【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种半导体电阻形成方法。
技术介绍
1、相关技术通常通过额外的光罩对多晶硅进行离子注入以制作电阻，通过控制注入剂量以调节电阻阻值。但是当进行离子注入完毕后，电阻的阻值确定且不可变。一旦想要改变电阻阻值需要重新进行新的离子注入加工。
技术实现思路
1、本申请提供了一种半导体电阻形成方法，可以解决相关技术中离子注入电阻阻值在使用中难以调整的问题。
2、为了解决
技术介绍
中所述的技术问题，本申请提供了一种半导体电阻形成方法，所述半导体电阻形成方法包括以下步骤：
3、提供存储单元；所述存储单元包括第一导电类型衬底层和形成于所述第一导电类型衬底层上的浮栅多晶硅层，所述浮栅多晶硅层两侧的第一导电类型衬底层中分别形成位线掺杂区和源线掺杂区；
4、使得所述存储单元处于编程状态，在所述编程状态下所述第一导电类型衬底层中的电子流入所述浮栅多晶硅层中，给所述浮栅多晶硅层充电；
5、在所述浮栅多晶硅层的充电量达到目标充电量时，停止给所述浮栅多晶硅层充电；
6、使得所述存储单元处于读状态，在所述读状态下，所述存储单元作为电阻使用，所述存储单元的位线掺杂区和源线掺杂区分别作为所述电阻的两端。
7、可选地，所述存储单元还包括与所述浮栅多晶硅层间隔排布的选择栅多晶硅层，所述选择栅多晶硅层位于所述位线掺杂区和所述源线掺杂区之间的第一导电类型衬底层上；
8、所述浮栅多晶硅层与所述选择栅多晶硅层之间的第一导电类型
9、可选地，所述使得所述存储单元处于编程状态，在所述编程状态下所述第一导电类型衬底层中的电子流入所述浮栅多晶硅层中，给所述浮栅多晶硅层充电的步骤，包括：
10、向所述选择栅多晶硅层施加字线电压，向所述源线掺杂区和所述第一导电类型衬底层施加相同的编程电压以使得所述存储单元处于编程状态，在所述编程状态下所述第一导电类型衬底层中的电子流入所述浮栅多晶硅层中，给所述浮栅多晶硅层充电。
11、可选地，所述编程电压为0v至-20v，所述字线电压为0v至-20v。
12、可选地，所述使得所述存储单元处于读状态，在所述读状态下，所述存储单元作为电阻使用，所述存储单元的位线掺杂区和源线掺杂区分别作为所述电阻的两端的步骤，包括：
13、使得所述选择栅多晶硅层的电压为0v，向所述源线掺杂区和所述第一导电类型衬底层施加相同的读电压以使得所述存储单元处于读状态，在所述读状态下，所述存储单元作为电阻使用，所述存储单元的位线掺杂区和源线掺杂区分别作为所述电阻的两端。
14、可选地，所述读电压为0v至-20v，位线掺杂区电压为0v至-20v。
15、可选地，所述浮栅多晶硅层为单层多晶硅。
16、本申请技术方案，至少包括如下优点：可以通过调整给浮栅多晶硅层充电的电量，来控制浮栅多晶硅层下导电沟槽的电阻，从而无需通过离子注入以实现改变电阻阻值。
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1.一种半导体电阻形成方法，其特征在于，所述半导体电阻形成方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的半导体电阻形成方法，其特征在于，所述存储单元还包括与所述浮栅多晶硅层间隔排布的选择栅多晶硅层，所述选择栅多晶硅层位于所述位线掺杂区和所述源线掺杂区之间的第一导电类型衬底层上；
3.如权利要求2所述的半导体电阻形成方法，其特征在于，所述使得所述存储单元处于编程状态，在所述编程状态下所述第一导电类型衬底层中的电子流入所述浮栅多晶硅层中，给所述浮栅多晶硅层充电的步骤，包括：
4.如权利要求3所述的半导体电阻形成方法，其特征在于，所述编程电压为0V至-20V，所述字线电压为0V至-20V。
5.如权利要求2所述的半导体电阻形成方法，其特征在于，所述使得所述存储单元处于读状态，在所述读状态下，所述存储单元作为电阻使用，所述存储单元的位线掺杂区和源线掺杂区分别作为所述电阻的两端的步骤，包括：
6.如权利要求2所述的半导体电阻形成方法，其特征在于，所述读电压为0V至-20V，位线掺杂区电压为0V至-20V。
7.如权利要求1
...【技术特征摘要】
1.一种半导体电阻形成方法，其特征在于，所述半导体电阻形成方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的半导体电阻形成方法，其特征在于，所述存储单元还包括与所述浮栅多晶硅层间隔排布的选择栅多晶硅层，所述选择栅多晶硅层位于所述位线掺杂区和所述源线掺杂区之间的第一导电类型衬底层上；
3.如权利要求2所述的半导体电阻形成方法，其特征在于，所述使得所述存储单元处于编程状态，在所述编程状态下所述第一导电类型衬底层中的电子流入所述浮栅多晶硅层中，给所述浮栅多晶硅层充电的步骤，包括：
4.如权利要求3所述的半...
【专利技术属性】
技术研发人员：张博，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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