【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种高电子迁移率晶体管及其制作方法。
技术介绍
1、以氮化镓基材料(gan-based materials)为基础的高电子迁移率晶体管具有于电子、机械以及化学等特性上的众多优点，例如宽带隙、高击穿电压、高电子迁移率、大弹性模数(elastic modulus)、高压电与压阻系数(high piezoelectric and piezoresistivecoefficients)等与化学钝性。上述优点使氮化镓基材料可用于如高亮度发光二极管、功率开关元件、调节器、电池保护器、面板显示驱动器、通讯元件等应用的元件的制作。
技术实现思路
1、本专利技术一实施例揭露一种制作高电子迁移率晶体管的方法，其主要先形成一图案化掩模于一基底上，然后利用图案化掩模去除基底以形成多个隆起部以及一受损层于该等隆起部上，然后去除该受损层，形成一阻障层于隆起部上，形成一p型半导体层于阻障层上，再形成一源极电极以及一漏极电极于p型半导体层两侧。
2、本专利技术另一实施例揭露一种高电子迁移率晶体管...
【技术保护点】
1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，另包含栅极电极，设于该P型半导体层上。
3.如权利要求2所述的高电子迁移率晶体管，其中该栅极电极包含金属。
4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该缓冲层包含氮化镓。
5.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该P型半导体层包含P型氮化镓。
6.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，另包含阻障层，设于该缓冲层以及该P型半导体层之间。
7.如权利要求6所述的高电子迁移率晶体管，其中该阻障层包含Alx
【技术特征摘要】
1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，另包含栅极电极，设于该p型半导体层上。
3.如权利要求2所述的高电子迁移率晶体管，其中该栅极电极包含金属。
4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该缓冲层包含氮化镓。
5.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该p型半导体层包含p型氮化镓。
6.如权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏柏文，张明华，吕水烟，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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