半导体器件制造技术
semiconductor device
The present invention provides a semiconductor chip capable of preventing a wettability reduction of a transparent film when bonding a lead wire. The semiconductor device (100, 200, 300) includes: a semiconductor part (10); part (10) disposed on the semiconductor electrode on the (30); (10) is arranged in the semiconductor part, with the first through hole (41) of the transparent protective film (40) is arranged in the transparent protective film; and (40), with second through holes (51) opaque protective film (50), the first through hole (41) arranged through a transparent protective film (40) of the upper and lower surfaces, second through holes (51) arranged through the opaque protective film (50) of the upper and lower surfaces second, and a through hole (51) is located on the edge of the opening in the top first through hole (41) inside the opening edge of the electrode portion (30) arranged at least a part of it from the second through hole (51) exposed.
【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本专利技术涉及半导体器件。
技术介绍
现有技术中，作为半导体器件，有专利文献1中记载的半导体器件。该半导体器件包括：在上表面具有杂质扩散层的半导体部；以与杂质扩散层接触的方式设置在半导体部上的电极部；覆盖电极部的SiN膜；和设置在SiN膜上的聚酰亚胺树脂膜。SiN膜具有高耐湿性，发挥防止来自封装的浸水和杂质污染等的功能。上述半导体芯片中，设置有接触孔，该接触孔包括：从SiN膜的上表面延伸至电极部的上表面的第一贯通孔；和与该第一贯通孔连接，从聚酰亚胺树脂膜的上表面延伸至SiN膜的上表面的第二贯通孔，在该接触孔形成有配线层。另外，接触孔形成为第一贯通孔的相对的侧面间的距离比第二贯通孔的相对的侧面间的距离小。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平9-252050号公报专利技术要解决的问题在通过引线接合来安装上述半导体芯片的情况下，金属珠经由第一贯通孔与电极部连接。但是，由于SiN膜是透明的，所以第一贯通孔的开口图案的识别性差，连接金属珠的位置容易偏离。其结果是，SiN膜因金属珠碰撞产生的凹痕而损伤，SiN膜的耐湿性有可能降低。
技术实现思路
于是，本专利技术...
【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体部；设置在所述半导体部上的电极部；设置在所述半导体部上，具有第一贯通孔的透明保护膜；和设置在所述透明保护膜上，具有第二贯通孔的不透明保护膜，所述第一贯通孔以贯通所述透明保护膜的上表面和下表面的方式设置，所述第二贯通孔以贯通所述不透明保护膜的上表面和下表面，且所述第二贯通孔的开口边缘在俯视时位于所述第一贯通孔的开口边缘的内侧的方式设置，所述电极部以至少一部分从所述第二贯通孔露出的方式设置。
【技术特征摘要】
2015.12.16 JP 2015-2455481.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体部；设置在所述半导体部上的电极部；设置在所述半导体部上，具有第一贯通孔的透明保护膜；和设置在所述透明保护膜上，具有第二贯通孔的不透明保护膜，所述第一贯通孔以贯通所述透明保护膜的上表面和下表面的方式设置，所述第二贯通孔以贯通所述不透明保护膜的上表面和下表面，且所述第二贯...
【专利技术属性】
技术研发人员：泽井敬一，松本浩司，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。