半导体器件制造技术

一种半导体器件，包括：第一有源区和第二有源区，其设置在半导体基板中并具有彼此面对的侧表面；设置在第一有源区和第二有源区之间的隔离图案；设置在第一有源区和第二有源区之间的半导体延伸层；设置在第一有源区上的第一源/漏极半导体层；和设置在第二有源区上的第二源/漏极半导体层。与靠近隔离图案相比，第一有源区和第二有源区的面对的侧表面更靠近半导体延伸层。

【技术实现步骤摘要】

专利技术构思的实施方式涉及半导体器件和采用其的电子系统。
技术介绍
当半导体器件的集成度已经增大时，诸如具有鳍形场效应晶体管(finFET)结构的晶体管的分立器件已经被用于半导体器件的集成电路中。随着在半导体器件中增大集成度的趋势，当具有finFET结构的晶体管之间的距离变得更小时会发生预料不到的问题。
技术实现思路
根据专利技术构思的实施方式，一种半导体器件包括：第一有源区和第二有源区，其设置在半导体基板中并具有彼此面对的侧表面；设置在第一有源区和第二有源区之间的隔离图案；设置在第一有源区和第二有源区之间的半导体延伸层；设置在第一有源区上的第一源/漏极半导体层；和设置在第二有源区上的第二源/漏极半导体层。与靠近隔离图案相比，第一有源区和第二有源区的面对的侧表面更靠近半导体延伸层。根据专利技术构思的实施方式，一种半导体器件包括：设置在半导体基板上的场绝缘层；第一有源区和第二有源区，其设置在半导体基板中并穿过场绝缘层；设置在第一有源区和第二有源区之间并且延伸到场绝缘层中的隔离图案；设置在第一有源区和第二有源区之间的半导体延伸层；设置在第一有源区上的第一源/漏极半导体层；和设置在第二有源区上的第二源/漏极半导体层。在场绝缘层中的隔离图案的宽度大于在第一有源区和第二有源区之间的隔离图案的宽度。根据专利技术构思的实施方式，一种半导体器件包括：第一有源区和第二有源区，其设置在半导体基板中并且具有在第一方向上延伸的线形；设置在第一有源区上的第一栅极图案；设置在第二有源区上的第二栅极图案；设置在第一栅极图案和第二栅极图案之间的虚设栅极图案；设置在第一有源区和第r/>二有源区之间的隔离图案；和设置在第一有源区和隔离图案之间的半导体延伸层。根据专利技术构思的实施方式，一种半导体器件包括：设置在半导体基板上的场绝缘层；第一有源区和第二有源区，其穿过场绝缘层并且从场绝缘层的上部突出；设置在第一有源区和第二有源区之间的场沟槽区域；设置在场沟槽区域中的半导体延伸层；和设置在半导体延伸层上的隔离图案。注意到，关于一个实施方式描述的方面可以被并入不同的实施方式中，虽然没有与其相关的具体描述。即，全部实施方式和/或任意实施方式的特征可以以任何方式和/或组合方式被组合。此外，对于本领域普通技术人员而言，当查看以下的附图和详细说明时，根据专利技术主题的实施方式的其他方法、系统、制品和/或器件将会是或者变得明显。意图是，所有这样的附加系统、方法、制品和/或器件被包括在此说明内，在本专利技术主题的范围之内，并且受到权利要求书保护。进一步意图是，在此公开的全部实施方式可以分别地实现或以任何方式和/或组合方式被组合。其他实施方式的细节被包括在详细的解释和附图中。附图说明专利技术构思的上述及其他特征和优点将通过附图中示出的专利技术构思实施方式的更详细描述而变得明显，其中在不同的视图中相同的参考符号始终指的是相同的部件。附图不必按比例，而是重点在于示出专利技术构思的原理。附图中：图1、2、3A和3B是示出根据专利技术构思的实施方式的半导体器件的平面图；图4A、4B和4C是示出根据专利技术构思的实施方式的半导体器件的截面图；图5A、5B和5C是示出根据专利技术构思的实施方式的半导体器件的截面图；图6、7A和7B是示出根据专利技术构思的实施方式的半导体器件的平面图；图8A、8B和8C是示出根据专利技术构思的实施方式的半导体器件的截面图；图9、11、13、16、18和21是示出根据专利技术构思的实施方式的半导体
器件的形成方法的示例的平面图；图10A、10B、12A、12B、14A、14B、15A、15B、17A、17B、19A、19B、20A、20B、22A、22B、23A和23B是示出根据专利技术构思的实施方式的半导体器件的形成方法的示例的截面图；图24A至27B是示出根据专利技术构思的实施方式的半导体器件的形成方法的示例的截面图；图28A至30C是示出根据专利技术构思的实施方式的半导体器件的形成方法的示例的截面图；图31A是示出根据专利技术构思的实施方式的半导体模块的概念视图；和图31B和31C是示出根据专利技术构思的实施方式的电子系统的概念框图。具体实施方式专利技术构思可以以各种不同的形式实现，并且应该理解为不受在此阐述的实施方式的限制，而是仅由权利要求限定。然而，提供这些专利技术构思使得此公开彻底和完整，并将向本领域技术人员充分传达专利技术构思。在附图中，为了清楚，可以夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。通篇说明书中相同的参考符号指示相同的部件。在此参考理想化的实施方式的作为示意图的截面图、平面图和/或框图来描述实施方式。这样，可以预期由于例如制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，实施方式不应解释为限于这里所示出的区域的具体形状，而可以解释为包括由于例如制造引起的形状的偏差。因此，在附图中示出的区域本质上是示意的，它们的形状不旨在限制专利技术构思而是仅仅示出器件的区域的特征形式。为了清楚，在附图中层和区域的厚度可以被夸大。此外，将理解的是当层被称为在另一个层或基板“上”时，该层可以直接形成在另一个层或基板上，或者可以在其间存在居间层。术语诸如“顶”、“底”、“上”、“下”、“上方”、“下方”等在此用于描述元件或特征的相对位置。例如，为了方便，当图的上部被称为“顶”和图的下部被称为“底”时，实际上，“顶”也可以被称为“底”而“底”也可以是“顶”，而没有脱离专利技术构思的教导。此外，在此公开中，方向性术语诸如“上”、“中间”、“下”等可以在此
用于描述一个元件或特征与另一个元件或特征的关系，专利技术构思不应该受到这些术语的限制。因此，这些术语诸如“上”、“中间”、“下”等可以被其他的术语诸如“第一”、“第二”、“第三”等替代以描述元件和特征。可以理解虽然术语“第一”、“第二”等可以用于此来描述各种元件，但这些元件应不受这些术语限制。这些术语只用于区分一个元件与另一元件。因此，第一元件可以被称为第二元件，而不背离本专利技术构思的教导。在此使用以描述本专利技术的实施方式的术语不旨在限制专利技术构思的范围。如这里所用，单数形式“一”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文清楚地指示另外的意思。可以进一步理解当在此使用时术语“包括”和/或“包含”说明所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除存在或添加一个或更多其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组。除非另有界定，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有本专利技术构思属于的领域的普通技术人员共同理解的相同的意思。还可以理解诸如那些在共同使用的字典中定义的术语应解释为一种与在相关技术和本说明书的背景中的它们的涵义一致的涵义，而不应解释为理想化或过度形式化的意义，除非在这里明确地如此界定。如同本专利技术实体理解的，根据此处描述的不同实施方式的装置和形成装置的方法可以被包含在诸如集成电路的微电子装置中，其中根据此处描述的不同实施方式的多个装置被集成在同一微电子装置中。因此，此处示出的截面图可以在微电子装置中的两个不同方向(其不需要垂直)上重复。因而，包含根据此处描述的不同实施方式的器件的微电子装置的平面图可以包括基于微电子装置的功能而成阵列和/或二维图案的多个器件。根据此处描述的不同实施方式的装置可以根据微电子装置的功能性而插置于其它本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：第一有源区和第二有源区，其设置在半导体基板中并具有彼此面对的侧表面；设置在所述第一有源区和所述第二有源区之间的隔离图案；设置在所述第一有源区和所述第二有源区之间的半导体延伸层；设置在所述第一有源区上的第一源/漏极半导体层；和设置在所述第二有源区上的第二源/漏极半导体层，其中与靠近所述隔离图案相比，所述第一有源区和所述第二有源区的面对的侧表面更靠近所述半导体延伸层。

【技术特征摘要】
2015.05.19 KR 10-2015-00697121.一种半导体器件，包括：第一有源区和第二有源区，其设置在半导体基板中并具有彼此面对的侧表面；设置在所述第一有源区和所述第二有源区之间的隔离图案；设置在所述第一有源区和所述第二有源区之间的半导体延伸层；设置在所述第一有源区上的第一源/漏极半导体层；和设置在所述第二有源区上的第二源/漏极半导体层，其中与靠近所述隔离图案相比，所述第一有源区和所述第二有源区的面对的侧表面更靠近所述半导体延伸层。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体延伸层与所述第一有源区和所述第二有源区的所述侧表面接触。3.权利要求1所述的半导体器件，其中相对于所述半导体基板，所述半导体延伸层的上端的水平高于所述隔离图案的上表面的水平。4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体延伸层设置在所述第一有源区和所述隔离图案之间以及在所述第二有源区和所述隔离图案之间。5.如权利要求4所述的半导体器件，其中所述半导体延伸层相对于所述半导体基板在所述隔离图案下面延伸。6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一源/漏极半导体层与所述半导体延伸层接触。7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一源/漏极半导体层设置在所述第一有源区中的第一凹陷区域中。8.如权利要求7所述的半导体器件，其中相对于所述半导体基板，所述半导体延伸层的上端的水平高于所述第一凹陷区域的底部的水平。9.如权利要求7所述的半导体器件，其中相对于所述半导体基板，所述半导体延伸层的底部的水平低于所述第一凹陷区域的底部的水平。10.如权利要求1所述的半导体器件，其中：所述半导体延伸层是第一外延层；和所述第一源/漏极半导体层和所述第二源/漏极半导体层是不同于所述第
\t一外延层的第二外延层。11.一种半导体器件，包括：设置在半导体基板上的场绝缘层；第一有源区和第二有源区，其设置在所述半导体基板中并穿过所述场绝缘层；设置在所述第一有源区和所述第二有源区之间并配置为延伸到所述场绝缘层中的隔离图案；设置在所述第一有源区和所述第二有源区之间的半导体延伸层；设置在所述第一有源区上的第一源/漏极半导体层；和设置在所述第二有源区上的第二源/漏极半导体层，其中在所述场绝缘层中的所述隔离图案的宽度大于在所述第一有源区和所述第二有源区之间的所述隔离图案的宽度。12.权利要求11所述的半导体器件，其中：所述第一有源区具有在第一方向上延伸的线形；和所述第一有源区在垂直于所述第一方...

【专利技术属性】
技术研发人员：金成玟，姜智秀，朴宰贤，申宪宗，Y李，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR