【技术实现步骤摘要】
本公开总体上涉及半导体存储器装置及其制造方法，并且更具体地，涉及一种三维半导体存储器装置及其制造方法。
技术介绍
1、半导体存储器装置可以包括具有多个存储器单元的存储器单元阵列。为了提高半导体存储器装置的集成度，存储器单元可以三维地布置。与二维半导体存储器装置相比，包括三维布置的存储器单元的三维半导体存储器装置由于各种原因而可能具有复杂的制造工艺和劣化的操作可靠性。
技术实现思路
1、根据本公开的一方面，提供了一种半导体存储器装置，其包括：公共源极线；沟道结构，其从公共源极线在垂直方向上延伸；栅极层叠结构，其围绕沟道结构，其中，栅极层叠结构包括交替地层叠在公共源极线上的层间绝缘层和导电图案；以及位线，其设置在栅极层叠结构上并连接至沟道结构，其中，沟道结构包括：中空型沟道层，其具有面对位线的封闭端部和面对公共源极线的开放端部。
2、根据本公开的另一方面，提供了一种半导体存储器装置，其包括：公共源极线；位线，其在垂直方向上与公共源极线间隔开；栅极层叠结构，其包括层间绝缘层和导电图案，其中，层间绝缘层和导电图案交替地层叠在公共源极线和位线之间；孔，其贯穿栅极层叠结构，孔具有靠近位线变窄而靠近公共源极线变宽的锥形形状；存储器层，其形成在孔的表面上；以及沟道结构，其设置在存储器层上，沟道结构连接至公共源极线和位线。
3、根据本公开的又一方面，提供了一种制造半导体存储器装置的方法，该方法包括：形成包括栅极层叠结构和沟道结构的初步存储器单元阵列，其中栅极层叠结构包括交替地
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述沟道结构包括：
3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述沟道层包括：
4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述第一端部逐渐变细，并且所述第二端部逐渐变宽。
5.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括位接触插塞，所述位接触插塞设置在所述沟道结构与所述位线之间。
6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述公共源极线包括：
7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：
9.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，所述位线延伸到所述虚设层叠结构上以连接至所述垂直接触插塞。
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述沟道结构包括：
3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述沟道层包括：
4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述第一端部逐渐变细，并且所述第二端部逐渐变宽。
5.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括位接触插塞，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：李南宰，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。