【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种存储器，尤其是涉及一种包含非挥发性单元及电流驱动电路的存储器。
技术介绍
1、随着储存技术的进步，对于存储器的需求的标准也越来越高。使用者常期待存储器可支持高速操作，支持非挥发性的存储，及具有较小尺寸。为了上述需求，目前已有磁阻式随机存取存储器(magnetoresistive random access memory，又称mram)等技术方案，可支持高速且非挥发性的存取。
2、然而，实务上已观察到，目前的存储器设计有工程上的难题。举例来说，当电路面积缩减，将发生驱动电流不足的问题，而导致存储器单元无法被正确地存取。若为了提高驱动能力，而增加驱动电路的晶体管数量，又将导致电路难以缩减。
3、因此，本领域仍需可提供足够驱动能力且不大幅增加电路尺寸的解决方案，以改善存储器的规格与性能。
技术实现思路
1、实施例提供一种存储器，包含(n-1)个第一非挥发性单元，(n-1)条位线及一第一电流驱动电路。该(n-1个)第一非挥发性单元的每一第一非挥发性单元包含一第一端及一第二端。该(n-1)条位线之一第i位线耦接于该(n-1)个第一非挥发性单元之一第i第一非挥发性单元的一第一端。该第一电流驱动电路，包含n个第一晶体管，耦接于该(n-1)个第一非挥发性单元。其中n及i为正整数，n>2，且i<n。
2、另一实施例提供一种存储器，包含一第一非挥发性单元，一第二非挥发性单元，一第一位线，一第二位线，一第一晶体管，一第二晶体管及一第三晶体
3、另一实施例提供一种存储器，包含一氧化扩散层，一多晶硅层，一第一金属层，一第一非挥发性单元，一第二非挥发性单元及一第二金属层。该多晶硅层形成于该氧化扩散层上方。该第一金属层形成于该氧化扩散层上方。该第一非挥发性单元设置于该氧化扩散层上方，位于一第一参考线上。该第二非挥发性单元设置于该氧化扩散层上方，位于一第二参考线上，其中该第二参考线平行于该第一参考线。该第二金属层，形成于该第一非挥发性单元及该第二非挥发性单元上方。
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1.一种存储器，包含：
2.如权利要求1所述的存储器，其中该第一晶体管的该第二端及该第二晶体管的该第二端耦接于源线。
3.如权利要求1所述的存储器，其中该第一晶体管的该控制端耦接于第一字符线，该第二晶体管的该控制端耦接于第二字符线，及该第三晶体管的该控制端耦接于第三字符线。
4.如权利要求1所述的存储器，其中：
5.如权利要求4所述的存储器，其中该第二位线被浮接以不存取该第二非挥发性单元。
6.如权利要求1所述的存储器，其中当该第一非挥发性单元及该第二非挥发性单元之一被存取时，该第四晶体管，该第五晶体管及该第六晶体管被失能。
7.如权利要求1所述的存储器，其中该第一非挥发性单元及该第二非挥发性单元是两磁隧道结单元，两电阻随机存取存储器单元，或两相变单元。
【技术特征摘要】
1.一种存储器，包含：
2.如权利要求1所述的存储器，其中该第一晶体管的该第二端及该第二晶体管的该第二端耦接于源线。
3.如权利要求1所述的存储器，其中该第一晶体管的该控制端耦接于第一字符线，该第二晶体管的该控制端耦接于第二字符线，及该第三晶体管的该控制端耦接于第三字符线。
4.如权利要求1所述的存储器，其中：
5.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾俊砚，郭有策，陈昌宏，王淑如，邱雅兰，黄俊宪，蔡志维，余欣炽，吴奕廷，黄正同，王荏滺，吴祯祥，杨伯钧，谢咏净，陈健中，李柏昌，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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