半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术的实施例提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底、至少一个第一栅极结构、至少一个第一间隔件、至少一个源漏结构和导电插塞。所述第一栅极结构位于所述衬底上。所述第一间隔件位于所述第一栅极结构的至少一个侧壁上。所述源漏结构邻近所述第一间隔件。所述导电插塞电连接至所述源漏结构，同时在所述导电插塞和所述第一间隔件之间留有间隙。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法
本专利技术的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及半导体结构及其制造方法。
技术介绍
半导体器件用于各种电子应用，例如，诸如个人电脑、手机、数码相机和其他电子设备。通过不断减小最小特征尺寸，半导体工业持续提高各种电子部件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成度，这使得更多部件集成到给定区域中。集成电路中的“互连件”是指连接各种电子部件的导线。除在接触区域上以外，互连导线通过绝缘层与衬底分开。随着部件密度的增大，互连结构的导线的宽度以及导线之间的间隔也按比例变小了。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种半导体结构，包括：衬底；至少一个第一栅极结构，位于所述衬底上；至少一个第一间隔件，位于所述第一栅极结构的至少一个侧壁上；至少一个源漏结构，邻近于所述第一间隔件；以及导电插塞，电连接至所述源漏结构，同时在所述导电插塞与所述第一间隔件之间留下间隙。根据本专利技术的另一方面，提供了一种半导体结构，包括：衬底；至少一个栅极结构，位于所述衬底上；至少一个源漏结构，位于所述衬底上；至少一个介电层，至少位于所述栅极结构上，并且所述至少一个介电层中具有开口，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：衬底；至少一个第一栅极结构，位于所述衬底上；至少一个第一间隔件，位于所述第一栅极结构的至少一个侧壁上；至少一个源漏结构，邻近于所述第一间隔件；以及导电插塞，电连接至所述源漏结构，同时在所述导电插塞与所述第一间隔件之间留下间隙。

【技术特征摘要】
2015.12.18 US 62/269,667;2016.01.04 US 14/987,5981.一种半导体结构，包括：衬底；至少一个第一栅极结构，位于所述衬底上；至少一个第一间隔件，位于所述第一栅极结构的至少一个侧壁上；至少一个源漏结构，邻近于所述第一间隔件；以及导电插塞，电连接至所述源漏结构，同时在所述导电插塞与所述第一间隔件之间留下间隙。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述间隙中具有气体。3.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：至少一个第二栅极结构，位于所述衬底上；至少一个第二间隔件，位于所述第二栅极结构的至少一个侧壁上，其中，所述源漏结构位于所述第一间隔件和所述第二间隔件之间。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述间隙还存在于所述导电插塞和所述第二间隔件之间。5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：介电层，至少位于所述第一栅极结构上，所述介电层中具有开口，其中，所述导电插塞的至少一部分位于所述开口中，并且所述间隙还位于所述导电插塞和所述开口的至少一个侧壁之间。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：张哲诚，林志翰，曾鸿辉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71