半导体结构及其制作方法技术

一种半导体结构及其制作方法。半导体结构包含第一基底、第二基底、间隔层、光阻层与导电层。第一基底具有焊垫。第二基底具有通孔、壁面及相对的第一表面与第二表面，通孔贯穿第一表面与第二表面，壁面围绕通孔，且焊垫对齐通孔。间隔层位于第一基底与第二基底的第二表面之间，至少部分的间隔层往通孔的方向凸出。光阻层位于第二基底的第一表面与壁面上、凸出通孔的间隔层上、及焊垫与凸出通孔的间隔层之间。导电层位于光阻层上与焊垫上。本发明专利技术可使得导电层不易于间隔层与焊垫之间悬空，以避免断裂，且省略已知的氧化层，从而节省了有关氧化层的化学气相沉积制程及蚀刻制程的成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关一种半导体结构及一种半导体结构的制作方法。
技术介绍
已知在制作半导体结构时，可将两晶圆通过间隔层接合，并于其中之一的晶圆形成硅通孔(Through Silicon Via；TSV)，使另一晶圆的焊垫裸露。接着，可通过化学气相沉积制程(Chemical Vapor Deposition；CVD)于围绕硅通孔的晶圆表面、间隔层与焊垫上形成氧化层。之后，可施以蚀刻制程去除焊垫上的氧化层。如此一来，便可于晶圆表面与焊垫上的氧化层形成导电层。然而，当两晶圆通过间隔层接合时，间隔层容易因压力与高温而往硅通孔的方向凸出，使得凸出的间隔层会与焊垫之间形成空穴。空穴会造成间隔层与焊垫之间的导电层易悬空而断裂，进而降低产品的良率。此外，化学气相沉积制程与蚀刻制程的设备昂贵，使半导体结构的制作成本难以降低。
技术实现思路
本专利技术的一技术态样为一种半导体结构。根据本专利技术一实施方式，一种半导体结构包含第一基底、第二基底、间隔层、光阻层与导电层。第一基底具有焊垫。第二基底具有通孔、壁面及相对的第一表面与第二表面，通孔贯穿第一表面与第二表面，壁面围绕通孔，且焊垫对齐通孔。间隔层位于第一基底本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，其特征在于，包含：第一基底，具有焊垫；第二基底，具有通孔、壁面及相对的第一表面与第二表面，其中该通孔贯穿该第一表面与该第二表面，该壁面围绕该通孔，且该焊垫对齐该通孔；间隔层，位于该第一基底与该第二基底的该第二表面之间，至少部分的该间隔层往该通孔的方向凸出；光阻层，位于该第二基底的该第一表面与该壁面上、凸出该通孔的该间隔层上、及该焊垫与凸出该通孔的该间隔层之间；以及导电层，位于该光阻层上与该焊垫上。

【技术特征摘要】
2015.05.04 US 62/156,8101.一种半导体结构，其特征在于，包含：第一基底，具有焊垫；第二基底，具有通孔、壁面及相对的第一表面与第二表面，其中该通孔贯穿该第一表面与该第二表面，该壁面围绕该通孔，且该焊垫对齐该通孔；间隔层，位于该第一基底与该第二基底的该第二表面之间，至少部分的该间隔层往该通孔的方向凸出；光阻层，位于该第二基底的该第一表面与该壁面上、凸出该通孔的该间隔层上、及该焊垫与凸出该通孔的该间隔层之间；以及导电层，位于该光阻层上与该焊垫上。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，凸出该通孔的该间隔层具有弧面。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，该弧面与该焊垫之间形成空穴。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，该光阻层填满于该空穴中。5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，该第二基底的该壁面与该第二表面的连接处位于该弧面的一端缘上，且该弧面的另一端缘位于该焊垫上。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包含：绝缘层，位于该第二基底的该第二表面上。7.根据权利要求1所述的半导体结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈语同，林建名，许传进，何志伟，何彦仕，
申请(专利权)人：精材科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71