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本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种低成本、使用中可调的半导体电阻形成方法。半导体电阻形成方法包括以下步骤：提供存储单元；存储单元包括第一导电类型衬底层和形成于第一导电类型衬底层上的浮栅多晶硅层，浮栅多晶硅层两侧的第一导电类型衬底层中分别...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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