一种沟槽版图结构、半导体器件及其制作方法技术

本申请公开一种沟槽版图结构、半导体器件及其制作方法，其中，所述沟槽版图结构包括：沟槽开口，沟槽开口包括字线台阶区沟槽开口和阵列区沟槽开口；位于相邻两条沟槽开口之间的沟槽孔开口；其中，字线台阶区沟槽开口与阵列区沟槽开口相接，沿垂直于沟槽开口长度延伸方向上，字线台阶区沟槽开口的宽度大于阵列区沟槽开口的宽度。由于将字线台阶区沟槽开口的宽度进行增大处理，使得字线台阶沟槽底部的尺寸增加，在沉积金属过程中，字线台阶区的金属堆积厚度，相对于未增加宽度的字线台阶区沟槽底部金属堆积厚度较薄，从而在后续从沟槽中分离金属的步骤中，使得金属能够有效分离，从而避免了金属栅和金属栅之间的漏电。

Trench layout structure, semiconductor device and manufacturing method thereof

The application discloses a trench layout structure, semiconductor device and manufacturing method thereof, and includes the trench layout structure: trench opening, trench opening includes an opening step region word line trench opening and array region is located in the slot groove groove; two adjacent grooves between the openings; the word line is connected with the trench opening step region the array area of the trench opening, opening along the length perpendicular to the trench extending direction, the width of the trench opening step region word line array area larger than the opening width of the trench. The word line width of the trench opening step region is enlarged, the word line at the bottom of the trench step size increases, the metal deposition process, step region word line metal thickness, relative to the bottom without increasing the trench step region word line width thickness of thin metal accumulation, resulting in the subsequent separation of metal from the trench in the process of making metal can be separated effectively, thus avoiding the leakage between the metal gate and metal gate.

【技术实现步骤摘要】
一种沟槽版图结构、半导体器件及其制作方法
本专利技术涉及半导体制作
，尤其涉及一种沟槽版图结构、半导体器件及其制作方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，半导体器件的集成程度越来越高，为了提高半导体器件的封装密度，半导体器件已经逐步从简单的平面结构过渡到较为复杂的三维结构，尤其是目前三维存储器的技术研发已经成为国际上研发的一个主流。现有技术中三维结构存储器的结构通常采用后栅工艺实现，即先沉积氮化硅作为假栅，假栅之间以氧化硅来隔离，在形成沟道孔之后，再进行沟槽刻蚀，随后去除假栅，在沟槽内填充金属，形成金属栅，再采用刻蚀的方法将金属栅从沟槽中分离。三维结构存储器包括字线台阶区沟槽和阵列区沟槽，在深槽刻蚀时，两者形貌差别较大：字线台阶区沟槽较为倾斜，阵列区沟槽较为垂直；使得在字线台阶区沟槽内填充金属，形成金属栅后，再刻蚀将金属栅从字线台阶区沟槽分离时，存在金属栅残留，从而造成金属栅与金属栅之间的漏电。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种沟槽版图结构、半导体器件及其制作方法，以解决现有技术中将字线台阶区沟槽的金属栅分离时，存在字线台阶区金属栅残留，造成的金属栅与金属栅之间漏电的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沟槽版图结构，其特征在于，包括：沟槽开口，所述沟槽开口包括字线台阶区沟槽开口和阵列区沟槽开口；位于相邻两条所述沟槽开口之间的沟槽孔开口；其中，所述字线台阶区沟槽开口与所述阵列区沟槽开口相接，沿垂直于所述沟槽开口长度延伸方向上，所述字线台阶区沟槽开口的宽度大于所述阵列区沟槽开口的宽度。

【技术特征摘要】
1.一种沟槽版图结构，其特征在于，包括：沟槽开口，所述沟槽开口包括字线台阶区沟槽开口和阵列区沟槽开口；位于相邻两条所述沟槽开口之间的沟槽孔开口；其中，所述字线台阶区沟槽开口与所述阵列区沟槽开口相接，沿垂直于所述沟槽开口长度延伸方向上，所述字线台阶区沟槽开口的宽度大于所述阵列区沟槽开口的宽度。2.根据权利要求1所述的沟槽版图结构，其特征在于，所述字线台阶区沟槽开口的宽度比所述阵列区沟槽开口的宽度大10nm-50nm，包括端点值。3.根据权利要求2所述的沟槽版图结构，其特征在于，所述字线台阶区沟槽开口的宽度均匀。4.根据权利要求3所述的沟槽版图结构，其特征在于，所述字线台阶区沟槽开口远离所述阵列区沟槽开口的侧边为圆心朝向所述阵列区沟槽开口的弧形。5.根据权利要求2所述的沟槽版图结构，其特征在于，所述字线台阶区沟槽开口的宽度沿远离所述阵列区沟槽开口的方向逐渐增大。6.根据权利要求5所述的沟槽版图结构，其特征在于，所述字线台阶区沟槽开口远离所述阵列区沟槽开口的侧边为圆心朝向所述阵列区沟槽开口的弧形。7.根据权利要求5所述的沟槽版图结构，其特征在于，在沿所述沟槽长度延伸方向上，所述字线台阶区沟槽开口远离所述阵列区沟槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐强，夏志良，严萍，李广济，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42