【技术实现步骤摘要】
本公开的各种实施方式总体上涉及电子装置，更具体地，涉及一种用于执行编程操作的半导体装置和操作该半导体装置的方法。
技术介绍
1、半导体存储器装置可具有串水平布置在半导体基板上的二维(2d)结构。另选地，半导体存储器装置可具有串垂直层叠在半导体基板上的三维(3d)结构。随着具有2d结构的存储器装置达到其物理缩放极限(即，集成度极限)，已生产了包括垂直层叠在半导体基板上的多个存储器单元的3d存储器装置。半导体存储器装置的编程操作可包括多个编程循环，各个编程循环包括编程电压施加阶段和验证阶段。此外，验证阶段可包括位线预充电阶段、评估阶段和感测阶段。
技术实现思路
1、本公开的实施方式可提供一种半导体装置。该半导体装置可包括存储块、外围电路和控制逻辑。存储块包括多个存储器单元。外围电路可被配置为对从多个存储器单元当中选择的存储器单元执行编程操作。控制逻辑可被配置为控制外围电路以允许联接到存储块的公共源极线在包括在编程操作的验证阶段中的感测阶段中浮置，此后将高于接地电压的第一电压施加到浮置的公共源极
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【技术保护点】
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述编程操作包括多个编程循环，所述多个编程循环中的每一个包括编程阶段和所述验证阶段，并且所述验证阶段包括位线预充电阶段、评估阶段和所述感测阶段。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，在所述验证阶段之后的编程循环中所包括的编程阶段期间，所述控制逻辑控制所述外围电路在所述第一电压被施加到所述公共源极线的状态下将编程电压施加到联接到所选存储器单元的所选字线并且将编程通过电压施加到联接到未选存储器单元的未选字线。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述编程操作包括多个编程循环，所述多个编程循环中的每一个包括编程阶段和所述验证阶段，并且所述验证阶段包括位线预充电阶段、评估阶段和所述感测阶段。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，在所述验证阶段之后的编程循环中所包括的编程阶段期间，所述控制逻辑控制所述外围电路在所述第一电压被施加到所述公共源极线的状态下将编程电压施加到联接到所选存储器单元的所选字线并且将编程通过电压施加到联接到未选存储器单元的未选字线。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第一电压是用于在所述编程电压被施加到所述所选字线时维持所述所选存储器单元的升压的沟道电压的电压。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一电压是电源电压。
6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述控制逻辑在所述位线预充电阶段中控制所述外围电路将多条位线的电压增加至预设的预充电电压并且将导通电压施加到联接到所述存储块的漏极选择线和源极选择线。
7.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述控制逻辑在所述评估阶段中控制所述外围电路将读电压施加到联接到所选存储器单元的所选字线并且将通过电压施加到未选字线。
8.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述控制逻辑在所述评估阶段中控制所述外围电路将低于所述第一电压的第二电压施加到所述公共源极线。
9.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述控制逻辑在所述感测阶段中控制所述外围电路将指示各个所选存储器单元是否导通的数据存储在锁存器中。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔亨进，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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