【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及存储器设备，并且更具体地，涉及页面缓冲器电路和包括该页面缓冲器电路的存储器设备。
技术介绍
1、最近，根据多功能性，使用了大容量和高集成度的存储器设备。存储器设备包括用于在存储器单元中存储数据或从存储器单元输出数据的页面缓冲器电路。作为示例，页面缓冲器电路可以包括分别对应于多条位线布置的多个页面缓冲器，并且每个页面缓冲器可以包括诸如晶体管的半导体元件。
2、随着存储器单元的单位数量增加，沟道(channel)电阻可能增加，单元电流可能减少，并且由于工艺偏差(process variation)，多个页面缓冲器之间的特性可能不同。
技术实现思路
1、本专利技术构思的各方面提供了一种存储器设备，包括通过校准工艺偏差来执行感测操作的页面缓冲器电路。
2、根据本专利技术构思的一个方面，一种存储器设备包括存储器单元(cell)阵列，包括多个存储器单元，以及页面缓冲器电路，包括分别经由多条位线连接到存储器单元阵列的多个页面缓冲器单元(unit)，每个页面缓冲器单元包括感测节点、数据传送节点、被配置为对数据传送节点预充电的第一晶体管、将感测节点连接到数据传送节点的第二晶体管、存储由存储器单元阵列感测的数据并连接到数据传送节点的感测锁存器、被配置为根据感测节点的电平改变感测锁存器的数据值的第三晶体管、以及将第三晶体管连接到数据传送节点的第四晶体管。存储器设备中的存储器访问方法包括，在感测操作期间，在第一时间段中，基于通过第一晶体管、数据传送节点和第四晶体管
3、根据本专利技术构思的另一方面，一种存储器设备包括存储器单元阵列，包括多个存储器单元，以及页面缓冲器电路，包括分别经由多条位线连接到存储器单元阵列的多个页面缓冲器单元，多个页面缓冲器单元各自包括连接到位线的感测节点、存储存储器单元的数据的感测锁存器、被配置为根据感测节点的电压电平改变感测锁存器的数据值的第一晶体管、以及被配置为对感测节点进行升压的升压节点。存储器设备中的方法包括，对于每个页面缓冲器单元，在感测操作期间，在第一时间段中对感测节点预充电，在第二时间段中将感测节点的电压电平设置为第一晶体管的阈值电压，在第三时间段中通过将施加到升压节点的电压增加第一电压电平来升压感测节点，在第四时间段中基于升压的感测节点的电压电平来发展感测节点，在第五时间段中通过将施加到升压节点的电压降低第二电压电平来降压感测节点，并且在第六时间段中基于降压的感测节点的电压电平来改变感测锁存器的数据值。
4、根据本专利技术构思的另一方面，一种固态驱动器(ssd)包括存储器单元阵列，存储器设备，包括页面缓冲器电路，以及存储器控制器，被配置为控制存储器设备，其中，页面缓冲器电路包括连接到位线的感测节点、存储存储器单元的数据的感测锁存器、被配置为根据感测节点的电压电平改变感测锁存器的数据值的第一晶体管、以及用于对感测节点进行升压的升压节点。用于ssd的方法包括在感测操作期间，对感测节点预充电，将感测节点的电压电平设置为第一晶体管的阈值电压，并且基于感测节点的设置电压电平改变感测锁存器的数据值。
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1.一种存储器设备，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述多个页面缓冲器单元中的每一个包括被配置为基于数据传送节点的电平来改变感测节点的电平的第五晶体管、以及连接第五晶体管和感测节点的第六晶体管。
3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，在感测操作期间，在第一时间段中，在第一晶体管和第二晶体管导通并且第四晶体管截止的状态下，感测节点被预充电，并且在第二时间段中，在第一晶体管截止并且第二晶体管和第三晶体管导通的状态下，根据通过数据传送节点和第三晶体管的路径，感测节点的电压被设置为阈值电压。
4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中，所述页面缓冲器电路还包括升压节点，并且
5.根据权利要求4所述的存储器设备，其中，第一电压电平大于第二电压电平。
6.根据权利要求4所述的存储器设备，其中，在第四时间段中，所述感测节点的发展的电压电平大于在感测操作期间预充电到位线的电压电平。
7.根据权利要求4所述的存储器设备，其中，所述感测锁存器包括：
8.根据权利要求4所述的存储器设备，其中，在第六
9.根据权利要求3所述的存储器设备，其中，在第一时间段中，所述感测节点被预充电到对应于供应给第一晶体管的正电源电压电平和第二晶体管的阈值电压电平之间的差的电压电平。
10.根据权利要求2所述的存储器设备，其中，在第三至第五时间段中，第一、第二和第四晶体管截止，并且在第六时间段中，第一和第二晶体管截止，第四晶体管导通。
11.一种存储器设备中的方法，该存储器设备包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其中，第一电压电平大于第二电压电平。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述多个页面缓冲器单元中的每一个还包括数据传送节点、被配置为对数据传送节点预充电的第二晶体管、将感测节点连接到数据传送节点的第三晶体管、以及将第一晶体管连接到数据传送节点的第四晶体管。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，在第一时间段中，第二和第三晶体管导通，第四晶体管截止，并且在第二时间段中，第二晶体管截止，第三和第四晶体管导通。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，在第六时间段中，包括在对应于多个页面缓冲器单元中的导通单元的页面缓冲器单元中的感测节点的电压电平小于第三晶体管的阈值电压电平，并且
16.根据权利要求11所述的方法，其中，所述感测锁存器包括：
17.一种用于固态驱动器SSD的方法，该SSD包括：
18.根据权利要求17所述的方法，还包括，在感测操作期间，通过将施加到升压节点的电压增加第一电压电平来升高感测节点的设置电压电平，发展感测节点，通过将施加到升压节点的电压减少第二电压电平来降低感测节点的电压，并且基于降压的感测节点的电压电平来改变感测锁存器的数据值。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，第一电压电平大于第二电压电平。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述感测节点的发展的电压电平大于在感测操作期间预充电到位线的电压电平。
...【技术特征摘要】
1.一种存储器设备，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述多个页面缓冲器单元中的每一个包括被配置为基于数据传送节点的电平来改变感测节点的电平的第五晶体管、以及连接第五晶体管和感测节点的第六晶体管。
3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，在感测操作期间，在第一时间段中，在第一晶体管和第二晶体管导通并且第四晶体管截止的状态下，感测节点被预充电，并且在第二时间段中，在第一晶体管截止并且第二晶体管和第三晶体管导通的状态下，根据通过数据传送节点和第三晶体管的路径，感测节点的电压被设置为阈值电压。
4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中，所述页面缓冲器电路还包括升压节点，并且
5.根据权利要求4所述的存储器设备，其中，第一电压电平大于第二电压电平。
6.根据权利要求4所述的存储器设备，其中，在第四时间段中，所述感测节点的发展的电压电平大于在感测操作期间预充电到位线的电压电平。
7.根据权利要求4所述的存储器设备，其中，所述感测锁存器包括：
8.根据权利要求4所述的存储器设备，其中，在第六时间段中，包括在对应于多个页面缓冲器单元中的导通单元的页面缓冲器单元中的感测节点的电压电平小于第三晶体管的阈值电压电平，并且
9.根据权利要求3所述的存储器设备，其中，在第一时间段中，所述感测节点被预充电到对应于供应给第一晶体管的正电源电压电平和第二晶体管的阈值电压电平之间的差的电压电平。
10.根据权利要求2所述的存储器设备，其中，在第三至第五时间段中，第一、第二和第四晶体管截止，并且在第...
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