半导体电阻形成方法技术

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种低成本、使用中可调的半导体电阻形成方法。半导体电阻形成方法包括以下步骤：提供存储单元；存储单元包括第一导电类型衬底层和形成于第一导电类型衬底层上的浮栅多晶硅层，浮栅多晶硅层两侧的第一导电类型衬底层中分别形成位线掺杂区和源线掺杂区；使得存储单元处于编程状态，在编程状态下第一导电类型衬底层中的电子流入浮栅多晶硅层中，给浮栅多晶硅层充电；在浮栅多晶硅层的充电量达到目标充电量时，通过浮栅充电量的多少来调节沟道的电流导通能力，即调节沟道导通电阻值的大小。使得存储单元处于读状态，在读状态下，存储单元作为电阻使用，存储单元的位线掺杂区和源线掺杂区分别作为电阻的两端。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，具体涉及一种半导体电阻形成方法。

技术介绍

1、相关技术通常通过额外的光罩对多晶硅进行离子注入以制作电阻，通过控制注入剂量以调节电阻阻值。但是当进行离子注入完毕后，电阻的阻值确定且不可变。一旦想要改变电阻阻值需要重新进行新的离子注入加工。

技术实现思路

1、本申请提供了一种半导体电阻形成方法，可以解决相关技术中离子注入电阻阻值在使用中难以调整的问题。

2、为了解决
技术介绍
中所述的技术问题，本申请提供了一种半导体电阻形成方法，所述半导体电阻形成方法包括以下步骤：

3、提供存储单元；所述存储单元包括第一导电类型衬底层和形成于所述第一导电类型衬底层上的浮栅多晶硅层，所述浮栅多晶硅层两侧的第一导电类型衬底层中分别形成位线掺杂区和源线掺杂区；

4、使得所述存储单元处于编程状态，在所述编程状态下所述第一导电类型衬底层中的电子流入所述浮栅多晶硅层中，给所述浮栅多晶硅层充电；

5、在所述浮栅多晶硅层的充电量达到目标充电量时，停止给所述浮栅多晶硅层充电；

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【技术保护点】

1.一种半导体电阻形成方法，其特征在于，所述半导体电阻形成方法包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的半导体电阻形成方法，其特征在于，所述存储单元还包括与所述浮栅多晶硅层间隔排布的选择栅多晶硅层，所述选择栅多晶硅层位于所述位线掺杂区和所述源线掺杂区之间的第一导电类型衬底层上；

3.如权利要求2所述的半导体电阻形成方法，其特征在于，所述使得所述存储单元处于编程状态，在所述编程状态下所述第一导电类型衬底层中的电子流入所述浮栅多晶硅层中，给所述浮栅多晶硅层充电的步骤，包括：

4.如权利要求3所述的半导体电阻形成方法，其特征在于，所述编程电压为0V至-20V，所...

【技术特征摘要】

1.一种半导体电阻形成方法，其特征在于，所述半导体电阻形成方法包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的半导体电阻形成方法，其特征在于，所述存储单元还包括与所述浮栅多晶硅层间隔排布的选择栅多晶硅层，所述选择栅多晶硅层位于所述位线掺杂区和所述源线掺杂区之间的第一导电类型衬底层上；

3.如权利要求2所述的半导体电阻形成方法，其特征在于，所述使得所述存储单元处于编程状态，在所述编程状态下所述第一导电类型衬底层中的电子流入所述浮栅多晶硅层中，给所述浮栅多晶硅层充电的步骤，包括：

4.如权利要求3所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：张博，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：