【技术实现步骤摘要】
本专利技术的多种实施例涉及半导体设计技术，更具体地，涉及包括存储单元阵列的存储器装置，所述存储单元阵列包括冗余单元块和纠错码(ecc)单元块。
技术介绍
1、在半导体存储器行业的早期阶段，通过半导体制造工艺生产存储器芯片，而没有缺陷存储单元。然而，随着存储器装置的容量增加，制造不具有缺陷存储单元的存储器装置变得困难。目前，基本上没有机会来制造出没有任何缺陷存储单元的存储器装置。为了解决这个问题，正在使用用冗余存储单元替换缺陷存储单元的修复方法，或者利用纠错电路来校正存储器装置中的错误的纠错方法。
技术实现思路
1、本专利技术的实施例涉及一种存储器装置，该存储器装置能够在设置的规范范围内管理在用于列修复的移位操作期间由于缺陷子字线驱动器而导致的纠错装置的误校正。
2、根据本专利技术的一个实施例，一种存储器装置包括：存储单元区域，其包括多个单元块，所述多个单元块被划分为多个正常单元块、至少一个ecc单元块和至少一个冗余单元块，所述多个单元块被配置为输出数据和纠错码；纠错电路，其被配...
【技术保护点】
1.一种存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一开关组设置在所述纠错电路与数据焊盘之间，通过所述数据焊盘所述第一开关组输出所述纠错的数据。
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述纠错电路包括多个码计算电路，所述多个码计算电路被划分为多个正常码计算电路、至少一个ECC码计算电路和至少一个冗余码计算电路。
4.根据权利要求3所述的存储器装置，
5.根据权利要求1所述的存储器装置，
6.根据权利要求1所述的存储器装置，还包括第三开关组，所述第三开关组根据第三修复控制信息对从所述...
【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一开关组设置在所述纠错电路与数据焊盘之间，通过所述数据焊盘所述第一开关组输出所述纠错的数据。
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述纠错电路包括多个码计算电路，所述多个码计算电路被划分为多个正常码计算电路、至少一个ecc码计算电路和至少一个冗余码计算电路。
4.根据权利要求3所述的存储器装置，
5.根据权利要求1所述的存储器装置，
6.根据权利要求1所述的存储器装置，还包括第三开关组，所述第三开关组根据第三修复控制信息对从所述ecc单元块输出的所述数据与从所述正常单元块中的与所述ecc单元块相邻的一个正常单元块输出的所述数据执行交换操作。
7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述第三开关组包括第一交换开关，所述第一交换开关根据所述第三修复控制信息，将从所述ecc单元块输出的所述数据和从所述相邻的正常单元块输出的所述数据中的一个传送至所述纠错电路。
8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述第三开关组还包括第二交换开关，所述第二交换开关根据所述第三修复控制信息，将从所述ecc单元块输出的所述数据和从所述相邻的正常单元块输出的所述数据中的另一个传送至所述第二开关组。
9.根据权利要求1所述的存储器装置，还包括修复控制电路，所述修复控制电路存储缺陷地址作为修复信息，并且基于存储的修复信息来提供与输入地址相对应的所述第一修复控制信息和所述第二修复控制信息。
10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，所述修复控制电路包括：
11.根据权利要求1所述的存储器装置，
<...【专利技术属性】
技术研发人员：郑镇浩，金大石，尹相又，林雅兰，张文选，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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