管中多晶硅表面粗糙度的方法。
技术介绍
液晶显示元件的薄膜晶体管(TFT)是由在绝缘基板上形成的硅膜构成，作为液晶显示元件的像素中设置的开关元件或外围电路部分中形成的驱动元件来使用。作为构成TFT的硅膜，大多使用非晶硅膜，但近年来越来越多地使用具有更好特性的多晶硅膜，现在在这方面正在进行很多的开发工作。而多晶硅膜的形成需要在高温下进行，但又由于绝缘基板的耐热度较低，容易造成基板变形，因此，在制作薄膜晶体管有源层时通常采用低温多晶硅薄膜(LowTemperaturePolysiliconThinFilm)。现有制备多晶硅膜时一般采用准分子激光退火(ExcimerLaserAnnealing，可缩写为ELA)的方法，其利用高能量的准分子激光照射非晶硅薄膜，使其吸收准分子激光的能量后，使非晶硅薄膜呈融化状态，冷却后结晶后形成多晶硅膜，制备过程一般是在400℃～600℃的温度下进行的，能够有效防止基板的变形。采用准分子激光发生器的脉冲激光，在非晶硅层上进行扫描形成一照射区域，该脉冲激光扫描完成后向前移动一段距离，使形成的多个照射区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降低多晶硅表面粗糙度的方法，其包括如下步骤：i)将O3水与多晶硅层的表面接触进行氧化处理，在多晶硅层的表面形成表面氧化层；ii)将在多晶硅层的表面形成的表面氧化层与HF溶液接触进行蚀刻处理，得到经氧化处理和蚀刻处理的多晶硅层；iii)依次重复步骤i)的氧化处理和步骤ii)的蚀刻处理过程n次，直至多晶硅界面处凸起的高度小于30nm，其中n为正整数。

【技术特征摘要】
1.一种降低多晶硅表面粗糙度的方法，其包括如下步骤：i)将O3水与多晶硅层的表面接触进行氧化处理，在多晶硅层的表面形成表面氧化层；ii)将在多晶硅层的表面形成的表面氧化层与HF溶液接触进行蚀刻处理，得到经氧化处理和蚀刻处理的多晶硅层；iii)依次重复步骤i)的氧化处理和步骤ii)的蚀刻处理过程n次，直至多晶硅界面处凸起的高度小于30nm，其中n为正整数。2.根据权利要求1所述的降低多晶硅表面粗糙度的方法，其特征在于，步骤i)中所述O3水中O3的浓度为5mg/L～20mg/L。3.根据权利要求1所述的降低多晶硅表面粗糙度的方法，其特征在于，步骤i)中所述氧化处理的时间为3～30秒。4.根据权利要求1所述的降低多晶硅表面粗糙度的方法，其特征在于，所述表面氧化层的厚度为1～8nm。5.根据权利要求1所述的降低多晶硅表面粗糙度的方法，其特征在于，所述HF溶液的浓度为0.5w...

【专利技术属性】
技术研发人员：李勇，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42