【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种静态随机存取存储器(static random access memory，sram)，尤其是涉及一种具有较高效能的静态随机存取存储器的布局图案以及其形成方法。
技术介绍
1、在一嵌入式静态随机存取存储器(embedded static random access memory，embedded sram)中，包含有逻辑电路(logic circuit)和与逻辑电路连接的静态随机存取存储器。静态随机存取存储器本身属于一种易失性(volatile)的存储单元(memory cell)，亦即当供给静态随机存取存储器的电力消失之后，所存储的数据会同时抹除。静态随机存取存储器存储数据的方式是利用存储单元内晶体管的导电状态来达成，静态随机存取存储器的设计是采用互耦合晶体管为基础，没有电容器放电的问题，不需要不断充电以保持数据不流失，也就是不需作存储器更新的动作，这与同属易失性存储器的动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)利用电容器带电状态存储数据的方式并不相同。静态随机存取存储器的存取速度相当快，因此有在电脑系统中当作快取存储器(cachememory)等的应用。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种静态随机存取存储器(sram)的布局图案，至少包含一基底，多个sram存储单元排列于该基底上，其中每一个sram存储单元均包含有:多条鳍状结构位于该基底上，多条栅极结构位于该基底上并且跨越该多条鳍状结构，以组成多个晶体管分布于该
2、本专利技术另提供一种静态随机存取存储器(sram)的布局图案的形成方法，至少包含:提供一基底，形成多个sram存储单元排列于该基底上，其中每一个sram存储单元均包含有:多条鳍状结构位于该基底上，多条栅极结构位于该基底上并且跨越该多条鳍状结构，以组成多个晶体管分布于该基底上，其中每一个晶体管包含有部分的该栅极结构跨越部分该鳍状结构，该多个晶体管包含：两个上拉晶体管(pu)、两个下拉晶体管(pd)，共同组成一栓锁电路(latch)，以及两个存取晶体管(pg)连接该栓锁电路，其中在任一sram存储单元中，该上拉晶体管(pu)所包含的该鳍状结构定义为一pu鳍状结构、该下拉晶体管(pd)所包含的该鳍状结构定义一pd鳍状结构、该存取晶体管(pg)所包含的该鳍状结构定义一pg鳍状结构，其中该pd鳍状结构的一宽度比该pg鳍状结构一的宽度更宽。
3、本专利技术的特征在于，为了要提高元件品质，需提高pd晶体管的开启电流与pg晶体管的开启电流比值，但以侧壁图案转移方式所形成的鳍状结构的宽度又无法仅通过光掩模图案来调整。本专利技术使用加入虚设鳍状结构的方法，来达到控制鳍状结构宽度的目的。另外本专利技术中形成特殊形状的轴心图案，使得pg鳍状结构的周围有较多的虚设鳍状结构，而pd鳍状结构周围则没有虚设鳍状结构，因此在蚀刻步骤之后，pg鳍状结构会受到更多反射蚀刻让其宽度变小，达到本案提高sram的贝塔值与静态噪声容限的目的。
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1.一种静态随机存取存储器的布局图案，至少包含:
2.如权利要求1所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中还包含形成多个虚设鳍状结构位于该基底上，并且位于该下拉晶体管鳍状结构与相邻的该上拉晶体管鳍状结构之间，或位于该上拉晶体管鳍状结构与相邻的该上拉晶体管鳍状结构之间、或位于该上拉晶体管鳍状结构与相邻的该存取晶体管鳍状结构之间、或位于该存取晶体管鳍状结构与相邻的该存取晶体管鳍状结构之间。
3.如权利要求2所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该虚设鳍状结构不位于该下拉晶体管鳍状结构与相邻的该下拉晶体管鳍状结构之间。
4.如权利要求2所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该虚设鳍状结构的高度与宽度，小于该存取晶体管鳍状结构的高度与宽度。
5.如权利要求2所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该存取晶体管鳍状结构与相邻的另一存取晶体管鳍状结构之间的最短距离，大于该存取晶体管鳍状结构至任一虚设鳍状结构之间的最短距离。
6.如权利要求2所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该上拉晶体管鳍状结构与另一相邻的上拉晶体管鳍状结构
7.如权利要求2所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该存取晶体管鳍状结构与另一相邻的存取晶体管鳍状结构之间包含有两个该虚设鳍状结构。
8.如权利要求1所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中在任一该静态随机存取存储器存储单元中，该存取晶体管鳍状结构与该下拉晶体管鳍状结构相连并且沿着同一方向排列。
9.一种静态随机存取存储器的布局图案的形成方法，至少包含:
10.如权利要求9所述的静态随机存取存储器的布局图案的形成方法，其中还包含形成多个虚设鳍状结构位于该基底上，并且位于该下拉晶体管鳍状结构与相邻的该上拉晶体管鳍状结构之间，或位于该上拉晶体管鳍状结构与相邻的该上拉晶体管鳍状结构之间、或位于该上拉晶体管鳍状结构与相邻的该存取晶体管鳍状结构之间、或位于该存取晶体管鳍状结构与相邻的该存取晶体管鳍状结构之间。
11.如权利要求9所述的静态随机存取存储器的布局图案的形成方法，其中该虚设鳍状结构不位于该下拉晶体管鳍状结构与相邻的该下拉晶体管鳍状结构之间。
12.如权利要求10所述的静态随机存取存储器的布局图案的形成方法，其中该虚设鳍状结构的高度与宽度，小于该存取晶体管鳍状结构的高度与宽度。
13.如权利要求10所述的静态随机存取存储器的布局图案的形成方法，其中该存取晶体管鳍状结构与相邻的另一存取晶体管鳍状结构之间的最短距离，大于该存取晶体管鳍状结构至任一虚设鳍状结构之间的最短距离。
14.如权利要求10所述的静态随机存取存储器的布局图案的形成方法，其中该上拉晶体管鳍状结构与另一相邻的上拉晶体管鳍状结构之间包含有一个该虚设鳍状结构，该上拉晶体管鳍状结构与另一相邻的存取晶体管鳍状结构之间也包含有一个该虚设鳍状结构。
15.如权利要求10所述的静态随机存取存储器的布局图案的形成方法，其中该存取晶体管鳍状结构与另一相邻的存取晶体管鳍状结构之间包含有两个该虚设鳍状结构。
16.如权利要求10所述的静态随机存取存储器的布局图案的形成方法，其中形成该虚设鳍状结构的方法还包含:
17.如权利要求10所述的静态随机存取存储器的布局图案的形成方法，其中在形成各该侧壁图案之后，至少包含有一方框形侧壁图案位于该存取晶体管鳍状结构与相邻的该存取晶体管鳍状结构之间。
18.如权利要求17所述的静态随机存取存储器的布局图案的形成方法，其中该方框形侧壁图案不位于该下拉晶体管鳍状结构与相邻的该下拉晶体管鳍状结构之间。
19.如权利要求9所述的静态随机存取存储器的布局图案的形成方法，其中在任一该静态随机存取存储器存储单元中，该存取晶体管鳍状结构与该下拉晶体管鳍状结构相连并且沿着同一方向排列。
...【技术特征摘要】
1.一种静态随机存取存储器的布局图案，至少包含:
2.如权利要求1所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中还包含形成多个虚设鳍状结构位于该基底上，并且位于该下拉晶体管鳍状结构与相邻的该上拉晶体管鳍状结构之间，或位于该上拉晶体管鳍状结构与相邻的该上拉晶体管鳍状结构之间、或位于该上拉晶体管鳍状结构与相邻的该存取晶体管鳍状结构之间、或位于该存取晶体管鳍状结构与相邻的该存取晶体管鳍状结构之间。
3.如权利要求2所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该虚设鳍状结构不位于该下拉晶体管鳍状结构与相邻的该下拉晶体管鳍状结构之间。
4.如权利要求2所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该虚设鳍状结构的高度与宽度，小于该存取晶体管鳍状结构的高度与宽度。
5.如权利要求2所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该存取晶体管鳍状结构与相邻的另一存取晶体管鳍状结构之间的最短距离，大于该存取晶体管鳍状结构至任一虚设鳍状结构之间的最短距离。
6.如权利要求2所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该上拉晶体管鳍状结构与另一相邻的上拉晶体管鳍状结构之间包含有一个该虚设鳍状结构，该上拉晶体管鳍状结构与另一相邻的存取晶体管鳍状结构之间也包含有一个该虚设鳍状结构。
7.如权利要求2所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中该存取晶体管鳍状结构与另一相邻的存取晶体管鳍状结构之间包含有两个该虚设鳍状结构。
8.如权利要求1所述的静态随机存取存储器的布局图案，其中在任一该静态随机存取存储器存储单元中，该存取晶体管鳍状结构与该下拉晶体管鳍状结构相连并且沿着同一方向排列。
9.一种静态随机存取存储器的布局图案的形成方法，至少包含:
10.如权利要求9所述的静态随机存取存储器的布局图案的形成方法，其中还包含形成多个虚设鳍状结构位于该基底上，并且位于该下拉晶体管鳍状结构与相邻的该上拉晶体管鳍状结构之间，或位于该上拉晶体管鳍状结构与相邻的该...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄俊宪，郭有策，王淑如，黄莉萍，陈玉芳，曾俊砚，张子丰，张竣杰，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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