【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及半导体器件。一种半导体器件包括：第一阱、第二阱和分离结构。第一阱和第二阱被嵌入在半导体衬底中。分离结构也被嵌入在半导体衬底中并且将第一阱和第二阱分离，使得第一阱和第二阱彼此不接触。【专利说明】半导体器件
本公开总体上涉及一种金属氧化物半导体场效应晶体管（M0SFET)。更具体地，本 公开涉及一种增加横向扩散的金属氧化物半导体（LDM0S)的击穿电压的制造方法及器件结 构。
技术介绍
硅半导体工艺已经演变成用于制造集成电路的复杂操作。随着制造工艺技术的不 断进步，降低了集成电路的核心和输入/输出（I/O)操作电压。然而，辅助装置的操作电压 仍基本保持不变。该辅助装置包括对接(连接，interface)至集成电路的装置。例如，辅助 装置可以是打印机、扫描仪、磁盘驱动器、磁带驱动器、麦克风、扬声器或照相机。 集成电路可以包括通过一系列兼容的处理而与衬底集成或沉积在衬底上的互相 连接的诸如晶体管、电阻器、电容器和电感器的有源和无源元件的阵列。辅助装置可以以高 于包含在集成电路内的晶体管的击穿电压的电压来操作。随着施加到...
【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，包括： 第一阱，嵌入在半导体衬底中； 第二阱，嵌入在所述半导体衬底中；以及 分离结构，嵌入在所述半导体衬底中，将所述第一阱和所述第二阱分离，使得所述第一阱和所述第二阱彼此不接触。
【技术特征摘要】
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