【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于硅基oled，尤其涉及一种显示器件pad激光剥离露出方法。
技术介绍
1、在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：
2、传统硅基oled的pad激光剥离露出工艺对pad(绑定焊盘)附近电路没有保护，激光可以穿透介质层对cmos晶圆pad附近的线路和晶体管造成损伤。需要严格控制激光能量大小，使用较小激光能量进行激光剥离工艺，小能量的激光剥离效果较差。
3、cn202020271274-一种激光剥离的巨量转移系统，公开了一种激光剥离的巨量转移系统，其系统包括转移装置和接收装置；转移装置上设置有等待转移的led芯片，led芯片沿第一方向和第二方向形成led芯片矩阵；接收装置包括目标基板；在目标基板上设置有光刻胶层，也无法解决上述技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种显示器件pad激光剥离露出方法，利用金属材料覆盖保护pad附近电路，激光剥离过程中金属将激光能量反射，避免激光对pad周边电路的损伤，提高了产品良率；同时提高了激光剥离工艺的激光能量最高限值，提高了激光剥离效果。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案是：一种显示器件pad激光剥离露出方法，包括如下步骤：1)金属保护层图案化；2)蒸镀有机材料；3)薄膜封装；4)激光剥离pad上方的薄膜封装。
3、所述第1)步包括如下步骤：①阳极材料沉积；②旋涂光刻胶；③曝光并显影；④刻蚀；⑤去除光刻胶。
<...【技术保护点】
1.一种显示器件PAD激光剥离露出方法，其特征在于，包括如下步骤：1)金属保护层图案化；2)蒸镀有机材料；3)薄膜封装；4)激光剥离Pad上方的薄膜封装。
2.如权利要求1所述的显示器件PAD激光剥离露出方法，其特征在于，所述第1)步包括如下步骤：①阳极材料沉积；②旋涂光刻胶；③曝光并显影；④刻蚀；⑤去除光刻胶。
3.如权利要求2所述的显示器件PAD激光剥离露出方法，其特征在于，上述第①步中，在CMOS衬底来料表面整面沉积阳极材料层，该CMOS衬底的Pad上方的介质层来料已去除；利用真空磁控溅射靶材的方式实现金属和金属氧化物阳极材料的沉积镀膜，所述阳极材料包括铝、银、钼、镁、氧化铟锡、氧化铟锌、氮化钛、氧化钛材料亦或者上述材料的混合叠层，材料总厚度5纳米到5微米之间。
4.如权利要求3所述的显示器件PAD激光剥离露出方法，其特征在于，上述第②步中，沉积的阳极材料表面整面旋涂光刻胶；光刻胶材料为i线正性光刻胶或KrF正性光刻胶；光刻胶厚度在100纳米到2000纳米之间。
5.如权利要求4所述的显示器件PAD激光剥离露出方法，其特征在于
6.如权利要求5所述的显示器件PAD激光剥离露出方法，其特征在于，上述第④步中，通过干法刻蚀的方法，刻蚀衬底表面的阳极材料，没有被光刻胶保护的区域的阳极材料被刻蚀清除，被光刻胶保护的区域的阳极材料得以保留。
7.如权利要求6所述的显示器件PAD激光剥离露出方法，其特征在于，上述第⑤步中，利用湿法去胶或者干法去胶的方式，将刻蚀工序之后衬底表面残留的光刻胶去除；湿法去胶使用光刻胶剥离液，浸泡剥离或者高压冲淋剥离光刻胶，浸泡剥离工艺条件：剥离液温度20-95℃，浸泡时间60秒到600秒；高压冲淋工艺条件：喷淋头压力100-900Psi，时间60秒到300秒，晶圆转速20转每分钟到300转每分钟。干法去胶使用等离子态的氧气处理晶圆表面，使光刻胶气化分解，工艺条件：功率500-1200W，偏置功率10W至50W，工艺气体为氧气，气体流量20sccm至220sccm，晶圆温度在70℃至90℃之间，反应时间20秒至120秒。
8.如权利要求7所述的显示器件PAD激光剥离露出方法，其特征在于，所述第2)步中，在上述完成制作阳极图案化的CMOS衬底上，通过蒸镀MASK实现CMOS晶圆表面有选择性的区域蒸镀，分步骤的在阳极材料表面蒸镀Pad区域OLED有机材料和OLED发光结构；该蒸镀方法通过热升华的方式或者电子束蒸发的方式，将多种OLED有机材料分步分区域地蒸镀到做完阳极的CMOS衬底表面。
9.如权利要求8所述的显示器件PAD激光剥离露出方法，其特征在于，所述第3)步中，所述透明薄膜封装材料包括有机透明材质包括亚克力、聚酰亚胺的透明材质或者无机透明材质的氮化硅、三氧化二铝、二氧化钛，亦或者上述材质的混合物；薄膜厚度10纳米到10微米之间；该透明薄膜封装无机材料通过PECVD设备或者ALD设备制作，PECVD设备使用硅烷和氮气制作氮化硅薄膜，ALD设备使用三甲基铝前驱体和水蒸气反应生成三氧化二铝薄膜，使用四氯化钛前驱体和水蒸气反应生成二氧化钛薄膜；有机材料通过喷墨打印设备制作，将感光液体材料喷涂在晶圆指定位置，使用紫外光将材料固化成膜；透明薄膜封装层用于覆盖保护OLED有机材料。
10.如权利要求8所述的显示器件PAD激光剥离露出方法，其特征在于，所述第4)步中，通过激光设备将激光光斑整形并聚焦到晶圆表面，通过预输入的设备程序自动控制扫描区域，该扫描区域根据晶圆上Pad的分布区域，使激光扫描区域完整覆盖晶圆的Pad区域；激光逐个扫描Pad时，激光将Pad区域的有机材料烧蚀气化，有机材料体积膨胀，从而撑破透明薄膜封装层，并使透明薄膜封装层炸开飞离，实现剥离Pad区域的透明薄膜封装层，将Pad露出；其中激光波长：100纳米到800纳米；激光能量：0.2毫焦每平方厘米到200毫焦每平方厘米之间；激光光斑形状和尺寸根据不同Pad的尺寸设定，形状为长方形或正方形，边长50微米至3毫米。
...【技术特征摘要】
1.一种显示器件pad激光剥离露出方法，其特征在于，包括如下步骤：1)金属保护层图案化；2)蒸镀有机材料；3)薄膜封装；4)激光剥离pad上方的薄膜封装。
2.如权利要求1所述的显示器件pad激光剥离露出方法，其特征在于，所述第1)步包括如下步骤：①阳极材料沉积；②旋涂光刻胶；③曝光并显影；④刻蚀；⑤去除光刻胶。
3.如权利要求2所述的显示器件pad激光剥离露出方法，其特征在于，上述第①步中，在cmos衬底来料表面整面沉积阳极材料层，该cmos衬底的pad上方的介质层来料已去除；利用真空磁控溅射靶材的方式实现金属和金属氧化物阳极材料的沉积镀膜，所述阳极材料包括铝、银、钼、镁、氧化铟锡、氧化铟锌、氮化钛、氧化钛材料亦或者上述材料的混合叠层，材料总厚度5纳米到5微米之间。
4.如权利要求3所述的显示器件pad激光剥离露出方法，其特征在于，上述第②步中，沉积的阳极材料表面整面旋涂光刻胶；光刻胶材料为i线正性光刻胶或krf正性光刻胶；光刻胶厚度在100纳米到2000纳米之间。
5.如权利要求4所述的显示器件pad激光剥离露出方法，其特征在于，上述第③步中，将设计好的掩模版图案转移到光刻胶上；i线正性光刻胶使用i线光刻机曝光，曝光能量100毫焦每平方厘米到500毫焦每平方厘米；krf正性光刻胶使用duv光刻机曝光，显影后将晶圆表面光刻胶显影出图形，该图案保留在阳极材料层表面，显影使用1％至5％的tmah溶液或者0.01％至1％的koh溶液，显影时间30秒到120秒之间，显影液温度20-25摄氏度。
6.如权利要求5所述的显示器件pad激光剥离露出方法，其特征在于，上述第④步中，通过干法刻蚀的方法，刻蚀衬底表面的阳极材料，没有被光刻胶保护的区域的阳极材料被刻蚀清除，被光刻胶保护的区域的阳极材料得以保留。
7.如权利要求6所述的显示器件pad激光剥离露出方法，其特征在于，上述第⑤步中，利用湿法去胶或者干法去胶的方式，将刻蚀工序之后衬底表面残留的光刻胶去除；湿法去胶使用光刻胶剥离液，浸泡剥离或者高压冲淋剥离光刻胶，浸泡剥离工艺条件：剥离液温度20-95℃，浸泡时间60秒到600秒；高压冲淋工艺条件：喷淋头压力100-900...
【专利技术属性】
技术研发人员：柏峰，吕迅，祖伟，尹立平，徐瑞，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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