ODT控制电路及存储器制造技术

本申请提供一种ODT控制电路及存储器，包括：指示模块，用于解析控制指令，生成并输出第一指示信号，所述第一指示信号指示当前是否处于自刷新模式；第一控制模块，耦接于所述指示模块，用于在接收到的所述第一指示信号指示当前处于自刷新模式时，判断所有命令和地址信号是否均处于第一电平状态，若是则输出处于第二电平状态的控制信号，以指示ODT电路切换至开启状态，若否则输出处于第三电平状态的控制信号，以指示ODT电路切换至关闭状态。本方案能够提高ODT控制的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及存储器技术，尤其涉及一种odt控制电路及存储器。

技术介绍

1、伴随存储器技术的发展，存储器被广泛应用在多种领域，比如，动态随机存取存储器(dynamic random access memory，简称dram)的使用非常广泛。

2、实际应用中，存储器通常设置有片上终端(on-die termination，简称odt)电路，以提高存储器通道的信号完整性。结合相关标准，在一些无需执行odt处理的阶段，比如，自刷新(self-refresh)模式下，会关闭odt电路。相应的，在odt电路被关闭后，还希望其及时开启，以便为自刷新模式退出后存储器正常工作做好准备，因此，需要提供一种方案来实现对odt电路的有效控制。

技术实现思路

1、本申请的实施例提供一种odt控制电路及存储器。

2、根据一些实施例，本申请第一方面提供一种odt控制电路，包括：指示模块，用于解析控制指令，生成并输出第一指示信号，所述第一指示信号指示当前是否处于自刷新模式；第一控制模块，耦接于所述指示模块，用于在接收本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种ODT控制电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述指示模块，包括：指令解析单元和指示信号生成单元；

4.根据权利要求3所述的控制电路，其特征在于，所述第一控制模块，包括：第一运算单元和处理单元；

5.根据权利要求4所述的控制电路，其特征在于，

6.根据权利要求4所述的控制电路，其特征在于，所述第一运算单元，包括：多个第一级多输入与非单元、多个多输入或非单元、第二级多输入与非单元以及第一非门；

7.根据权利要求6所述的控制电路，...

【技术特征摘要】

1.一种odt控制电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述指示模块，包括：指令解析单元和指示信号生成单元；

4.根据权利要求3所述的控制电路，其特征在于，所述第一控制模块，包括：第一运算单元和处理单元；

5.根据权利要求4所述的控制电路，其特征在于，

6.根据权利要求4所述的控制电路，其特征在于，所述第一运算单元，包括：多个第一级多输入与非单元、多个多输入或非单元、第二级多输入与非单元以及第一非门；

7.根据权利要求6所述的控制电路，其特征在于，所述第一级多输入与非单元和所述第二级多输入与非单元包括与非门，所述多输入或非单元包括或非门。

8.根据权利要求4所述的控制电路，其特征在于，所述处理单元包括：第一处理子单元、第二处理子单元和第二运算单元；

9.根据权利要求8所述的控制电路，其特征在于，所述第一处理子单元，包括：第二非门、第一或非门以及第三非门；

10.根据权利要求9所述的控制电路，其特征在于，所述第二处理子单元，包括：第四非门；

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【专利技术属性】
技术研发人员：唐玉玲，严允柱，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：