一种显示器件的像素单元版图结构制造技术

一种显示器件的像素单元版图结构，包括第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管包括依次叠的第一栅极、第一栅极绝缘层、第一有源层、第一源极和第一漏极；所述第二晶体管包括依次叠设的第二栅极、第二栅极绝缘层、第二有源层、第二源极和第二漏极；第二晶体管垂直叠设于第一晶体管之上，第一晶体管的漏极通过接触孔与第二晶体管的第二栅极连接，第二晶体管的部分第二栅极、第二栅极绝缘层和第二漏极构成存储电容。该像素单元版图结构合理地布置了各个晶体管和电容的位置，并利用像素电路中晶体管间和电容间的连接关系，重复利用部分版图面积，从而压缩单元版图布局，实现更高密度显示。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示器件领域，特别是涉及一种显示器件的像素单元版图结构。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmttingDiode，OLED)具有主动发光、效率高、响应快速、功耗低、视角广、面板轻薄、工作温度范围广、可实现柔性显示等诸多优点，近年来获得了广泛研究。驱动OLED显示面板的最简单电路是由2个晶体管和1个存储电容构成的2T1C像素电路。传统金属氧化物TFT工艺把像素单元的所有晶体管制作在同一个平面内，即像素阵列内所有TFT器件的栅极为同一层材料制作，所有TFT器件的栅极、有源层和源漏极都分别采用同一层材料制作，导致面积较大，如图3、图4所示。随着显示器件的像素密度越来越高，特别是针对头盔式设备的虚拟现实，对其像素点面积要求越来越小，在极有限的单元像素面积内布局多个晶体管和存储电容非常困难。因此，针对现有技术不足，提供一种面积小、能够实现更高密度显示的像素单元版图结构以克服现有技术不足甚为必要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于避免现有技术的不足之处而提供一种显示器件的像素单元版图结构，该像素单元版图结构合理地布置了各个晶体管和电容的位置，并利用像素电路中晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示器件的像素单元版图结构，其特征在于，包括第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管包括依次叠的第一栅极、第一栅极绝缘层、第一有源层、第一源极和第一漏极；所述第二晶体管包括依次叠设的第二栅极、第二栅极绝缘层、第二有源层、第二源极和第二漏极；第二晶体管垂直叠设于第一晶体管之上，第一晶体管的漏极通过接触孔与第二晶体管的第二栅极连接，第二晶体管的部分第二栅极、第二栅极绝缘层和第二漏极构成存储电容。

【技术特征摘要】
1.一种显示器件的像素单元版图结构，其特征在于，包括第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管包括依次叠的第一栅极、第一栅极绝缘层、第一有源层、第一源极和第一漏极；所述第二晶体管包括依次叠设的第二栅极、第二栅极绝缘层、第二有源层、第二源极和第二漏极；第二晶体管垂直叠设于第一晶体管之上，第一晶体管的漏极通过接触孔与第二晶体管的第二栅极连接，第二晶体管的部分第二栅极、第二栅极绝缘层和第二漏极构成存储电容。2.根据权利要求1所述的显示器件的像素单元版图结构，其特征在于，还包括第一平坦层和第二平坦层；所述第一平坦层设于第一晶体管和第二晶体管之间；所述第二平坦层设于第二晶体管之上；所述第一平坦层和第二平坦层由绝缘材料制成。3.根据权利要求2所述的显示器件的像素单元版图结构，其特征在于，所述第一平坦层为单层或多层绝缘薄膜；所述绝缘薄膜由SiO2、Si3N4、Al2O3、Ta2O5或Y2O3制成。4.根据权利要求3所述的显示器件的像素单元版图结构，其特征在于，所述第二平坦层为单层或多层绝缘薄膜；所述绝缘薄膜由S...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐苗，彭俊彪，王磊，邹建华，陶洪，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东;44