半导体装置结构制造方法及图纸

本公开提供半导体装置结构。半导体装置结构包括第一半导体层及第二半导体层，纵向地堆叠于半导体基底上。第一半导体层及第二半导体层包括不同的材料。半导体装置结构也包括栅极堆叠，覆盖第一半导体层的第一部分。半导体装置结构还包括间隔元件，位于栅极堆叠的侧壁上。间隔元件覆盖第二半导体层以及第一半导体层的第二部分。第二半导体层的厚度不同于第二部分的厚度。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置结构
本专利技术涉及一种半导体技术，特别是涉及具有纳米线的半导体装置结构及其形成方法。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit，IC)产业已历经了快速的成长。集成电路材料及设计的技术的进步造成集成电路世代的产生，每一世代的电路比前一世代更小且更复杂。在集成电路的发展过程中，通常增加了功能密度(即，每单位晶片面积所内连接的装置的数量)，却降低了几何尺寸(即，工艺中所能制造出的最小元件)。尺寸缩小所带来的好处通常包括提高生产效率及降低相关成本。这样的尺寸缩小也增加了加工及制造集成电路的复杂性，且为了这些进步得以实现，集成电路加工及制造需要类似的发展。举例来说，已发展出三维(threedimensional)晶体管，例如具有纳米线(nanowire)的半导体装置，来取代平面晶体管，以期望在此领域有所进一步发展。
技术实现思路
本公开的一些实施例提供半导体装置结构。半导体装置结构包括第一半导体层及第二半导体层，纵向地堆叠于半导体基底上。第一半导体层及第二半导体层包括不同的材料。半导体装置结构也包括栅极堆叠，覆盖第一半导体层的第一部分。半导体装置结构还包括间隔元件，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置结构，包括：半导体基底；第一半导体层及第二半导体层，纵向地堆叠于该半导体基底上，其中该第一半导体层及该第二半导体层包含不同的材料；栅极堆叠，覆盖该第一半导体层的第一部分；以及间隔元件，位于该栅极堆叠的侧壁上，其中该间隔元件覆盖该第二半导体层以及该第一半导体层的第二部分，且其中该第二半导体层的厚度不同于该第二部分的厚度。

【技术特征摘要】
2015.11.16 US 14/942,6391.一种半导体装置结构，包括：半导体基底；第一半导体层及第二半导体层，纵向地堆叠于该半导体基底上，其中该第一半导体层及该...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东颖，叶致锴，徐振峰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71