一种显示器件的像素单元版图结构制造技术

一种显示器件的像素单元版图结构，包括第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管包括依次叠的第一栅极、第一栅极绝缘层、第一有源层、第一源极和第一漏极；所述第二晶体管包括依次叠设的第二栅极、第二栅极绝缘层、第二有源层、第二源极和第二漏极；第二晶体管垂直叠设于第一晶体管之上，第一晶体管的漏极通过接触孔与第二晶体管的第二栅极连接，第二晶体管的部分第二栅极、第二栅极绝缘层和第二漏极构成存储电容。该像素单元版图结构合理地布置了各个晶体管和电容的位置，并利用像素电路中晶体管间和电容间的连接关系，重复利用部分版图面积，从而压缩单元版图布局，实现更高密度显示。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示器件领域，特别是涉及一种显示器件的像素单元版图结构。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmttingDiode，OLED)具有主动发光、效率高、响应快速、功耗低、视角广、面板轻薄、工作温度范围广、可实现柔性显示等诸多优点，近年来获得了广泛研究。驱动OLED显示面板的最简单电路是由2个晶体管和1个存储电容构成的2T1C像素电路。传统金属氧化物TFT工艺把像素单元的所有晶体管制作在同一个平面内，即像素阵列内所有TFT器件的栅极为同一层材料制作，所有TFT器件的栅极、有源层和源漏极都分别采用同一层材料制作，导致面积较大，如图3、图4所示。随着显示器件的像素密度越来越高，特别是针对头盔式设备的虚拟现实，对其像素点面积要求越来越小，在极有限的单元像素面积内布局多个晶体管和存储电容非常困难。因此，针对现有技术不足，提供一种面积小、能够实现更高密度显示的像素单元版图结构以克服现有技术不足甚为必要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于避免现有技术的不足之处而提供一种显示器件的像素单元版图结构，该像素单元版图结构合理地布置了各个晶体管和电容的位置，并利用像素电路中晶体管间和电容间的连接关系，重复利用部分版图面积，从而压缩单元版图布局，实现更高密度显示。本专利技术的上述目的通过如下技术手段实现：一种显示器件的像素单元版图结构，包括第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管包括依次叠的第一栅极、第一栅极绝缘层、第一有源层、第一源极和第一漏极；所述第二晶体管包括依次叠设的第二栅极、第二栅极绝缘层、第二有源层、第二源极和第二漏极；第二晶体管垂直叠设于第一晶体管之上，第一晶体管的漏极通过接触孔与第二晶体管的第二栅极连接，第二晶体管的部分第二栅极、第二栅极绝缘层和第二漏极构成存储电容。优选的，还包括第一平坦层和第二平坦层；所述第一平坦层设于第一晶体管和第二晶体管之间；所述第二平坦层设于第二晶体管之上；所述第一平坦层和第二平坦层由绝缘材料制成。优选的所述第一平坦层为单层或多层绝缘薄膜；所述绝缘薄膜由SiO2、Si3N4、Al2O3、Ta2O5或Y2O3制成。优选的，所述第二平坦层为单层或多层绝缘薄膜；所述绝缘薄膜由SiO2、Si3N4、Al2O3、Ta2O5或Y2O3制成。优选的，上述第一平坦层的厚度为50nm至500nm，所述第二平坦层的厚度为50nm至500nm。优选的，上述的显示器件的像素单元版图结构，通过如下步骤制备：(1)在衬底上制备缓冲层；(2)在步骤(1)制备的缓冲层上第一金属层和第一绝缘层分别作为第一栅极和第一栅极绝缘层；(3)再沉积第一金属氧化物半导体层，并图形化第一金属氧化物半导体层作为第一有源层；(4)沉积并图形化第二金属层，作为第一源极和第一漏极；(5)沉积第一平坦层,并图形化第一平坦层形成接触孔；(6)在第一平坦层上沉积第三金属层和第二绝缘层分别作为第二栅极和第二栅极绝缘层；(7)再沉积第二金属氧化物半导体层，并图形化第二金属氧化物半导体层作为第二有源层；(8)沉积并图形化第四金属层，作为第二源极和第二漏极；(9)再沉积第二平坦层。本专利技术的显示器件的像素单元版图结构，第二晶体管垂直叠设于第一晶体管之上，第一晶体管的漏极通过接触孔与第二晶体管的栅极连接，第二晶体管的部分第二栅极、第二栅极绝缘层和第二漏极构成存储电容。该像素单元版图结构合理地布置了各个晶体管和电容的位置，并利用像素电路中晶体管间和电容间的连接关系，重复利用部分版图面积，从而压缩单元版图布局，实现更高密度显示。附图说明利用附图对本专利技术作进一步的说明，但附图中的内容不构成对本专利技术的任何限制。图1是本专利技术的显示器件的像素单元版图结构的平面示意图。图2是图1的A-A剖视图。图3是本现有技术中一种显示器件的像素单元版图结构的平面示意图。图4是图3的A-A剖视图。在图1至图4中，包括：第一晶体管1、第二晶体管2、接触孔3、存储电容4、扫描线5、数据线6、电源线7、发光区域8、衬底001、缓冲层002、第一平坦层003、第二平坦层004、第一栅极101、第一栅极绝缘层102、第一有源103层、第一源极104、第一漏极105、第二栅极201、第二栅极绝缘层202、第二有源层203、第二源极204、第二漏极205。具体实施方式结合以下实施例对本专利技术作进一步描述。实施例一种显示器件的像素单元版图结构，如图1、图2所示，具有第一晶体管1、第二晶体管2、接触孔3、存储电容4、扫描线5、数据线6、电源线7和发光区域8。第一晶体管1包括依次叠设的第一栅极101、第一栅极绝缘层102、第一有源层103、第一源极104和第一漏极105。第一源极104、第一漏极105上设置有绝缘性质的第一平坦层003，第二晶体管2设置于第一平坦层003上。第二晶体管2包括依次叠设的第二栅极201、第二栅极绝缘层202、第二有源层203、第二源极204和第二漏极205，第二源极204、第二漏极205上设置有绝缘性质的第二平坦层004。第二晶体管2垂直叠设于第一晶体管1之上，第一晶体管1的漏极通过接触孔3与第二晶体管2的栅极连接，第二晶体管2的部分第二栅极201、第二栅极绝缘层202和第二漏极205构成存储电容4。与图3、图4现有技术的像素单元版图结构相比，本专利技术的第二晶体管2垂直叠设于第一晶体管1之上，第一晶体管1的漏极通过接触孔3与第二晶体管2的栅极连接。其它连接方式近似，在此不再赘述。本专利技术以第一晶体管1、第二晶体管2叠设的方式布置，能够利用第一晶体管1、第二晶体管2和接触孔3的重叠，有效缩减版图的面积。本专利技术的第一平坦层003为单层或多层绝缘薄膜；所述绝缘薄膜由SiO2、Si3N4、Al2O3、Ta2O5或Y2O3制成。第一平坦层003为第一晶体管1的源极金属层与第二晶体管2的栅极金属层之间的绝缘层，同时平坦化的第一平坦层003为第二晶体管2的制备提供了较好的制备条件。第一平坦层003的厚度为50nm至500nm，此处第一平坦层003的厚度是指第一漏极105与第二栅极201之间的距离。第二平坦层004为单层或多层绝缘薄膜；所述绝缘薄膜由SiO2、Si3N4、Al2O3、Ta2O5或Y2O3制成。第二平坦层004的厚度为50nm至500nm。第二平坦层004一方面提供绝缘特性，另一方面提供了较平坦的层面结构。该显示器件的像素单元版图结构，可通过如下步骤制备：(1)在衬底001上制备缓冲层002；(2)在步骤(1)制备的缓冲层002上第一金属层和第一绝缘层分别作为第一栅极101和第一栅极绝缘层102；(3)再沉积第一金属氧化物半导体层，并图形化第一金属氧化物半导体层作为第一有源层103；(4)沉积并图形化第二金属层，作为第一源极104和第一漏极105；(5)沉积第一平坦层003,并图形化第一平坦层形成接触孔3；(6)在第一平坦层003上沉积第三金属层和第二绝缘层分别作为第二栅极201和第二栅极绝缘层202；(7)再沉积第二金属氧化物半导体层，并图形化第二金属氧化物半导体层作为第二有源层203；(8)沉积并图形化第四金属层，作为第二源极204和第二漏极205；(9)再沉积第二平坦层004。具体的，上述衬底001包括为玻璃衬底001或者具有水氧阻隔层的柔性衬底00本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示器件的像素单元版图结构，其特征在于，包括第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管包括依次叠的第一栅极、第一栅极绝缘层、第一有源层、第一源极和第一漏极；所述第二晶体管包括依次叠设的第二栅极、第二栅极绝缘层、第二有源层、第二源极和第二漏极；第二晶体管垂直叠设于第一晶体管之上，第一晶体管的漏极通过接触孔与第二晶体管的第二栅极连接，第二晶体管的部分第二栅极、第二栅极绝缘层和第二漏极构成存储电容。

【技术特征摘要】
1.一种显示器件的像素单元版图结构，其特征在于，包括第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管包括依次叠的第一栅极、第一栅极绝缘层、第一有源层、第一源极和第一漏极；所述第二晶体管包括依次叠设的第二栅极、第二栅极绝缘层、第二有源层、第二源极和第二漏极；第二晶体管垂直叠设于第一晶体管之上，第一晶体管的漏极通过接触孔与第二晶体管的第二栅极连接，第二晶体管的部分第二栅极、第二栅极绝缘层和第二漏极构成存储电容。2.根据权利要求1所述的显示器件的像素单元版图结构，其特征在于，还包括第一平坦层和第二平坦层；所述第一平坦层设于第一晶体管和第二晶体管之间；所述第二平坦层设于第二晶体管之上；所述第一平坦层和第二平坦层由绝缘材料制成。3.根据权利要求2所述的显示器件的像素单元版图结构，其特征在于，所述第一平坦层为单层或多层绝缘薄膜；所述绝缘薄膜由SiO2、Si3N4、Al2O3、Ta2O5或Y2O3制成。4.根据权利要求3所述的显示器件的像素单元版图结构，其特征在于，所述第二平坦层为单层或多层绝缘薄膜；所述绝缘薄膜由S...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐苗，彭俊彪，王磊，邹建华，陶洪，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东;44