一种导线制程阵列蚀刻方法技术

本发明专利技术公开了一种导线制程阵列蚀刻方法，该方法包括步骤：利用金属蚀刻液对金属多层膜进行蚀刻；进行金属残留的去除；进行半导体层蚀刻。本发明专利技术的方案能够避免金属残留的问题，从而解决N+残留的问题，进而提高了产品的良率。

Wire process array etching method

The invention discloses an etching method for conducting wire array. The method comprises the steps of etching metal multilayer film with metal etching solution, removing metal residue and etching semiconductor layer. The scheme of the invention can avoid the problem of metal residue, thereby solving the problem of N+ residue, thereby improving the yield of the product.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种显示
，特别是涉及一种导线制程阵列蚀刻方法。
技术介绍
半导体装置及液晶显示装置的微电路是通过在基板上形成的铝、铝合金、铜及铜合金等导电性金属膜或二氧化硅膜、氮化硅薄膜等绝缘膜上，均匀地涂抹光刻胶，然后通过刻有图案的薄膜，进行光照射后成像，使所需的图案光刻胶成像，采用干式蚀刻或湿式蚀刻，在光刻胶下部的金属膜或绝缘膜上显示图案后，剥离去除不需要的光刻胶等一系列的光刻工程而完成的。其中，源/漏极所使用的金属，特别是铜合金，与以往技术中的铝铬配线相比，阻抗低且没有环境问题。但是，新的金属也存在一些问题，例如，铜存在与玻璃基板及绝缘膜的贴附性较低，易扩散为氧化硅膜等问题，所以通常使用钛、钼等作为下部薄膜金属，形成金属多层膜。而在采用了金属多层膜以后，播磨晶体管的制造出现了良品率低的问题，这给本领域技术人员带来了麻烦。应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
有鉴于现有技术的上述缺陷，本专利技术所要解决的技术问题是提供一种产品良率有保障的一种导线制程阵列蚀刻方法。为实现上述目的，本专利技术提供了一种导线制程阵列蚀刻方法，包括步骤：利用金属蚀刻液对金属多层膜进行蚀刻；进行金属残留的去除；进行半导体层蚀刻。进一步的，在所述进行半导体层蚀刻之前还包括步骤：进行光阻的去除。进一步的，所述金属残留为钼残留；使用通用剥离液同时去除光阻和钼残留。本方案中，金属多层膜包括铜/钼多层膜或铝/钼多层膜，金属蚀刻液在进行蚀刻时，由于对钼的蚀刻效果较差，因而导致铜/铝蚀刻完毕达到CDbias要求时，钼尚未蚀刻完成，有所残留；此时，使用通用剥离液将残留的钼去除并顺便玻璃光阻，这样在N+蚀刻时就不会造成N+残留，保障了产品良率。进一步的，所述通用剥离液包括高浓度的胺剥离液(AMINE)。通用剥离液的主要成分为高浓度的胺剥离液(AMINE)，能够同时完成钼残留和光阻去除的工作，一举两得。进一步的，所述光阻采用铜剥离液去除。进一步的，所述进行半导体层蚀刻的步骤之后还包括步骤：使用铜剥离液去除光阻。光阻的去除在N+蚀刻之后，避免N+蚀刻或去除钼残留时不小心把金属多层膜其他部位蚀刻掉的情况发生。进一步的，所述金属多层膜为铜钼多层膜；所述金属蚀刻液包括铜蚀刻液。其中，该铜蚀刻液主要包括S/D铜酸，其主要作用是时刻铜或铜合金，同时，对钼等下层金属也有蚀刻作用，当然，在条件允许条件下，该铜蚀刻液还可以是基于过氧化氢(H2O2)的混合酸或基于磷酸的混合酸等，而由于此处不是本专利技术的主要专利技术点，故而不再赘述。进一步的，所述铜钼多层膜包括上层为铜、下层为钼的多层膜或中层为铜，上下层分别为钼的多层膜。由于铜存在与玻璃基板及绝缘膜的贴附性较低，易扩散为氧化硅膜等问题，在此处，与半导体层贴附性不好会带来不必要的问题，因而代替以上层为铜、下层为钼的多层膜或中层为铜，上下层分别为钼的多层膜。进一步的，所述金属多层膜为铜钼多层膜；所述铜钼多层膜包括上层为铜、下层为钼的多层膜或中层为铜，上下层分别为钼的多层膜；在进行钼残留的去除的同时，还进行了光阻的去除；光阻和钼残留的去除使用的是高浓度的胺剥离液(AMINE)。进一步的，在利用金属蚀刻液对金属多层膜进行蚀刻的步骤之前还包括步骤：在基板上形成栅极；在包含所述栅极的基板上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成半导体层；在所述半导体层上形成源极和漏极；以及形成与所述漏极连接的像素电极；其中，由于与本专利技术专利技术点无关，故而对于曝光显影的步骤不予展示；其中，所述源极和漏极由所述金属多层膜构成。本方案中，涉及蚀刻工艺之前栅/源/漏极等的制造流程，因，前期流程不是本专利技术的主要专利技术点，故而不再赘述。本专利技术的有益效果是：本专利技术由于使用了金属多层膜，在蚀刻图案时，容易出现蚀刻不全的问题，进而导致后续半导体蚀刻时，出现N+残留，而导致产品良率不高，生产成本增加；本专利技术中，由于在利用金属蚀刻液对金属多层膜进行蚀刻后，确实的针对进行残留进行去除，避免了后续N+残留的问题，提高了产品的良率，降低了生产成本；具体的，金属多层膜可以是铜/钼多层膜、铝/钼多层膜、铜/钛多层膜等，而对应的金属蚀刻液主要是用于铜或铝蚀刻之用的，但对于钼和钛亦有一定的蚀刻效果，但多半会存在下部金属蚀刻较慢的问题，导致下部金属存在残留的问题，而金属残留的问题将导致后续N+蚀刻时，出现N+蚀刻不全，本专利技术针对这一问题，对专利技术人选用的金属多层膜，特别是下部金属残留的问题，进行了针对性的去除，保证在进行N+蚀刻时，不会出现N+半导体层上部让有金属残留而出现N+蚀刻不全的问题，保证了产品的良率；其中，N+蚀刻使用的蚀刻液可以选用常用蚀刻液，只要满足N+蚀刻的需求即可。参照后文的说明和附图，详细公开了本申请的特定实施方式，指明了本申请的原理可以被采用的方式。应该理解，本申请的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本申请的实施方式包括许多改变、修改和等同。针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。附图说明所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：图1是本专利技术曾用的制造薄膜晶体管基板的工艺流程图；图2是本专利技术改进前的导线制程阵列蚀刻方法的流程图；图3是本专利技术一种导线制程阵列蚀刻方法的流程图；图4是本专利技术另一种导线制程阵列蚀刻方法的流程图；图5是本专利技术改进后蚀刻流程的示意图；图6是本专利技术再一种导线制程阵列蚀刻方法的流程图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都应当属于本申请保护的范围。随着薄膜晶体管液晶显示器逐渐往超大尺寸、高驱动频率、高分辨率等方面发展，薄膜晶体管液晶显示器在制作时，高质量的导线制程技术已经成为必要条件，如何有效地降低面板导线电阻非常重要，因此以较低电阻特性之铜或银金属取代铝金属导线是目前面板业界的热门开发方向。在专利技术人未公开的方案中，曾使用含银或含银合金的金属作为栅极金属和源/漏极金属的材料，这一方案确实的较好的解决了面板导线电阻等问题，但是，以含银或银合金的金属作为栅/源/漏极电极的该薄膜晶体管元件至少具有以下缺点，例如与基板或半导体层的粘着性较差、在蚀刻阶段易于与氯化物本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导线制程阵列蚀刻方法，其中，包括步骤：利用金属蚀刻液对金属多层膜进行蚀刻；进行金属残留的去除；进行半导体层蚀刻。

【技术特征摘要】
1.一种导线制程阵列蚀刻方法，其中，包括步骤：利用金属蚀刻液对金属多层膜进行蚀刻；进行金属残留的去除；进行半导体层蚀刻。2.如权利要求1所述的导线制程阵列蚀刻方法，其中：在所述进行半导体层蚀刻之前还包括步骤：进行光阻的去除。3.如权利要求2所述的导线制程阵列蚀刻方法，其中：所述金属残留为钼残留；使用通用剥离液同时去除光阻和钼残留。4.如权利要求3所述的导线制程阵列蚀刻方法，其中：所述通用剥离液包括高浓度的胺剥离液。5.如权利要求2所述的导线制程阵列蚀刻方法，其中：所述光阻是采用铜剥离液去除。6.如权利要求1所述的导线制程阵列蚀刻方法，其中：所述进行半导体层蚀刻的步骤之后还包括步骤：使用铜剥离液去除光阻。7.如权利要求1所述的导线制程阵列蚀刻方法，其中：所述金属多层膜为铜钼多层膜；所述金属蚀刻液包...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈猷仁，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，重庆惠科金渝光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44