【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体器件制造领域，具体地说涉及一种减小开关时间的VDMOS器件版图结构。
技术介绍
VDMOS场效应晶体管是场控型多子导电的功率器件，具有驱动功率小、安全工作区宽、开关速度快、热稳定性好的特点，广泛应用于消费电子，工业设备、军用电子等领域。经过长期的发展，VDMOS技术不断演变，其性能不断提升，主要体现在管芯面积日趋缩小、功耗持续降低、可靠性不断提高。目前VDMOS大都采用多晶硅自对准工艺进行制造，栅电极采用多晶硅做电极，多晶硅除元胞有源区外大面积覆盖元胞区上，这种多晶硅栅极结构已很难提高器件开关速度。随着研究的深入，出现两种典型的器件结构和工艺，一是基于U型槽栅工艺的TrenchMOS和基于超结结构的CoolMOS。这两种新结构/工艺器件的产生，使器件导通电阻降低了若干倍，相同电流下大大减少了元胞数，减小了器件面积，提高了开关速度。TrenchMOS从结构上消除了平面型VDMOS器件固有的漂移区，元胞横向尺寸得以大幅缩小，单位面积...
【技术保护点】
一种减小开关时间的VDMOS器件版图结构，包括器件元胞，所述器件元胞包括由下至上依次分布的衬底层和外延层，在外延层中分布有有源区和漂移区，在外延层的上部分布有场氧层和栅氧层，在场氧层和栅氧层的上部分布有多晶硅层，在多晶硅层上方分布有第一钝化层，在有源区多晶硅窗口中部和第一钝化层上方分布有铝电极层，铝电极层上方分布有第二钝化层；其特征在于，有源区划分的区域为有源区多晶硅窗口，有源区多晶硅窗口周边分布的多晶硅层上对称分布有挖空的多晶孔。
【技术特征摘要】
1.一种减小开关时间的VDMOS器件版图结构，包括器件元胞，所述器件
元胞包括由下至上依次分布的衬底层和外延层，在外延层中分布有有源区和漂
移区，在外延层的上部分布有场氧层和栅氧层，在场氧层和栅氧层的上部分布
有多晶硅层，在多晶硅层上方分布有第一钝化层，在有源区多晶硅窗口中部和
第一钝化层上方分布有铝电极层，铝电极层上方分布有第二钝化层；其特征在
于，有源区划分的区域为有源区多晶硅窗口，有源区多晶硅窗口周边分布的多
晶硅层上对称分布有挖空的多晶孔。
2.根据权利要求1所述的减小开关时间的VDM...
【专利技术属性】
技术研发人员：白朝辉，
申请(专利权)人：西安卫光科技有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61
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