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本发明提供了一种失效芯片的筛选方法，包括：提供待测试的芯片，芯片包括衬底、位于衬底上的栅极结构以及离子注入区，每个栅极结构均包括：栅氧化层、浮栅、ONO层、控制栅和字线栅，同一行的多个字线栅连接形成字线，同一行的多个控制栅连接形成控制线，同...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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