失效芯片的筛选方法技术

本发明专利技术提供了一种失效芯片的筛选方法，包括：提供待测试的芯片，芯片包括衬底、位于衬底上的栅极结构以及离子注入区，每个栅极结构均包括：栅氧化层、浮栅、ONO层、控制栅和字线栅，同一行的多个字线栅连接形成字线，同一行的多个控制栅连接形成控制线，同一列的离子注入区连接形成位线，一个字线栅与一侧的一个控制栅、一个浮栅和一个离子注入区组成一个存储单元；对存储单元进行擦除操作；对位线和控制线施加第一电压和第二电压，第一电压和第二电压的压差大于8.2V且第一电压与浮栅电压的电压差小于栅氧化层的击穿电压，第一电压大于0，第二电压小于0；对存储单元进行写00操作和读00操作，如果读取的值非00，则芯片失效。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其是涉及一种失效芯片的筛选方法。

技术介绍

1、在芯片的生产过程中，由于工艺或者设计问题，会出现少量的失效芯片，若不能有效的将问题芯片筛选出来，流至客户端，后期会增大解决问题的难度，增加成本投入。nord闪存是芯片中的一个器件，其失效可以直接导致所在芯片失效。而一个晶圆上会同时存在多个nord闪存，多个nord闪存排列成多行和多列的形式。

2、请参照图1，现有技术的nord闪存的包括：衬底101，在衬底101上的间隔设置的多个栅极结构，多个栅极结构在第一方向上呈多行，在第二方向上呈多列，第一方向和第二方向相互垂直。每个栅极结构包括：栅氧化层102、浮栅103、ono层104、控制栅105、字线栅106、第一侧墙107和第二侧墙108。栅氧化层102位于衬底101的表面，浮栅103、ono层104和控制栅105位于部分栅氧化层102的表面，浮栅103、ono层104和控制栅105内形成有字线开口，字线栅106位于字线开口内，字线栅106通过第一侧墙107与浮栅103的侧壁和ono层104的侧壁隔开。字线栅106还通过第一侧本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种失效芯片的筛选方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的失效芯片的筛选方法，其特征在于，所述栅极结构还包括第一侧墙和第二侧墙，所述字线栅通过所述第一侧墙与浮栅的侧壁以及与ONO层的侧壁隔开，所述字线栅还通过所述第一侧墙以及第二侧墙分别与控制栅的侧壁隔开。

3.如权利要求1所述的失效芯片的筛选方法，其特征在于，所述第一电压为0～8V。

4.如权利要求1所述的失效芯片的筛选方法，其特征在于，所述第二电压为0～-20V。

5.如权利要求1所述的失效芯片的筛选方法，其特征在于，所述第一电压与所述浮栅电压的电压差的计算方法包括：V＝-V...

【技术特征摘要】

1.一种失效芯片的筛选方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的失效芯片的筛选方法，其特征在于，所述栅极结构还包括第一侧墙和第二侧墙，所述字线栅通过所述第一侧墙与浮栅的侧壁以及与ono层的侧壁隔开，所述字线栅还通过所述第一侧墙以及第二侧墙分别与控制栅的侧壁隔开。

3.如权利要求1所述的失效芯片的筛选方法，其特征在于，所述第一电压为0～8v。

4.如权利要求1所述的失效芯片的筛选方法，其特征在于，所述第二电压为0～-20v。

5.如权利要求1所述的失效芯片的筛选方法，其特征在于，所述第一电压与所述浮栅电压的电压差的计算方法包括：v＝-vcg*cr+vfg+vbl，其中，v为第一电压与所述浮栅电压的电...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢中华，刘宪周，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：